Прямое смещение

Cтраница 1

Прямое смещение на формирующий диод подается от источника Е через резистор Ri. Для уменьшения паразитной емкости точка подключения резистора Ri разделена с диодом ФД коаксиальным кабелем. [1]

Прямое смещение на транзистор Т2 полосового усилителя подается через резистор R7: при запертом транзисторе Т транзистор Т2 открыт. В таком состоянии полосовой усилитель нормально усиливает входной видеосигнал. [2]

Прямое смещение эмиттерного перехода транзистора создает напряжение АРГ, прикладываемое через резистор Rl к базе. При изменении напряжения АРГ меняется усиление каскада, причем для различных по величине сигналов двух станций соответствующие уровни усиления устанавливаются таким образом, чтобы громкость сигналов этих станций была одинаковая ( см. гл. [3]

Если прямое смещение еще более увеличить, то предположение о том, что число инжектированных носителей мало по сравнению с нормально имеющимися, равновесными носителями, становится несправедливым. Полями в - области ( предполагается, что основной частью полного тока является дырочный ток) уже нельзя пренебрегать. [4]

Напряжение прямого смещения, приложенное к р-п-пере-ходу, снижает потенциальный барьер и позволяет множеству дырок продиф-фундйровать через тгереход, благодаря чему концентрация неосновных носителей рп в n - области возрастает. Аналогично много электронов диффундирует при этом из п-области через барьер в р-область, так что концентрация пр неосновных носителей в р-области перехода возрастает. Как следует из формул (1.68) и (1.69), если к переходу приложено напряжение обратного смещения ( показатель экспоненты отрицателен), то концентрация неосновных носителей вблизи перехода становится меньше величины, соответствующей состоянию теплового равновесия. Если же приложено внешнее напряжение прямого смещения, то неосновные носители инжектируются через р - - переход, диффундируют от перехода и рекомбинируют с основными носителями, которые поставляются омическим контактом в количестве, необходимом для компенсации заряда инжектированных неосновных носителей. [5]

При прямом смещении потенциальный барьер запирающего слоя уменьшается. Основные носители заряда пересекают ЭДП и попадают в области, где они являются неосновными и неравномерными. Этот процесс называют инжекцией неосновных носителей. Инжектированные носители заряда диффундируют вглубь полупроводника, рекомбинируя с основными носителями заряда, приходящими из внешней цепи. Это и приводит к появлению электрического тока, текущего через ЭДП. Однако ток через ЭДП устанавливается не мгновенно. Электронно-дырочный переход обладает инерционностью, которая обусловлена процессами рекомбинации и характеризуется временем жизни т неосновных носителей. [6]

Типичная вольт-амперная характеристика туннельного диода. [7]

При прямом смещении, когда высота потенциального барьера становится ниже равновесной, ток сначала монотонно растет с ростом приложенного напряжения. [8]

При прямом смещении р - - перехода в широкозонных полупроводниках существенную роль играет рекомбинация, особенно при пониженных температурах. Можно показать, что основная часть носителей, рекомбини-рующих в области объемного заряда, рекомбинирует в слое толщиной й7 вблизи геометрической границы р - - перехода. Wx - максимальная напряженность электрического поля ( на границе р - - перехода), играет роль, аналогичную длине диффузионного смещения в нейтральных областях. [9]

Прямая ( а и обратная ( б ВАХ реального диода. [10]

При прямом смещении концентрация свободных носителей заряда в переходе увеличивается, поэтому генера-ционно-рекомбинационный процесс сдвигается в сторону рекомбинации и ток в прямом направлении возрастает на некоторую величину / рек. Ток / рск называют током рекомбинации. [11]

При прямом смещении, когда положительный полюс внешнего источника подключен к - области ( рис. 9.17 б), разность АЕрп e ( VK - Ve) уменьшается. [12]

При прямом смещении p - n - перехода его электрическая проводимость возрастает и через переход проходит ток, сильно зависящий от приложенного напряжения. При обратном смещении p - n - перехода электрическая проводимость перехода уменьшается и через переход проходит лишь незначительный ток, который слабо зависит от приложенного напряжения. [13]

При прямом смещении переходе превалирует ток рекомбинации -, поскольку резко возрастают концентрации дырок и электронов. Рекомбинационный ток уменьшает суммарный ток и может быть. Если при малых напряжениях ( малых уровнях инжекции) рекомбинационный ток может составлять значительную часть суммарного прямого тока диода, то с ростом напряжения он неизбежно уступает эту роль диффузионному току и ВАХ диода хорошо описывается приведенными зависимостями для идеального диода. [14]

Зависимость барьерной емкости / 7-п-перехода от величины обратного напряжения. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5