Cтраница 1
Реакции образования перекисей экзотермичны и протекают с выделением большого количества тепла. Распад некоторых из них сопровождается взрывом. Обнаруживаемая концентрация перекисей в окисляемой среде невелика и определяется как скоростью их образования, так и скоростью распада или дальнейшего превращения. [1]
Реакция образования перекиси хрома СгО5 очень чувствительная и позволяет открывать катион Сг3 и анионы CrOf -, Сг2О - в присутствии катионов всех аналитических групп. Перекись хрома СгО5 быстро разлагается водой, но довольно устойчива в смеси эфира и изоамилового спирта. [2]
Выход реакции образования перекиси водорода может быть определен из линейной части кинетической кривой, которая характеризует скорость прямой реакции и составляет для у-излучения - - 1 7 экв. [3]
У 2Н2СгО6 ЗН2О Реакция образования перекиси хрома Сг05 очень чувствительная и позволяет открывать катион Сг3 и анионы СгС4 -, Сг2О7 - в присутствии катионов всех аналитических групп. [4]
Как показал Н. Н. Семенов, реакция образования перекисей: является цепной. Согласно теории цепных реакций, наряду с конечными продуктами окисления образуются нестойкие промежуточные соединения, которые, распадаясь с выделением тепла, становятся очагами новых реакций окисления. В результате непрерывного повторения этих реакций возникают цепи со множеством активных центров, самоускоряющих реакцию образования перекисей. [5]
Беккор не обнаружил ускорения реакции образования перекиси при температурах до 180 даже при избыточном давлении кислорода в 50 60 ат. Иапритив, Лскенази и Розе 4 se нашли, что при пропускании струи кислорода под давлением реакция настолько ускоряется, что даже ниже 500 и течение нескольких минут получается высококачественная перекись бария. [6]
В работе проведено исследование реакции образования перекиси водорода в разбавленных водных растворах щелочи при действии у-из-лучения. Особое внимание обращено на изучение влияния поверхности полупроводников ( ZnO) на возбуждение гетерогенного радиационно-химического процесса. [7]
Показана возможность применения при исследовании реакции образования перекиси водорода метода анодной полярографии, позволяющего проводить измерения непосредственно во время облучения системы без вмешательства в ход процесса. [8]
По окончании опыта хромат открывают реакцией образования перекиси хрома CrOs после подкисления раствора H2SO4 ( стр. [9]
Раствор охлаждают и с частью его проводят реакцию образования перекиси хрома ( стр. [10]
Раствор охлаждают и с частью его проводят реакцию образования перекиси хрома ( стр. [11]
Таким образом, наиболее отрицательным стандартным потенциалом обладает реакция образования перекиси водорода. [12]
Известно также активирующее действие аргона и паров воды на реакцию образования перекиси водорода в барьерном разряде. Эти добавки также, вероятно, являются энергетическими катализаторами и влияют на диссоциацию молекул водорода. [13]
Как видно из сопоставления величин стандартных потенциалов, наиболее отрицательным потенциалом обладает реакция образования перекиси водорода. Следовательно реакция ( 27) может протекать лишь в том случае, если перенапряжение реакции ( 30) велико. Реакция ( 29) тоже должна быть в максимальной степени заторможена, ибо в противном случае вся образующаяся перекись водорода будет успевать восстанавливаться до воды. [14]
В § 5 указывалось на сенсибилизирующее действие аргона и паров воды на реакцию образования перекиси водорода в барьерном разряде, которое наблюдали Се-миохин, Кобозев и Пицхелаури. По мнению авторов эти добавки являются энергетическими катализаторами и влияют на диссоциацию молекул водорода. [15]