Величина - приращение
Cтраница 1
 |
Изменение энтальпии / / ( внутренней энергии вещества при повышении температуры и при фазовых переходах. [1] |
Величина приращения определяется молярной теплоемкостью со - ответствующей фазы. При фазовом переходе энталь - пия изменяется скачкооб - разно. Так как теплота, затрачиваемая на фазовый переход, не расходуется на повышение температуры, ее называют скрытой теплотой. [2]
 |
Схема приращения. [3] |
Величина приращения 6 обеспечивается включением дифференциала ( включение муфты Мх и выключение муфты Л / о), вследствие чего от вала XI через сменные колеса гитары дифференциала а, - Ь2 и с. XXIV и червячную передачу 1 - 30 вращение передается водилу дифференциала; закрепленное на валу XXV коническое колесо 23 получает некоторое ускорение или замедление, которое и приводит к необходимому результату. [4]
 |
Вспомогательный график для. [5] |
Величина приращения мало зависит от концентрации NH3 в растворе, но падает с ростом степени карбонизации раствора. Присутствие NaCl в жидкости не оказывает существенного влияния на равновесный состав газа. [6]
Величина приращения Д 3 определяет погрешность воспроизведения суммы Z. [7]
Величина приращения может быть как положительной, так и отрицательной. Однако она не должна равняться нулю, так как это может привести к бесконечному повторению цикла. При Ду 0 конечное значение еа должно быть не меньше начального - ei, при Ду О должно выполняться обратное соотношение. [8]
Величина приращения АФ, однако, остается неизменной. Шоу и Холкен предполагают, что результирующая сила при этом будет примерно постоянной по величине. [9]
Величины приращения давления и изменения расхода определяются динамическими характеристиками гидросистемы. [10]
 |
Схема классификации геогидродинамических систем и подземных водных бассейнов. [11] |
Величина приращения давления Др и выражает собой появление главной составляющей напора вод в элизнонных системах. [12]
Величина приращения сопротивления Дд зависит от свойств полупроводникового элемента и напряженности магнитного поля. В качестве полупроводникового материала может быть использована пластинка из сурмянистого индия или германия. [13]
Величина приращения сопротивления AQ зависит от свойств полупроводникового элемента и напряженности магнитного поля. В качестве полупроводникового материала может быть использована пластинка из сурмянистого индия шш германия. [14]
Величина приращения температуры расплава, рассчитанная по формулам каждого из этих режимов, может служить удобным критерием для их сравнения. [15]
Страницы: 1 2 3 4