Фтористый магний

Cтраница 2

ФРеонов на гранулированном Фтористом магнии. [16]

Разработка метода получения фтористого магния в качестве теплоизоляционного материала, Отч. [17]

Тепловые эффекты реакций осаждения фтористого магния из растворов хлористого и сернокислого магния, измеренные Петерсеном [3227] и Гунтцем [1898], равны - 29 1 и 1 7 ккал / моль соответственно. Быховский и Россини [813] по этим данным получили для теплоты образования фтористого магния значение - 263 8 ккал / моль. [18]

Коэффициент отражения чистого алюминия и алюминия, покрытого плевками фтористого магния различной толщины. [19]

Это объясняется тем, что фтористый магний начинает поглощать в этой области длин волн. [20]

Навеску около 1 0 г фтористого магния разлагают при кипячении в течение 1 часа с 20 мл соляной кислоты ( пл. Содержимое стакана разбавляют водой, охлаждают и переводят в мерную колбу на 250 мл. После фильтрования отбирают 25 мл фильтрата, добавляют 10 мл аммиачного буферного раствора. [21]

Получающиеся при этом фтористый кальций и фтористый магний очень мало растворимы. [22]

Общий вид неоновой дуговой лампы. [23]

Лампа имеет плоское окно из монокристалла фтористого магния, расположенное на торце колбы. Такая конструкция позволяет вакуумно-плртно присоединять лампу при помощи грибкового уплотнения к камере спектрального прибора для непосредственного попадания излучения в вакуум прибора. [24]

S. Спектральные кривые пропускания фильтров 3 МДМ. / - LiF, 2 - MgF2. [25]

При изготовлении фильтров слои алюминия и фтористого магния наносятся на подложки. Время испарения алюминия - очень существенный параметр установки, так как при медленном испарении ( дольше 2 - 3 сек) снижается коэффициент отражения алюминиевого слоя, а следовательно, коэффициент пропускания фильтра. [26]

Кривые дисперсии фтористого лития ( а и флюорита ( б. [27]

Из кварца, сапфира, флюорита, фтористого магния, фтористого стронция я фтористого лития изготовляются окна для кювет и разрядных трубок при изучении спектров поглощения и испускания в длинноволновой части вакуумной области спектра. [28]

Схематнч. устройство 3. т. с барьерной сеткой. 1 - мсталлпч. подложка ( спгпальиал пластина. и-диэлектрлч. ммшспь. я - Оарьерпан сетка. 4 - коллектор. ft - электронный прожектор с отклоняющей системой. - катод прожектора. [29]

Мишень трубки состоит из тонкого слоя диэлектрика ( фтористый магний, сульфад цинка и др.) на металлич. [30]

Страницы: 1 2 3 4