Затравка

Cтраница 1

Простейший кристаллоносец для выращивания кристаллов. [1]

Затравка должна вставляться с некоторым усилием. Вводить ее в трубку нужно до упора в стержень, что снизит подвижность кристалла относительно кристаллоносца. Для уменьшения его подвижности следует избегать также длинных концов трубок; необходимо, чтобы кристалл, подрастая, как можно раньше охватил утолщение и закрепился. Нежесткое сцепление кристалла и кристаллоносца, как и деформация последнего, приводят к возникновению трещин в растущем кристалле. [2]

Затравка способствует подавлению дендритной ликвации серы, ликвидации межкристаллитных сульфидных прослоек, имеющих форму острых надрезов, и образованию неметаллических включений глобулярной формы, беспорядочно расположенных в матрице. Пластические свойства модифицированного слитка Ст5 значительно повысились. При введении железного порошка в непрерывный слиток скорость его вытягивания из кристаллизатора увеличивается в 1 3 - 1 5 раза. [3]

Состав ( в молярных долях шихты для кристаллизации Bi3 2 Са2гРе5 - г О 2.| Состав ( молярная доля шихты.| Состав ( массовая доля шихты. [4]

Затравка может вращаться вместе с фиксирующим ее держателем. [5]

Формы фронта кристаллизации в различных условиях выращивания монокристалла. [6]

Затравка должна быть тщательно ориентирована в нужном кристаллографическом направлении, что в значительной мере также определяет качество кристалла. Ориентировка кристалла устанавливается и контролируется рентгеновской съемкой по Лауэ. [7]

Затравка должна содержать по меньшей мере два нуклеозид-ных остатка, один из которых имеет свободную гидроксильную группу при С-3, которая и участвует в формировании новой фосфодиэфирной связи ( фиг. [8]

Затравки ( серные нити) или бумажные стопины также представляют собой зажигательные шнуры в бумажной оболочке; обычно они имеют в длину 28 см и диаметр 0 33 - 0 21 см. Они служат для тех же целей, что и огнепроводы. [9]

Образование шейки на затравке. [10]

Затравка способна передавать содержащиеся в ней примеси и структурные дефекты растущему на ней кристаллу. Поэтому она должна быть такой же химической чистоты или чище, чем монокристалл, который нужно получить, и по возможности без структурных дефектов. По этим причинам затравку предпочитают брать возможно тоньше или образовывать на ней путем оплавления узкую шейку перед началом выращивания кристалла ( рис. V. Затравка должна быть тщательно ориентирована в нужном кристаллографическом направлении, что в значительной мере определяет качество выращиваемого кристалла и облегчает его разрезыва-ние на пластинки для изготовления приборов. Ориентировку затравки устанавливают и контролируют рентгеновской съемкой по Лауэ. [11]

Затравки можно отбирать из природных кристаллов или выращивать другими методами, но чаще всего затравочные кристаллики выращивают в предварительных опытах по пламенному плавлению. Направив пламя горелки на огнеупорную подставку, можно получить на ней наплыв расплава, а затем подставку постепенно опускают и расплав затвердевает. [12]

Образование шейки на затравке. [13]

Затравка способна передавать содержащиеся в ней примеси и структурные дефекты растущему на ней кристаллу. Поэтому она должна быть такой же химической чистоты или чище, чем монокристалл, который нужно получить, и по возможности без структурных дефектов. По этим причинам затравку предпочитают брать возможно тоньше или образовывать на ней путем оплавления узкую шейку перед началом выращивания кристалла ( рис. V. Затравка должна быть тщательно ориентирована в нужном кристаллографическом направлении, что в значительной мере определяет качество выращиваемого кристалла и облегчает его разрезыва-вие на пластинки для изготовления приборов. Ориентировку затравки устанавливают и контролируют рентгеновской съемкой по Лауэ. [14]

Затравка не обязательно должна состоять из материала, предназначенного для кристаллизации, кроме тех случаев, когда требуется абсолютная чистота окончательного продукта. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5