Эмиттерная навеска

Cтраница 1

Эмиттерная навеска, состоящая из сплава ( In Ga Sb), располагается с одной стороны продолговатой лунки, базовая навеска, состоящая из сплава ( Pb Sb) - с другой стороны лунки. Во время вплавления сурьма из эмиттерной навески диффундирует в базовую область, создавая неравномерное распределение примеси, а вплавление индия и галлия ведет к образованию эмиттерной области, обладающей дырочной проводимостью. Расплавление базовой навески ведет к образованию невыпрямляющего контакта с базовой областью. [1]

Во время вплав-ления из эмиттерной навески происходит диффузия сурьмы, а индий и галлий при рекристаллизации дают р-область эмиттера. [2]

Диффузия примесей происходит из эмиттерной навески, находящейся в расплавленном состоянии. Транзисторы, полученные таким методом, называют сплавными диффузионными. [3]

Сплавно-диффузионный транзистор. [4]

Диффузия примесей происходит из эмиттерной навески, находящейся в расплавленном состоянии. Транзисторы, полученные таким методом, называют сплавно-диффузионными. [5]

Сплавно-диффузионный транзистор. [6]

Для изготовления сплавно-диффузионного транзистора на основе германия р-типа в эмиттерную навеску вводится сурьма, имеющая большой коэффициент диффузии, и индий, у которого коэффициент диффузии мал. При вплавлении такой навески сурьма диффундирует из нее на довольно большую глубину, а индий - на малую. Из-за разных растворимостей концентрация индия в рекристалли-зованной области оказывается много большей, чем сурьмы. Таким образом образуется распределение примесей, близкое к идеальному для дрейфового транзистора. При такой технологии требования к состоянию поверхности исходной пластинки значительно ниже, чем при чисто диффузионной, так как эмиттерная навеска проплавляет пластинку полупроводника на некоторую глубину и диффузия происходит в места, не нарушенные поверхностной обработкой. [7]

Схема технологического процесса изготовления сплавного диффузионного триода. [8]

Например, при изготовлении триода на основе германия р-типа в эмиттерную навеску вводится сурьма, имеющая большой коэффициент диффузии, и индий, у которого коэффициент диффузии мал. При плавлении такой навески сурьма диффундирует из нее на довольно большую глубину, а индий-на малую. [9]

Для изготовления сплавного диффузионного транзистора на основе германия р-типа в эмиттерную навеску вводится сурьма, имеющая большой коэффициент диффузии, и индий, у которого коэффициент диффузии мал. При плавлении такой навески сурьма диффундирует из нее на довольно большую глубину, а индий - на малую. Из-за разных растворимостей концентрация индия в рекри-сталлизованной области оказывается много большей, чем сурьмы. Таким образом, образуется распределение примесей, близкое к идеальному для дрейфового транзистора. [10]

При такой технологии требования к состоянию поверхности исходной пластинки значительно ниже, чем при чисто диффузионной, так как эмиттерная навеска проплавляет пластинку полупроводника на некоторую глубину и диффузия происходит в места пластинки, не нарушенные поверхностной обработкой. [11]

Медь отличается высоким коэффициентом диффузии в германии, благодаря этому при вплавлении эмиттера происходит диффузия меди из германия в эмиттерную навеску. Такой метод позволяет получать тонкие базовые слои большой площади, а следовательно, изготовлять мощные высокочастотные транзисторы. [12]

Схема технологического процесса изготовления сплавно-диффузиошюго транзистора. [13]

Эмиттерная состоит из сплава In Ga Sb, а базовая - из сплава Pb Sb. Во время вплавления из эмиттерной навески происходит диффузия сурьмы, а индий и галлий при рекристаллизации дают р-область эмиттера. [14]

Сплавной диффузионный транзистор. [15]

Страницы: 1 2