Метод - киропулос
Cтраница 1
 |
Схема профилирования монокристаллов с помощью капиллярного формо-образователя. 1 - монокристалл. 2 - пленка расплава. 3 - каштилляры. 4 - расплав. 5 - формообразователь. 6 - тигель. 7 - индуктор. [1] |
Метод Киропулоса, как и метод Чохральского, относится к методам с неограниченным объемом расплава. В отличие от метода Степанова, для реализации метода Киропулоса не используются капиллярные силы. Этот метод заключается в том, что выращивание монокристаллов осуществляется непосредственно в расплаве путем плавного снижения температуры. [2]
Метод Киропулоса [466], близкий по своему принципу к методу Наккена, применим для выращивания монокристаллов веществ с более высокой температурой плавления. Температура расплава в тигле поддерживается несколько выше точки плавления данного вещества. Электропечь обычно закрывается пластинкой 7 из слюды для наблюдения за ростом монокристалла, или же специальной крышкой со смотровым окном. В процессе кристаллизации через эту трубку пропускают поток воздуха или воды для отвода тепла. [4]
Основное преимущество метода Киропулоса заключается в его технической простоте и надежности. Он экономически выгоден, поскольку возможно более эффективное экранирование источника нагрева, сводящее невозвратные потери тепла к минимуму. Метод Киропулоса позволяет выращивать крупные монокристаллы, например, монокристаллы лейкосап-фира весом до 10 - 4 - 20 кг и более. Существенным недостатком метода, однако, является непостоянство скорости выращивания, поскольку теплообмен по мере увеличения массы монокристалла претерпевает изменения, учесть которые технически трудно. Поэтому скорость роста задается заведомо низкой ( для лейкосапфира порядка 2 мм / ч), чтобы избежать возможного образования в монокристаллах различного рода включений, блоков и малоугловых границ. [5]
 |
Способы осуществления направленной кристаллизации. [6] |
К методу Чохральского очень близок метод Киропулоса, отличающийся тем, что рост кристалла осуществляется не вытягиванием затравки из расплава, а усиленным теплоотводом через нее, за счет чего фронт кристаллизации продвигается в глубь расплава. [7]
В работе [41] для выращивания монокристаллов PbsMgNb209 был применен метод Киропулоса, который позволил получить кристаллы хорошего оптического качества и приемлемых размеров. [8]
Согласно соотношению (5.32), распределение примеси в монокристалле при выращивании методом Киропулоса носит явно сложный характер. [10]
 |
Схема установки для выращивания монокристаллов щелочно-галоидных соединений. [11] |
Этот метод обладает еще рядом других преимуществ по сравнению с методом Киропулоса. В частности, он позволяет производить выращивание в вакууме или в атмосфере того или иного газа. [12]
 |
Схема установки для выращивания монокристаллов методом Киропулоса. [13] |
Здесь упомянем лишь о двух методах, наиболее часто применяемых при выращивании люминесцирую-щих монокристаллов для сцинтил-ляторов, лазеров и других целей. Один из них носит название метода Киропулоса. В таких условиях обеспечивается однородность последнего и предотвращается возникновение новых центров кристаллизации. [14]
Метод Киропулоса, как и метод Чохральского, относится к методам с неограниченным объемом расплава. В отличие от метода Степанова, для реализации метода Киропулоса не используются капиллярные силы. Этот метод заключается в том, что выращивание монокристаллов осуществляется непосредственно в расплаве путем плавного снижения температуры. [15]
Страницы: 1 2