Механизм - травление
Cтраница 1
 |
Характеристики установки магне-тронного реактивно-ионного травления. [1] |
Механизм травления в плазме методом реактивного ионного травления сложен и зависит от материала и структуры слоев. Виды газов, которые используются для травления типичных материалов, применяемых в технологии изготовления БИС, представлены в табл. 4.12. В электрическом разряде молекулы газа разлагаются, образуются молекулы, ионы и радикалы, а в случае добавления примесей образуются дополнительные виды молекул, атомов и ионов. Эти частицы исследуются методом масс-спектрометрии. При соударении частиц с лицевой поверхностью образца может происходить адсорбция, разложение, реакция, десорбция, а при бомбардировке ускоренными ионами - распыление. Эффективность этих процессов различна в зависимости от угла падения частиц. Распыленные вещества могут также вновь сорбироваться на другом участке. Образованные в результате реакций вещества создают большие молекулы, которые также могут сорбироваться на другом участке. Следовательно, в каждом отдельном случае необходимо изучать механизм и разрабатывать технологию формирования определенного рисунка. [2]
Механизм травления стали Х18Н10Т в акустическом поле отличается от травления углеродистой стали отсутствием газообразных продуктов реакции и высокой коррозионной стойкостью окисной пленки. Химическое травление стали Х18Н10Т обычно производится в два этапа. На первом этапе осуществляется обработка металла при 400 С в расплаве щелочи, содержащем 65 % NaOH, 30 % NaNO3 и 5 % NaCl. В результате обработки в щелочи окалина становится рыхлой и пористой. На втором этапе производится химическое травление окалины при 20 - 30 С в водных растворах, содержащих азотную и плавиковую кислоты. [3]
Механизм травления титана в щелочных расплавах и кислотных растворах изучен очень мало. [4]
Механизм травления стали в серной и соляной кислоте идентичен, различие состоит лишь в разном соотношении количества растворенной окалины к растворенному металлу, что является следствием химических свойств этих кислот. [5]
 |
Схема установки для травления полимеров в линейном высокочастотном безэлектродном газовом разряде.| Схематическое изображение устройства колонны микроскопа просвечивающего типа. [6] |
Таким образом, механизм травления в газовом разряде можно представить как результат деструкции макромолекул на осколки под воздействием активных частиц плазмы, энергия которых должна быть сравнима с энергией химической связи скелетных атомов. [7]
Физический и химический механизмы реактивного ионно-плаз-менного травления взаимосвязаны и не обладают аддитивными свойствами. Взаимосвязь проявляется в том, что физическое распыление, активируя поверхность материала, способствует повышению скорости химических реакций, которые в свою очередь ослабляют химические связи поверхностных атомов и тем самым повышают эффективность физического распыления. При совместном воздействии обоих механизмов эффективность травления намного превышает суммарный результат травления при действии этих механизмов порознь. Соотношение между вкладами, вносимыми физическим и химическим процессами в операцию травления, определяется типом и давлением рабочего газа, энергией ионов, особенностями конструкции системы и другими факторами. Большую роль здесь играет химическая активность частиц, обрабатывающих материал. В низкотемпературной плазме низкого давления степень ионизации обычно не превышает десятые доли процента, тогда как концентрация незаряженных химически активных частиц может составлять десятки процентов. [8]
Таким образом, механизм травления поверхности кристаллов ИАГ при выращивании кристаллов в условиях вакуума подтверждает предположение об эвтектической природе соединений, протравливающих бороздки на поверхности кристаллов. [9]
Механизм растворения окалины в соляной кислоте принципиально отличен от механизма травления в серной кислоте. Соляная кислота в отличие от серной быстро растворяет окислы, входящие в состав окалины. [10]
Для нахождения оптимальных режимов травления пленок из ПЭТФ необходимо знать механизм травления, причины образования шероховатой поверхности и зависимость величины шероховатости от времени, температуры, термодинамических параметров среды и структуры полимера. [11]
В зависимости от вида материала, состава травителя и условий травления принято различать два механизма травления полупроводников в растворе в отсутствие внешнего источника тока: электрохимический и химический. [12]
 |
Растворимость металлов. [13] |
При травлении плазменным способом с помощью цилиндрическо го генератора не удается избежать некоторого подтравливания, поскольку механизм травления близок к механизму химической реак ции. С другой стороны, при травлении разбрызгиванием с помощью плоско параллельного генератора обеспечивается определенная на-правленность и величина подтравливания незначительна. Исследуется также способ ионного травления, близкий по механизму к физическому взаимодействию. [14]
Но такое представление о травлении полупроводников, в частности германия, не раскрывает механизма процесса травления. При таком механизме травления поверхность германия была бы идеально гладкой и однородной и ее состояние не зависело бы от наличия микропримесей. При этом также не должны были бы выявляться дислокации. [15]
Страницы: 1 2