Линия - люминесценция - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
В какой еще стране спирт хранится в бронированных сейфах, а "ядерная кнопка" - в пластмассовом чемоданчике. Законы Мерфи (еще...)

Линия - люминесценция

Cтраница 1


Линии люминесценции, связанные с парой, состоящей из акцептора Zn и неизвестного донора, наблюдались для сплава GaP-InP с непрямой зоной.  [1]

Линия люминесценции для основного перехода 4F3 / 2 - 4 / ц / 2 ионов Nd: t содержит 12 штарковых компонент, различающихся по интенсивности и форме. Моделирование такой неоднородно уширенной линии путем вписывания в ее контур этих 12 штарковых компонент не всегда может быть произведено однозначным образом. Чаще всего поступают так. Штарково расщепление уровня 4F3 / 2 в стеклах составляет 80 - 160 см-1 [66] ( в ГЛС-22-114 см-1, в КНФС - 84 см-1 [ 67J, в ED-2-160 см-1), а расщепление уровня 4 / ц / 2 обычно принимается эквидистантным.  [2]

Ширина линии люминесценции при температуре 77 К равна 30 4 см 1 и резко уменьшается при дальнейшем охлаждении кристалла.  [3]

Общая форма линии люминесценции при гауссовом неоднородном и лоренцевом однородном распределении оптических центров представляет собой известную фойгтову форму линии.  [4]

Вследствие большой ширины линий люминесценции спектр индуцированного излучения в стеклах значительно шире, чем в кристаллических средах. При небольшом превышении порога генерации спектр излучения стекла с неодимом состоит из нескольких линий, заключенных в области порядка 10А около 1 06 мкм.  [5]

6 Дисперсия скоростей затухания люминесценции. [6]

Неоднородный характер уширения линии люминесценции ионов Nd3 в различных стеклах проявляет себя также в наличии временной зависимости скорости распада селективно возбуждаемого уровня 4 / 73 / 2 - Так, у силикатных стекол с малой концентрацией ионов Nd3, исключающей процессы передачи энергии возбуждения, скорость затухания люминесценции после импульсного узкополосного возбуждения существенно зависит как от длины волны возбуждающего света Хвозб, так и от спектральной области регистрации люминесценции Jipcr, и ее изменение имеет немонотонный характер. Данные о дисперсии скоростей затухания люминесценции на переходе 4 з / 2 - 4 / 9 / 2 в силикатном стекле ГЛС-2 при различных Хвоз6 и Яро1 приведены в табл. 1.8. Величина т2эф ( 0 определялась как показатель экспоненты, апроксимирующей кривую затухания в момент времени / от конца возбуждающего импульса длительностью 10 - 2 с. Наблюдаемая дисперсия скоростей затухания люминесценции ионов Nd3 в стеклах указывает на существование в них целого набора центров со значениями излучательных вероятностей, отличающимися в несколько раз.  [7]

8 Температурная зависимость длины волны излучения лазера Аи ( переход Р3 / 2 - Р4 / 2 лазера на АИГ. Nd3.| Схема энергетических уровней ионов неод има в кристалле АИПШ3 [ поперечные сечения вынужденных переходов а 4 6 X ХЮ-19 см2, а 0 8Х X Ю-19 см2 для каналов А и А соответственно. [8]

С повышением температуры центры линий люминесценции vn смещаются в длинноволновую сторону. Одновременно происходит увеличение ширины линии Дул, сопровождаемое пропорциональным уменьшением усиления ( поперечного сечения вынужденного перехода) в ее максимуме.  [9]

В видимой части спектра ширина линии люминесценции обычно больше расстояния между модами, так что обычно генерируется несколько мод одновременно. В этом случае ширину линии излучения лазера удобно определить ( неточно) как ширину огибающей генерируемых мод. При таком определении ширина линии лазера зависит от усиления и, следовательно, от активной среды и степени превышения накачки лазера над порогом. А; в то же время ширина линии одномодового рубинового лазера может составлять всего лишь 0 001 А.  [10]

В лазерной генерацию наиболее часто используется линия люминесценции ( усиления) кристаллов АИГ-Nd с длиной волны 1064 15 нм, обладающая максимальным сечением перехода и соответственно максимально достижимой для АИГ-Nd лазеров выходной мощностью излучения.  [11]

12 Селекция типов колебаний с помощью двух линз и диафрагмы.| Система связанных резонаторов из трех зеркал. [12]

ОКГ продольных типов колебаний определяется шириной линии люминесценции активного вещества и длиной резонатора.  [13]

14 Схемы электронных уровней и переходов для комплексов лантанидов. [14]

Сохранение характерной для лантанидов дискретности спектров и резкости линий люминесценции, а также ряд других фактов означают, что в молекуле комплекса происходит перенос энергии возбуждения от тг-электронной системы комплекса к - электронам лантанида.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5