Метод - горизонтальная направленная кристаллизация
Cтраница 1
Метод горизонтальной направленной кристаллизации, так же как и другие контейнерные методы выращивания монокристаллов, обеспечивает получение монокристаллов с малым разбросом размеров поперечного сечения. Решение этой важной для технологии полупроводниковых материалов задачи в методах Чохральского и бестигельной зонной плавки, в которых диаметр растущего монокристалла определяется скоростными и тепловыми режимами процесса, требует намного больших усилий. [1]
Метод горизонтальной направленной кристаллизации ( ГНК) представляет собой разновидность метода Бриджмена - Стокбаргера в горизонтальном варианте. Этот метод широко развит в нашей стране благодаря работам X. [2]
 |
Вид сбоку многотрубных установок для кристаллизационной очистки германия методами горизонтальной направленной кристаллизации ( а и зонной плавки ( б. [3] |
Лучшие результаты дает очистка поликристаллического германия методом горизонтальной направленной кристаллизации, проводимой в отдельной печи. [4]
Специфическим источником локальных термических напряжений в монокристаллах, выращиваемых методом горизонтальной направленной кристаллизации, является сцепление поверхностей монокристалла в лодочки - так называемый подлип. В месте подлила в монокристалле возникают области с высокой, доходящей до 105 см-2 плотностью дислокаций. Выходя на фронт кристаллизации, они образуют мозаичную структуру, развитие которой нарушает монокристаллический рост. [5]
Поэтому улучшение дислокационной структуры монокристаллов арсенида галлия, выращиваемых методом горизонтальной направленной кристаллизации, достигается спрямлением фронта кристаллизации и уменьшением осевых градиентов температуры, понижающих уровень термоупругих напряжений. С этой же целью необходимо плавное разращивание монокристалла от затравки, что достигается применением затравок, сечение которых близко к сечению выращиваемого монокристалла. Плотность дислокаций в затравке может быть значительной, однако в них должны отсутствовать малоугловые границы. Для исключения под-липов необходимо применять контейнеры из материала, не смачиваемого кристаллизуемым расплавом. [6]
Особенности тепловых условий выращивания монокристаллов полупроводников, в основном ар-сенида галлия, методом горизонтальной направленной кристаллизации по сравнению с методом Чох-ральского состоят в значительно меньших осевых градиентах температуры и большем времени пребывания монокристалла при высоких температурах. Поэтому область формирования дислокационной структуры в монокристаллах, выращиваемых методом горизонтальной направленной кристаллизации, смещена к более низким температурам, где предпочтительнее образование таких дефектов, как размытые полосы скольжения, дислокационные ячейки и малоугловые границы. [7]
Показано преимущество метода горизонтальной направленной кристаллизации по сравнению с вертикальным методом. [8]
В ИРЭ АН под руководством В. Ф. Золина проведены исследования электронно-колебательных ( ЭК) спектров европия в ИАГ, лютеций-алюминиевом гранате ( ЛАГ) и алюминате иттрия ( АИТ), результаты которых приводятся в настоящем разделе. Монокристаллы граната для этих целей были выращены методом горизонтальной направленной кристаллизации на установке СГВК при вакууме ( Р О. [9]
Особенности тепловых условий выращивания монокристаллов полупроводников, в основном ар-сенида галлия, методом горизонтальной направленной кристаллизации по сравнению с методом Чох-ральского состоят в значительно меньших осевых градиентах температуры и большем времени пребывания монокристалла при высоких температурах. Поэтому область формирования дислокационной структуры в монокристаллах, выращиваемых методом горизонтальной направленной кристаллизации, смещена к более низким температурам, где предпочтительнее образование таких дефектов, как размытые полосы скольжения, дислокационные ячейки и малоугловые границы. [10]
Страницы: 1