Cтраница 1
Молекулы остаточного газа, находясь в вакуумной камере в беспорядочном движении, ударяются о любой участок поверхности, в том числе и о подложку. [1]
Здесь молекулы остаточных газов и пробного газа ( гелия) подвергаются ионизации. [2]
Более того, молекулы остаточного газа сильно поглащаются активированным геттером. Таким образом, автокатод предохраняется от ионной бомбардировки и получается стабильный электронный пучок. [3]
Одновременно ионизации подвергаются молекулы остаточных газов, которые также ионизируются и тем самым создают дополнительную погрешность измерения. Чтобы измерить каждый в отдельности ток, обусловленный ионизацией испаряемых частиц и ионизацией молекул остаточных газов, поток испаряемых частиц модулируется металлической заслонкой, вращающейся с постоянной частотой. [4]
Определим теперь концентрацию молекул остаточного газа в пролетном пространстве при давлении р10 - 5 мм рт. ст. и температуре 7 400 К, обычных под колпаком вакуумной камеры. [5]
Значительное превышение концентрации молекул остаточного газа опасно с точки зрения возможного химического взаимодействия с испаряемым веществом. Только при давлении меньше чем р10 - 7 мм рт. ст., число молекул пара начинает превышать число молекул остаточного газа. [6]
Адсорбированные на поверхности молекулы остаточных газов могут влиять двояко на коэффициент конденсации. Если количество адсорбированных молекул мало и не образует монослоя, то они, отбирая часть энергии у конденсирующихся атомов, могут увеличить значения а. [7]
Количество тепла, переносимого молекулами остаточного газа, существенно зависит также от установления. [8]
Количество тепла, переносимого молекулами остаточного газа, существенно зависит также от установления теплового равновесия при столкновениях молекул газа с граничными стенками. [9]
Столкновение пучка ионов с молекулами остаточного газа приводит также к перезарядке, которая будет рассмотрена в гл. [10]
Для создания еще большего вакуума молекулы остаточного газа ионизуются путем бомбардировки электронами, а затем крепко вбиваются электрическим полем в стенки и остаются там. [11]
Не все попавшие на подложку молекулы остаточных газов остаются на ее поверхности. Значительная часть молекул покидает приемную поверхность в результате теплового движения и соударения с атомами испаряемого вещества. Однако при диссоциации молекул газа могут образовываться достаточно устойчивые соединения как с материалом подложки, так и с наносимыми слоями, что приводит к нестабильности и невоспроизводимости физико-химических и электрических свойств пленок. [12]
Для уменьшения загрязнения напыляемых пленок молекулами остаточных газов необходимо поддерживать в процессе испарения высокий вакуум в камере или применять форсированный режим испарения. Следует иметь в виду, что давление остаточных газов в вакуумной камере не сохраняется постоянным в процессе напыления, а изменяется как показано на рис. 7.8. Перед напылением после откачки в рабочей камере устанавливается давление ро. После включения испарителя и разогрева арматуры начинается процесс интенсивного газовыделения из разогретых частей арматуры. При этом давление остаточных газов заметно возрастает и спустя некоторое время достигает максимума, а затем начинает снижаться, что объясняется геттерирующими свойствами пленки испаряемого вещества, напыляемой на внутреннюю поверхность камеры и арматуры. При этом возрастает и спустя некоторое время достигает максимума, а затем начинает сни-чить осаждение испаряемого вещества на подложку в период неустойчивого давления ее закрывают заслонкой, которая затем после установления нормального давления может быть сдвинута без нарушения вакуума. [13]
При этом адсорбированные на поверхности анода молекулы остаточного газа испаряются, поверхность анода дегазуется, а геттер активизируется. [14]
Объясняется это тем, что на движение молекул остаточного газа оказывает влияние движение молекул пара. Вследствие направленности парового потока от поверхности испарения к поверхности конденсации, он захватывает молекулы газа и оттесняет их к последней, а отсюда далее в направлении к месту отсоса газа из аппарата. Но во всяком случае давление остаточного газа является главным фактором, определяющим скорость перехода молекул с поверхности испарения к поверхности конденсации. С его уменьшением скорость молекулярной дестилляции растет. [15]