Повышение - общее давление
Cтраница 1
Повышение общего давления способствует образованию более тяжелых продуктов. [1]
 |
Зависимость вязкости воды. [2] |
Повышение общего давления от 100 до 150 кгс / см2 практически не влияет иа вязкость карбонизированной воды. [3]
Повышение общего давления над ТВД при снижении частоты вращения вызвано ростом перепада давления в винтовой паре двигателя. [4]
 |
Влияние продолжительности реакции и концентрации ионов палладия в катализатор-ном растворе на выход винилацетата и отношение ацетальдегид. [5] |
Повышение общего давления до ионов Си и С1): 30 кгс / см2 ( 2 94 МН / м2) вызывает повышение выхода винилацетата и снижение выхода этилидендиацетата. Дальнейшее повышение давления практически не оказывает влияния. [6]
Повышение общего давления до 3 МПа вызывает увеличение выхода винилацетата и снижение выхода этилидендиацетата. Дальнейшее повышение давления практически не оказывает влияния. [7]
 |
Схема оптического квантового генератора на смеси газов гелия и неона с внешними зеркалами.| Зависимость мощности излучения гелий-неонового ОКГ от тока накачки. [8] |
Повышение общего давления газовой смеси до 130 - 260 Па сопровождается увеличением мощности генерации. Этот процесс обусловливается повышением концентрации активных частиц и ростом населенности возбужденных состояний. При больших давлениях смеси кинетическая тепловая энергия электронов падает, что приводит к уменьшению числа активных электронов. [9]
С повышением общего давления в системе содержание NH3 в парогазовой фазе, равновесной с жидкостью, снижается, а равновесная температура и содержание С02 возрастают. Влияние давления на равновесную температуру системы можно учесть при расчете свободных членов полиномов ( 11), аппроксимирующих зависимость равновесной температуры системы от состава; соответствующие уравнения даны ниже в разделе, посвященном определению температуры кипения жидкостей. [10]
С повышением общего давления в объеме аппарата у поверхности сублимируемого вещества образуется пограничный слой, препятствующий испарению; при этом чем толще пограничный слой, тем больше молекул возвращается обратно на поверхность испарения, тем медленнее происходит сублимация. Чтобы интенсифицировать процесс сублимации при таких условиях, необходимо либо разрушить пограничный слой над сублимируемым веществом, либо максимально уменьшить его толщину. [11]
С повышением общего давления парциальное давление пара ZrI4 быстро растет, давление же иода меняется мало. При температуре нити 1600 К и общем давлении 5 4 мм рт. ст. давление пара ZrI4 становится равным давлению паров иода. Давление паров ZrI4 2 7 мм рт. ст. над твердым тетраиодидом достигается при 282 С. Следовательно, в зоне образования ZrI4 должна поддерживаться такая температура. Эти условия соответствуют оптимальным, найденным экспериментально. Другой температуре нити должно соответствовать и другое общее давление. [12]
С повышением общего давления в объеме аппарата у поверхности сублимируемого вещества образуется пограничный слой, препятствующий испарению; при этом чем толще пограничный слой, тем больше возвращается молекул обратно на поверхность испарения, тем медленнее происходит сублимация. Чтобы интенсифицировать процесс сублимации при таких условиях, необходимо либо разрушить пограничный слой над сублимируемым веществом, либо максимально уменьшить его толщину. [13]
С повышением общего давления парциальное давление пара тетраиодида циркония быстро растет, давление же иода изменяется мало. При температуре нити 1600 К и общем давлении 5 4 мм рт. ст. давление пара тетраиодида становится равным давлению паров иода. Давление паров ZrI4 2 7 мм рт. ст. над твердым тетраиодидом достигается при 282 С. Следовательно, в зоне образования ZrI4 ( у стенок аппарата) должна поддерживаться такая температура. Эти условия соответствуют оптимальным, найденным экспериментально. Другой температуре нити должно соответствовать и другое общее давление. [14]
С повышением общего давления парциальное давление пара ZrI4 быстро растет, давление же иода меняется мало. При температуре нити 1600 К и общем давлении 5 4 мм рт. ст. давление пара ZrI4 становится равным давлению паров иода. Давление паров ZrI4 2 7 мм рт. ст. над твердым тетраиодидом достигается при 282 С. Следовательно, в зоне образования ZrI4 должна поддерживаться такая температура. Эти условия соответствуют оптимальным, найденным экспериментально. Другой температуре нити должно соответствовать и другое общее давление. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5