Введенное представление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Никому не поставить нас на колени! Мы лежали, и будем лежать! Законы Мерфи (еще...)

Введенное представление

Cтраница 1


Введенное представление подразумевает использование максимальной величины КИН Кг в цикле нагружения ( / Стах) в описании роста трещин. Они формируются при доминировании роли поперечного сдвига Кщ, возникающего при перемещении берегов трещины в условиях скручивания. В момент перехода к этапу разрушения при существенном возрастании и доминировании скосов от пластической деформации следует учитывать влияние поперечного сдвига.  [1]

2 Получение границ зерен путем мысленных разрезов. а - б - получение равновесной границы ( берега разреза склеиваются без деформации. в - г и о - е - получение неравновесных границ ( при стыковке кристаллов необходима их деформация - изгиб и растяжение-сжатие соответственно. д, ж - схемы комплексов ЗГД, создающих такой же характер упругих искажений, как на г, е. [2]

Введенное представление о неравновесной структуре границ относится к континуальной среде. Однако полагая, что границы зерен имеют кристаллографически упорядоченное строение, в качестве источников упругих полей необходимо рассматривать дискретные нарушения этого строения - ЗГД и их комплексы. В представленных на этих рисунках случаях освобождение границы от упругих полей ( возврат) может произойти путем удаления из нее ЗГД.  [3]

Введенное представление сочетает в себе два достоинства: оно хорошо структурировано и хорошо воспринимается. Чтобы оградить пользователя от излишних деталей, связанных с представлением предикатам придается способность извлекать отдельные компоненты из общей структуры.  [4]

Введенные представления о волновом фронте как совокупности источников вторичных элементарных волч и описание волнового процесса как наложения этих вторичных волн оказались справедливы не только для световых, но и для любых волновых процессов независимо от их природы, и сохранили свое значение до настоящего времени.  [5]

Недостатком введенного представления условного выражения в потоковой сети является необходимость вычисления обеих его альтернатив.  [6]

7 Расчетная структура процесса с сегрегацией. [7]

В рамках введенных представлений могут быть рассмотрены не только непрерывные, но и периодические процессы.  [8]

Рассмотрим сущность введенного представления.  [9]

10 Распределение электронов. в оболочках атомов С, N и О ( а. оболочках иона F и атома Ne ( б. [10]

Таким образом, при помощи введенных представлений может быть изображена конфигурация любого атома, находящегося в основном или возбужденном электронном состоянии. Она определяется тем, какие атомные орбитали заполнены электронами и каковы числа заполнения этих орбиталей.  [11]

Не следует смешивать понятия пристеночного, ламинарного подслоя в трубе с ранее введенным представлением о ламинарном пограничном слое.  [12]

Эти уравнения были получены Хюккелем еще в 1931 г. совершенно иным путем, построенным на ассоциациях с формализмом теории Слэтера и Блоха для описания поведения электронов в металле. Однако основной идеей метода, не вытекающей из какой-либо теорий, является впервые введенное представление о возможности раздельного рассмотрения а и я-электронов, что определяется различиями в симметрии их орбиталей. Лишь значительно позже были даны теоретические обоснования а, я-разделе-ия, которых мы коснулись в гл.  [13]

Уравнение ( 84) при граничных условиях ( 85) представляет нелинейное дифференциальное уравнение третьего порядка в частных производных, обладающее свойством универсальности в том смысле, что оно и соответствующие ему граничные условия имеют один и тот же вид для любых аналитических заданий распределений скорости U ( х) на внешней границе пограничного слоя. Это особое свойство уравнения ( 84) и граничных условий ( 85) является прямым следствием введенного представления об обобщенном подобии движений в пограничном слое.  [14]

В ( 100) введено обозначение Д для вероятностей чисел заполнения оболочек иона. В энергии U учтено электростатическое взаимодействие между связанными электронами. Введенное представление для F предполагает, что флуктуациями чисел заполнения дискретных уровней можно пренебречь.  [15]



Страницы:      1    2