Меза

Cтраница 1

Меза вертепное производство - это предметы труда, которые подверглись обработке па данном участке или в данном цехе, но еще не представляют собой закопченный продукт. В нефтеперерабатывающей промышленности незавершенное производство отсутсгвует, ч го обусловлено непрерывностью и непродолжительностью производственного процесса в этой отрасли. [1]

В диффузионных ( меза - и планарных) диодах это достигается благодаря действию встроенного тормозящего электрического поля, образующегося в базе вследствие неравномерности распределения ионизованных примесей. [2]

Для изготовления мезатриода ( меза по-испански - стол) в приповерхностные области полупроводниковой пластины с обеих сторон вводится диффузией легирующей примеси. С обратной стороны пластины легированный слой сошлифовы-вается. Через щелевой трафарет осаждаются островки металлической пленки, которые служат выводами эмиттерной области и базы. Эмиттерный контакт на пластине кремния наносится из алюминия, а базовый из золота. Нанесенные контакты вплавляются при высокой температуре. Планерная ( плоскостная) технология позволяет осуществить микроминиатюризацию, если участок, несущий на себе базу и эмиттер, защищать при травлении фоторезистом. Такая технология является предшественницей современных методов создания полупроводниковых микросхем. Так, последовательность операций при изготовлении планар-ного триода ( рис. 8 - 1) состоит из получения трехслойной ( п-р - п или р-п - р) области с плоскостями / т-перехо-дов, параллельными поверхности, и металлических контактов, выведенных на эту поверхность. Первый важный этап состоит в проведении диффузии легирующей примеси из поверхностного источника в приповерхностный участок заданной формы, имеющий определенную глубину и размеры в плоскости подложки. [3]

Случай изомерии двуобромленных штровипных кислот и трех аконо-вых ( меза -, цитра -, ита -) кислот не совсем аналогичен предыдущему. [4]

Типичными примерами являются глинистые песчаники Фрио, Тускалуза, Меза Верде, Мадди, Оке Везес месторождений Галф Кост. [5]

Росс, подсчитано Шеллером и Фэйрчайльдом ( 1932 г.), прожилки из Меза Гранде. Ксанда и Мервин ( 1933 г.), кристаллы из Бавено. [6]

По способу создания р-п перехода импульсные диоды подразделяются на точечные, сплавные, меза - и планарно-диффу-зионные. [7]

Полупроводниковые приборы классифицируют по технологии изготовления на сплавные, сплавно-диффу-зионные, диффузионно-сплавные, конверсионные, меза, планарные, эпитаксиальные, эпипланарные, германиевые и кремниевые; по назначению на мощные, маломощные, низкочастотные, высокочастотные, импульсные, переключающие, усилительные, генераторные. [8]

Технология изготовления кремниевого меза-диффузион. [9]

Точная ориентация по оси ( 100) необходима для того, чтобы после получения соответствующих меза-структур расколоть пластину на кристаллы с мезой в середине. [10]

Действительно, одной из главных целей разработки языков высокого уровня, таких, например, как Паскаль [91], Евклид [108], Меза [60], Аль-фард [187], Клу [115], является сделать более трудным написание плохих программ. Реализация этой цели приводит к тому, что более трудным ( хотя и совсем не намного) становится написание любых программ. Однако необходимо отметить, что это усложнение носит чисто механический характер, поскольку связано с необходимостью указания программистом некоторой дополнительной информации. [11]

По технологии изготовления плоскостные диоды и транзисторы делятся на следующие основные разновидности: сплавные, выращенные, поверхностно-барьерные, диффузионно-сплавные, микрос плавные, планарные, эпитаксиальные, меза. [12]

Для отечественных транзисторов приводятся несколько приближенных зарубежных аналогов, отличающихся по электрическим параметрам не более чем в два раза По параметрам и технологии изготовления транзисторов в дальнейшем тексте и таблицах приняты следующие сокращения: С - сплавные; Д - диффузионные; МД - микросплавные диффузионные; СД - сплавно-диффузионные; К - конверсионные; М - меза; П - планарные; ПЭ - планарнр-эпитак-сиальные; Пк - время переключения; Ge - германий; Si - кремний; Ркттгл - максимальная мощность рассеяния на приборе с теп-лоотводом. [13]

Последовательные этапы изготовления меза-транзистора. [14]

Под бинокулярным микроскопом, но, конечно, предварительно пластинка полупроводника травится и разрезается на кусочки по числу бугорков, из которых каждый превращается затем в транзистор. Эти транзисторы называют меза, название, которое в Южной Америке служит для обозначения горных плато с обрывистыми краями. [15]

Страницы: 1 2