Материал - база
Cтраница 1
Материал базы имеет проводимость р-тииа, уд. [2]
Материал базы имеет проводимость р-типа, уд. Инжектирующий контакт ( In с небольшой добавкой Те) имеет диаметр 0 1 мм, омический контакт ( In с небольшой добавкой Zn) - диаметр 0 05 мм. [4]
Сопротивление материала базы гб включается последовательно с базовым выводом. Последовательно с эмиттер-ным и коллекторным выводами включены сопротивления их контакта и материала гэ и гк. [5]
В материалах базы знаний, относящихся к составлению морфологических матриц, внимание пользователя особо обращается на то, что эти матрицы являются центральным звеном морфологического метода и поэтому требуют тщательного и внимательного формирования. [6]
 |
Структура р - n - p - n прибора.| Схематическое изображение базовой области гг-типа. [7] |
Влияние изменения проводимости материала базы учесть довольно просто, поскольку этот эффект проявляется тогда, когда роль модуляции из-за расширения трубки тока падает. [8]
 |
Структура ( а, движение носителей заряда ( б, в и потенциальный барьер ( г, д р - п - р-транзистора. [9] |
В зависимости от материала базы различают п - р - п и р - п - р-транзисторы. [10]
Необходимый по множеству Q материал базы знаний соответствует подразделу 3.4 - 4 Назначение критериев качества функционирования системы и их значимости в разделе 3.4 книги. [11]
Необходимый по множеству О материал базы знаний соответствует подразделу 3.4 - 4 Назначение критериев качества функционирования системы и их значимости в разделе 3.4 книги. [12]
С уменьшением удельного сопротивления материала базы Viz уменьшается. [13]
 |
Частотные зависимости модуля коэффициента передачи ( а и фазового сдвига ( б для дрейфового триода. [14] |
Частота / р является функцией свойств материала базы и не зависит от геометрии идеального полупроводникового триода. В реальных триодах следует учитывать то, что на их коэффициент передачи влияет поверхностная рекомбинация. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5