Cтраница 1
Гибридная интегральная микросхема - микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы. [1]
Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме. [2]
Гибридная интегральная микросхема, сделанная на основе бескорпусных полупроводниковых приборов, является окончательным изделием. [3]
Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС. Подготовка персонала для производства ГИС сравнительно проста. [4]
Гибридная интегральная микросхема представляет собой устройство, часть элементов которого ( обычно пассивные элементы) изготовлена в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрического материала. [5]
Гибридные интегральные микросхемы ( ГИС) представляют собой сочетание навесных активных радиоэлементов ( микротранзисторов, диодов) и пленочных пассивных элементов и их соединений. Такую изготовленную ГИС герметизируют в пластмассовом или металлическом корпусе. [6]
Часть пленочной интегральной /. С-микросхемы. [7] |
Гибридные интегральные микросхемы позволяют снизить потребляемую мощность, повысить быстродействие, улучшить электромагнитную совместимость из-за сокращения длины соединительных линий, уменьшить восприимчивость узлов к помехам за счет уменьшения индуктивности и емкости линий, что, в свою очередь, повышает надежность аппаратуры. [8]
Гибридные интегральные микросхемы сочетают преимущества пленочной и полупроводниковой технологий. Резисторы и конденсаторы, выполненные методом пленочной технологии, при малой занимаемой площади имеют большие номиналы, малые температурные изменения параметров и малый разброс параметров. [9]
Гибридная интегральная микросхема содержит пленочные пассивные элементы и навесные компоненты. На рис. 1.4, а представлена структура простейшей гибридной микросхемы. [10]
Варианты структур полупроводниковых интегральных микросхем с различным выполнением пассивных элементов ( а, б и эквивалентная схема этих структур ( в. [11] |
Гибридная интегральная микросхема - это интегральная микросхема, часть которой может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. [12]
Гибридная интегральная микросхема - интегральная микросхема, пассивные элементы которой выполнены посредством нанесения различных пленок на поверхности диэлектрической подложки из стекла, керамики, ситалла или сапфира, а активные элементы - бескорпусные полупроводниковые приборы. [13]
Гибридные интегральные микросхемы ( ГИМС) - микросхемы, представляющие собой подложку, на которую напыляют резисторы и проводники в виде пленки, получая таким образом плату. Конденсаторы и другие приборы, изготовленные отдельно, прикрепляют к подложке и присоединяют к предусмотренным на ней контактным площадкам. [14]
Гибридная интегральная микросхема - МС, содержащая кроме элементов компоненты и ( или) кристаллы. Элементами гибридной МС обычно являются резисторы и конденсаторы постоянной емкости с относительно малыми емкостями ( иногда катушки с малыми индуктивностями), образуемые электропроводящими и диэлектрическими пленками, нанесенными на поверхность подложки, а компонентами - бескорпусные транзисторы, диоды и конденсаторы относительно больших емкостей. Выводы компонентов электрически соединены с элементами и межэлементными проводниками с применением специальных технологических приемов - ультразвуковой сварки, термокомпрессии. [15]