Cтраница 1
Линии люминесценции, связанные с парой, состоящей из акцептора Zn и неизвестного донора, наблюдались для сплава GaP-InP с непрямой зоной. [1]
Линия люминесценции для основного перехода 4F3 / 2 - 4 / ц / 2 ионов Nd: t содержит 12 штарковых компонент, различающихся по интенсивности и форме. Моделирование такой неоднородно уширенной линии путем вписывания в ее контур этих 12 штарковых компонент не всегда может быть произведено однозначным образом. Чаще всего поступают так. Штарково расщепление уровня 4F3 / 2 в стеклах составляет 80 - 160 см-1 [66] ( в ГЛС-22-114 см-1, в КНФС - 84 см-1 [ 67J, в ED-2-160 см-1), а расщепление уровня 4 / ц / 2 обычно принимается эквидистантным. [2]
Ширина линии люминесценции при температуре 77 К равна 30 4 см 1 и резко уменьшается при дальнейшем охлаждении кристалла. [3]
Общая форма линии люминесценции при гауссовом неоднородном и лоренцевом однородном распределении оптических центров представляет собой известную фойгтову форму линии. [4]
Вследствие большой ширины линий люминесценции спектр индуцированного излучения в стеклах значительно шире, чем в кристаллических средах. При небольшом превышении порога генерации спектр излучения стекла с неодимом состоит из нескольких линий, заключенных в области порядка 10А около 1 06 мкм. [5]
Дисперсия скоростей затухания люминесценции. [6] |
Неоднородный характер уширения линии люминесценции ионов Nd3 в различных стеклах проявляет себя также в наличии временной зависимости скорости распада селективно возбуждаемого уровня 4 / 73 / 2 - Так, у силикатных стекол с малой концентрацией ионов Nd3, исключающей процессы передачи энергии возбуждения, скорость затухания люминесценции после импульсного узкополосного возбуждения существенно зависит как от длины волны возбуждающего света Хвозб, так и от спектральной области регистрации люминесценции Jipcr, и ее изменение имеет немонотонный характер. Данные о дисперсии скоростей затухания люминесценции на переходе 4 з / 2 - 4 / 9 / 2 в силикатном стекле ГЛС-2 при различных Хвоз6 и Яро1 приведены в табл. 1.8. Величина т2эф ( 0 определялась как показатель экспоненты, апроксимирующей кривую затухания в момент времени / от конца возбуждающего импульса длительностью 10 - 2 с. Наблюдаемая дисперсия скоростей затухания люминесценции ионов Nd3 в стеклах указывает на существование в них целого набора центров со значениями излучательных вероятностей, отличающимися в несколько раз. [7]
С повышением температуры центры линий люминесценции vn смещаются в длинноволновую сторону. Одновременно происходит увеличение ширины линии Дул, сопровождаемое пропорциональным уменьшением усиления ( поперечного сечения вынужденного перехода) в ее максимуме. [9]
В видимой части спектра ширина линии люминесценции обычно больше расстояния между модами, так что обычно генерируется несколько мод одновременно. В этом случае ширину линии излучения лазера удобно определить ( неточно) как ширину огибающей генерируемых мод. При таком определении ширина линии лазера зависит от усиления и, следовательно, от активной среды и степени превышения накачки лазера над порогом. А; в то же время ширина линии одномодового рубинового лазера может составлять всего лишь 0 001 А. [10]
В лазерной генерацию наиболее часто используется линия люминесценции ( усиления) кристаллов АИГ-Nd с длиной волны 1064 15 нм, обладающая максимальным сечением перехода и соответственно максимально достижимой для АИГ-Nd лазеров выходной мощностью излучения. [11]
Селекция типов колебаний с помощью двух линз и диафрагмы.| Система связанных резонаторов из трех зеркал. [12] |
ОКГ продольных типов колебаний определяется шириной линии люминесценции активного вещества и длиной резонатора. [13]
Схемы электронных уровней и переходов для комплексов лантанидов. [14] |
Сохранение характерной для лантанидов дискретности спектров и резкости линий люминесценции, а также ряд других фактов означают, что в молекуле комплекса происходит перенос энергии возбуждения от тг-электронной системы комплекса к - электронам лантанида. [15]