Cтраница 1
Вид электронограмм свидетельствовал об увеличение числа рефлексов, что говорит о присутствии как болыпеугловых, так и малоугловых границ. На рис. 6.12 приведена микроструктура интенсивно деформированного Ti в состоянии 3, характеризуемом наименьшим размером зерен и наибольшей прочностью. Структура образца имела средний размер зерен 0 15 мкм и для нее характерны наличие высоко - и малоугловых границ зерен с плотностью решеточных дислокаций до 1013 - 1014 м - 2, а также появление зерен, полностью свободных от дислокаций. [1]
Вид электронограмм при дифракции быстрых электронов зависит от характера исследуемых объектов. Электро-нограммы от пленок, состоящих из кристалликов, обладающих взаимной ориентацией, или тонких монокристаллич. [2]
Вид электронограмм свидетельствовал об увеличение числа рефлексов, что говорит о присутствии как болыпеугловых, так и малоугловых границ. На рис. 6.12 приведена микроструктура интенсивно деформированного Ti в состоянии 3, характеризуемом наименьшим размером зерен и наибольшей прочностью. Структура образца имела средний размер зерен 0 15 мкм и для нее характерны наличие высоко - и малоугловых границ зерен с плотностью решеточных дислокаций до 1013 - 1014 м - 2, а также появление зерен, полностью свободных от дислокаций. [3]
На рис. 46 представлена схема, иллюстрирующая изменение вида электронограмм в зависимости от температуры конденсации для случая образования железной пленки на гладкой поверхности скола кристалла соли. Анализ их показывает следующее. При конденсации железа на NaCl при Тк 450 С и на КС1 при Тк 480 С возникают главным образом п-роиз-вольно ориентированные кристаллы. [5]
При рассмотрении и классификации электронограмм необходимо принимать во внимание еще и различие вида электронограмм, возникающее при применении метода скользящего пучка. В зависимости от того, действительно ли электронный луч входит внутрь границ поверхностного слоя ( при идеальной гладкости поверхности), или же он проходит через пики выступающих над поверхностью кристаллов, получаются картины либо сильно вуалированные, либо яркие, как в методе прохождения электронов через объект. [6]
Эпитаксиальная температура при росте кремния на грани ( 100) ниже, чем на плоскости ( 111); после осаждения нескольких слоев при tK 420 С вид исходной электронограммы не меняется, а при tK 320 С ухудшение структуры при росте незначительно. Даже при комнатной температуре в этом случае образуется не аморфная фаза, а промежуточная кристаллическая структура. [7]
Симметричное расположение интерференционных пятен на электронограмме рис. 3.53 относительно вертикальной оси х дает основание предполагать, что ось текстуры пленки сульфида цинка направлена перпендикулярно подложке. Чтобы проверить это предположение, достаточно сделать контрольный снимок, поворачивая образец на небольшой угол ( 45 - 50) в плоскости подложки. Если вид электронограммы при этом не изменится, предположение следует считать верным. [8]
Зависимость периода ре. [9] |
По электроно-графическим данным [55] при уменьшении диаметра d частиц Gd, Tb, Dy, Er, Eu, Yb от 8 до 5 нм сохранялись гексагональная плотноупакованная структура и параметры решетки, характерные для массивных металлов; при дальнейшем уменьшении размера частиц наблюдалось заметное сокращение параметров. Однако одновременно с этим изменялся вид электронограмм, что свидетельствует о структурном превращении - переходе от ГПУ к ГЦК структуре, а не об уменьшении параметров ГПУ решетки. Таким образом, для достоверного выявления размерного эффекта на параметре решетки наноча-стиц необходимо учитывать также возможность структурных превращений. Наиболее надежно установить влияние размера наночастиц на параметр решетки можно путем исследования веществ с ГЦК решеткой, для которых вероятность структурного перехода очень мала. [10]
Электронография основана на явлении дифракции электронов на ядрах атомов. Метод применяется для изучения структуры различных веществ в газообразном состоянии. Дифракционная картина взаимодействия быстрых электронов с веществом фиксируется на фотопластинке в виде электронограммы. Она состоит из центрального пятна, образованного неотклонившимися электронами, и колец различной интенсивности, являющихся результатом действия рассеянных электронов. Характер колец и их интенсивность обусловлены строением исследуемого соединения. Расшифровка электронограмм путем использования определенных математических соотношений дает возможность установить геометрическую форму, расположение атомов, межъядерные расстояния и валентные углы несложных молекул. В случае сложных соединений применение электронографии затруднено. [11]
Структура некоторых молекул. [12] |
На рис. 104 показана принципиальная схема электронографа для изучения молекул газов. Поток электронов, образующихся при сильном нагревании металлической нити 4 и ускоренных разностью потенциалов 3, проходит через камеру. Встречаясь с молекулами, поток электронов дифрагирует. Результат дифракции регистрируется на фотографической пластинке 2 в виде электронограммы. [13]