Cтраница 1
Принципиальная схема массивной залежи в тектоническом ( структурном. [1] |
Совершенно иное положение наблюдается в массивных резервуарах. В мощных толщах пород, являющихся единым природным резервуаром, углеводороды, попав в них, стремятся подняться кверху, скапливаясь над кровлей резервуара там, где кровля образует возвышающиеся выступы. Внутрирезер-вуарная миграция имеет здесь преимущественно вертикальное направление. Для массивных залежей характерно вполне закономерное распределение газа, нефти и воды внутри резервуара по их удельным весам. [2]
Совершенно иное положение с инфильтрацией воздуха через уплотнение притворов окон и дверей, которая часто весьма заметно ухудшает тепловой режим зданий и увеличивает тепловые потери. Так, при скорости ветра 8 м / с количество инфильтрующего воздуха равно 8 м3 / ч через 1 м притвора окна. [3]
Совершенно иное положение существует при поглощении первых порций газа. Исследования этого явления показали, что при поглощении первых порций газа наряду с физическими факторами во многих случаях действуют и чисто химические. Так, например, поглощение первых порций кислорода углем и многими металлами сопровождается образованием соединений его с наиболее активными атомами поверхности адсорбента. Для правильного понимания этого процесса необходимо учесть, что различные атомы поверхностного слоя адсорбента находятся в не вполне одинаковых условиях. Это происходит хотя бы уже вследствие того, что твердая поверхность, в особенности у хорошего адсорбента, не является гладкой, а имеет многочисленные микроскопические выступы и углубления. [4]
Совершенно иное положение возникает при решении неформальны. В этом случае, как правило, отсутствует какой-либо эффективны. [5]
Совершенно иное положение имеет место для кристаллов, ограниченных другими плоскостями. [6]
Совершенно иное положение в квантовой теории, согласно которой возможны переходы между состояниями не только непрерывного, но и дискретного спектра. Теперь состояния с отрицательной энергией не могут быть механически исключены, так как вероятность перехода между уровнями с энергией - J - т с2 и - т0с2 оказывается отличной от нуля. [7]
Совершенно иное положение создается в случае диодов диапазона миллиметровых волн. [8]
Совершенно иное положение в молекуле этилена, где существует двойная связь, которая мешает свободному вращению и делает структуру жесткой. Так, известны два изомерных дихлорэтилена. Структура а соответствует цисЛ 2-дихлорэтилену, а структура б - гране-форме. [9]
Совершенно иное положение складывается при возникновении осевой игры вала. В этом случае щетки сходят с приработанных участков и периодически происходит резкое уменьшение площади контакта. Совершенно естественно, что это ведет к перегрузке контакта и нарушению нормальной работы щеток. При относительно большой глубине кольцевого углубления с прямыми краями при боковых ударах происходит излом краев щеток. Основной профилактической мерой в этом случае будет устранение или снижение осевой игры вала, которая нежелательна ни при каких условиях. [10]
Совершенно иное положение имеет место при помещении вещей в автоматические камеры хранения самообслуживания. Договор хранения непременно предполагает передачу вещей хранителю и их последующий возврат поклажедателю ( Комментарий к ГК РСФСР. Верховный Суд РСФСР признал, что договор, заключенный при пользовании автоматической камерой хранения, представляет собой не договор хранения, а договор имущественного найма, поскольку в таких случаях станция не принимает от граждан имущество, а лишь предоставляет место для кратковременного хранения ручной клади ( Бюллетень Верховного Суда РСФСР, 1980, № 10, с. В соответствии с Правилами пользования автоматическими камерами хранения самообслуживания ответственность железной дороги при пропаже вещей из ячейки наступает только при неисправности запирающих устройств ячейки, а также при наличии иных обстоятельств, свидетельствующих о вине железной дороги. Тайну шифра обязан хранить владелец вещей. [11]
Совершенно иное положение получается при охлаждении насыщенных рассолов, полученных путем концентрирования указанных вод. При охлаждении до 0 и ниже рассолов, насыщенных по NaCl, они становятся насыщенными и мирабилитом, который выделяется в осадок. Однако количество выделяющегося мирабилита будет различным и зависит от состава рассола. [12]
Совершенно иное положение в случае границы электрод - раствор, где можно легко изменить энергетический барьер, изменяя межфазный скачок потенциала. Следовательно, эффективная работа выхода фотоэлектрона зависит от потенциала электрода. Фотоэлектрическая работа выхода из ртути в вакуум составляет 4 50 в. Таким образом, если пренебречь влиянием, которое оказывают на фотоэмиссию с границы металл - раствор ориентированные диполи и адсорбированные ионы, эмиссия при потенциале электрокапиллярного максимума должна начинаться с длины волны, равной 2750 А. Эта приближенная оценка прекрасно соответствует экспериментальным результатам, приведенным в настоящей работе. [13]
Совершенно иное положение имеет место при низком напряжении. Действующее значение тока в течение полупериода не может определяться по приведенной выше формуле. Поэтому - определение разрывной способности, принятое для аппаратуры высокого напряжения, непригодно для аппаратуры низкого на-лряжения. [14]
Совершенно иное положение существует при поглощении первых порций газа. Исследования этого явления показали, что при поглощении первых порций газа наряду с физическими факторами во многих случаях действуют и чисто химические. Так, например, поглощение первых порций кислорода углем и многими металлами сопровождается образованием соединений его с наиболее активными атомами поверхности адсорбента. Для правильного понимания этого процесса необходимо учесть, что различные атомы поверхностного слоя адсорбента находятся в не вполне одинаковых условиях. Это происходит хотя бы уже вследствие того, что твердая поверхность, в особенности у хорошего адсорбента, не является однородной, так как адсорбент состоит обычно из сростков большого числя очень мелких кристалликов, беспорядочно расположенных. Поэтому поверхность адсорбента имеет многочисленные микроскопические выступы и углубления. [15]