Метод - горизонтальная направленная кристаллизация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Когда мало времени, тут уже не до дружбы, - только любовь. Законы Мерфи (еще...)

Метод - горизонтальная направленная кристаллизация

Cтраница 1


Метод горизонтальной направленной кристаллизации, так же как и другие контейнерные методы выращивания монокристаллов, обеспечивает получение монокристаллов с малым разбросом размеров поперечного сечения. Решение этой важной для технологии полупроводниковых материалов задачи в методах Чохральского и бестигельной зонной плавки, в которых диаметр растущего монокристалла определяется скоростными и тепловыми режимами процесса, требует намного больших усилий.  [1]

Метод горизонтальной направленной кристаллизации ( ГНК) представляет собой разновидность метода Бриджмена - Стокбаргера в горизонтальном варианте. Этот метод широко развит в нашей стране благодаря работам X.  [2]

3 Вид сбоку многотрубных установок для кристаллизационной очистки германия методами горизонтальной направленной кристаллизации ( а и зонной плавки ( б. [3]

Лучшие результаты дает очистка поликристаллического германия методом горизонтальной направленной кристаллизации, проводимой в отдельной печи.  [4]

Специфическим источником локальных термических напряжений в монокристаллах, выращиваемых методом горизонтальной направленной кристаллизации, является сцепление поверхностей монокристалла в лодочки - так называемый подлип. В месте подлила в монокристалле возникают области с высокой, доходящей до 105 см-2 плотностью дислокаций. Выходя на фронт кристаллизации, они образуют мозаичную структуру, развитие которой нарушает монокристаллический рост.  [5]

Поэтому улучшение дислокационной структуры монокристаллов арсенида галлия, выращиваемых методом горизонтальной направленной кристаллизации, достигается спрямлением фронта кристаллизации и уменьшением осевых градиентов температуры, понижающих уровень термоупругих напряжений. С этой же целью необходимо плавное разращивание монокристалла от затравки, что достигается применением затравок, сечение которых близко к сечению выращиваемого монокристалла. Плотность дислокаций в затравке может быть значительной, однако в них должны отсутствовать малоугловые границы. Для исключения под-липов необходимо применять контейнеры из материала, не смачиваемого кристаллизуемым расплавом.  [6]

Особенности тепловых условий выращивания монокристаллов полупроводников, в основном ар-сенида галлия, методом горизонтальной направленной кристаллизации по сравнению с методом Чох-ральского состоят в значительно меньших осевых градиентах температуры и большем времени пребывания монокристалла при высоких температурах. Поэтому область формирования дислокационной структуры в монокристаллах, выращиваемых методом горизонтальной направленной кристаллизации, смещена к более низким температурам, где предпочтительнее образование таких дефектов, как размытые полосы скольжения, дислокационные ячейки и малоугловые границы.  [7]

Показано преимущество метода горизонтальной направленной кристаллизации по сравнению с вертикальным методом.  [8]

В ИРЭ АН под руководством В. Ф. Золина проведены исследования электронно-колебательных ( ЭК) спектров европия в ИАГ, лютеций-алюминиевом гранате ( ЛАГ) и алюминате иттрия ( АИТ), результаты которых приводятся в настоящем разделе. Монокристаллы граната для этих целей были выращены методом горизонтальной направленной кристаллизации на установке СГВК при вакууме ( Р О.  [9]

Особенности тепловых условий выращивания монокристаллов полупроводников, в основном ар-сенида галлия, методом горизонтальной направленной кристаллизации по сравнению с методом Чох-ральского состоят в значительно меньших осевых градиентах температуры и большем времени пребывания монокристалла при высоких температурах. Поэтому область формирования дислокационной структуры в монокристаллах, выращиваемых методом горизонтальной направленной кристаллизации, смещена к более низким температурам, где предпочтительнее образование таких дефектов, как размытые полосы скольжения, дислокационные ячейки и малоугловые границы.  [10]



Страницы:      1