Прилипание - электрон
Cтраница 1
Прилипание электронов к молекулам наблюдается в атмосфере кислорода, водорода, паров воды, оксида и двуоксида углерода, шестифтористой серы и в других газах. Обычно это явление наблюдается в газах, внешняя электронная оболочка ( орбита) атомов которых почти заполнена. [1]
 |
Зависимость скорости дрейфа электронов от температуры. [2] |
Прилипание электронов с низкой энергией ( тепловых электронов) к молекулам газа может - быть выражено в виде коэффициента а. [3]
Прилипание электрона может произойти в результате радиационного захвата электрона нейтральным атомом, сопровождающегося излучением энергии. Благодаря большому числу внутренних степеней свободы молекулы обладают наибольшими возможностями выполнить роль третьего тела. Электрон может прилипнуть к молекуле с затратой избытка энергии на диссоциацию этой молекулы. [4]
Прилипание электронов к молекулам наблюдается в атмосфере кислорода, водорода, паров воды, окиси и двуокиси углерода, шестифтористой серы и в других пазах. Обычно это явление наблюдается в газах, внешняя электронная оболочка ( орбита) атомов которых почти заполнена. [5]
Энергия прилипания электронов в этих органических средах оценивается в 0.5 - 1 эв. [6]
Процессы прилипания электронов могут привести к тому, что переохлажденная плазма будет состоять из положительных и отрицательных ионов. При этом, однако, следует учитывать наличие микрополей, которые приводят к уменьшению энергии отрыва электрона от отрицательного иона. Чем меньше энергия связи отрицательных ионов, тем меньшие концентрации заряженных частиц требуются для их разрушения. [7]
 |
Схемы рекомбинации положительного иона с электроном ( а и отрицательным ионом ( б. [8] |
Поскольку при прилипании электронов к молекулам электроотрицательных газов выделяется энергия, то для отрыва прилипшего электрона необходимо, чтобы отрицательный ион поглотил энергию, равную энергии сродства. По этой причине отрицательные ионы газов с положительной энергией сродства устойчивы. Наоборот, газы с отрицательным значением энергии сродства не могут образовать устойчивого отрицательного иона, так как внутренняя энергия молекулы всегда стремится к минимуму, который достигается при высвобождении случайно прилипшего электрона. [9]
Примесные уровни и места прилипания электронов являются источниками, откуда поле особенно легко черпает дополнительные электроны. Чем больше таких уровней, тем более заметно влияние сильного поля. [10]
Гашение разряда за счет прилипания электронов является эффективным процессом, особенно при добавлении в разрядник водорода, кислорода, азота, галогенов или их соединений. Эксперименты [228] с мощностями вплоть до 200 кет в диапазоне 3 - 35 Ггц показали, например, что при начальном заполнении разрядной трубки аргоном при давлении 11 мм рт cm, добавление водорода при парциальном давлении 1 мм рт. ст. уменьшает время восстановления1 с 200 до 4 мксек. Являясь эффективным гасящим агентом, водород, однако, слишком быстро улетучивается, этот недостаток можно устранить при непрерывном пополнении водорода, для чего служат водородистые соединения титана. [11]
Примесные уровни и места прилипания электронов являются источниками, откуда поле особенно легко черпает дополнительные электроны. Чем больше таких уровней, тем более заметно влияние сильного поля. [12]
Известно, например, что прилипание электрона к электроотрицательной молекуле кислорода или хлора происходит после большого числа столкновений. Только одна из сотен тысяч таких встреч заканчивается прилипанием. Аналогичные условия должны иметь место и в твердом теле. Вероятность рекомбинации определяется произведением вероятности встречи на вероятность процесса прилипания при состоявшейся встрече. Одной мгновенной пространственной близости и наличия избытка энергии еще недостаточно для перехода свободного электрона на один из квантовых уровней. Электрон редко рекомбцнирует непосредственно с дыркой. Практически электрон или дырка закрепляются только на примесях или дефектах решетки, и здесь же происходит взаимная нейтрализация заряда. [13]
Отрицательные ионы в ионизационной камере образуются вследствие прилипания электронов к нейтральным атомам или молекулам, с которыми они сталкиваются. Этот процесс характеризуют коэффициентом прилипания, определяющим вероятность присоединения электрона к нейтральному атому или молекуле при отдельном соударении. Значение этого коэффициента сильно колеблется в зависимости от рода газа; кроме того, он зависит от энергии электронов и, следовательно, от напряженности электрического поля. [14]
Таким образом, при малых 5 влияние прилипания электронов практически не оказывает влияния на развитие процессов ударной ионизации. [15]
Страницы: 1 2 3 4