Зависимость - электрические свойство
Cтраница 1
Зависимость электрических свойств от фазового и структурного состояния гомогенных и гетерогенных сплавов позволяет решать ряд научных и практических задач металловедения экспериментальным путем. [1]
Зависимость электрических свойств от строения макромолекул и надмолекулярной структуры позволяет использовать измерения электрических свойств для изучения особенностей строения полимеров. [2]
Зависимость электрических свойств, от строения макромолекул и надмолекулярной структуры позволяет использовать измерения электрических свойств для изучения особенностей строения полимеров. [3]
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов. Поэтому при действии квантов лучистой энергии или при нагревании электроны, занимающие верхние уровни валентной зоны, могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока. С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов, переходящих в зону проводимости, возрастает; в соответствии с этим увеличивается и электропроводность полупроводника. [4]
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов. Однако ширина запрещенной зоны Е в случае полупроводников невелика. Поэтому при действии квантов лучистой энергии или при нагревании электроны, занимающие верхние уровни валентной зоны, могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока. С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов, переходящих в зону проводимости, возрастает; в соответствии с этим увеличивается и электропроводность полупроводника. [5]
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов. Поэтому при действии квантов лучистой энгргии или при нагревании электроны, занимающие верхние уровни валентной зоны, могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока. С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов, переходящих в зону проводимости, возрастает; в соответствии с этим увеличивается и электропроводность полупроводника. [6]
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов. Поэтому при действии квантов лучистой энергии или при нагревании электроны, занимающие верхние уровни валентной зоны, могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока. С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов, переходящих в зону проводимости, возрастает; в соответствии, с этим увеличивается и электропроводность полупроводника. [7]
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов. Однако ширина запрещенной зоны АЕ в случае полупровод-киков невелика. Поэтому при действии квантов лучистой энергии или при нагревании электроны, занимающие верхние уровни валентной зоны, могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока. С повышением температуры пли при увеличении освещенности число электронов, переходящих в зону проводимости, возрастает; в соответствии с этим увеличивается и электрическая проводимость полупроводника. [8]
 |
Схема расположения энергетических зон в металле, изоляторе и полупроводнике. [9] |
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов. Поэтому при действии квантов лучистой энергии или при нагревании электроны, занимающие верхние уровни валентной зоны, могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока. С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов, переходящих в зону проводимости, возрастает; в соответствии с этим увеличивается и электрическая проводимость полупроводника. [10]
 |
Схема расположения энергетических зон в металле, изоляторе и полупроводнике. [11] |
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов. Однако ширина запрещенной зоны АЕ в случае полупроводников невелика. Поэтому при действии квантов лучистой энергии или при нагревании электроны, занимающие верхние уровни валентной зоны, могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока. С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов, переходящих в зону проводимости, возрастает; в соответствии с этим увеличивается и электрическая проводимость полупроводника. [12]
 |
Схема расположения энергетических зон в металле, изоляторе. [13] |
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов. [14]
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов. Поэтому при действии квантов лучистой энергии или при нагревании электроны, занимающие верхние уровни валентной зоны, могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока. С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов, переходящих в зону проводимости, возрастает; в соответствии с этим увеличивается и электропроводность полупроводника. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5