Структура - транзистор
Cтраница 1
 |
Принцип работы транзистора МДП-типа с индуцированным каналом / 7-типа. [1] |
Структура транзистора этого типа ( рис. 2.25, а) отличается от структуры транзистора, представленной на рис. 2.24, а, тем, что в ней отсутствует встроенный канал р-типа. [2]
Структура транзистора с диодом Шотки ( ДШ), изготовленного по изопланарной технологии, показана на рис. 3.8, а. В отличие от изо-планарного транзистора ( см. рис. 3.5, д) здесь базовое контактное отверстие расширено в сторону коллекторной области / г-типа. [3]
Структура транзистора с изоляцией термическим окислом на основных этапах процесса ее формирования приведена на рис. 2.3. Как и в традиционной структуре, на границе раздела эпитаксиального слоя и подложки формируется скрытый п - слой. Транзистор может быть изготовлен с равным успехом в зпитаксильных слоях п - и р-типов. [4]
Структура транзистора состоит из двух переходов, каждый из которых обладает свойствами диода, поэтому можно проверить транзистор как диод. [5]
Структура меза-планарпого транзистора, изготовленного методом двойной диффузии: 1 - электрод эмиттера; 2 - диффузионный слой эмиттера ( п); 3 -диффузионный слой базы ( р); 4 - электрод базы; 5 - исходный п - 0е; в - электрод коллектора. [7]
Структура МНОП транзистора с индуцированным каналом р-ттлпа показана на рис. 21.8, а. В таком режиме МНОП транзистор работает как обычный МДП транзистор с индуцированным каналом / ьтипа. [8]
Структура МНОП транзистора с индуцированным каналом р-типа показана на рис. 21.8, а. При подаче импульса 30 В устанавливается пороговое напряжение иШаор - 5 В. В таком режиме МНОП транзистор работает как обычный МДП транзистор с индуцированным каналом р-типа. [9]
 |
Схематическая структура МОП полевого транзистора на основе поликристаллического кремния.| Подвижность эффекта поля в МОП-полевых. [10] |
Структура МОП-полевого транзистора фирмы Toshiba на основе -, поликристаллического кремния представлена на рис. 6.2.6. После формирования островков поликристаллического кремния методом химического осаждения был получен подзатворный диэлектрик из 8Ю2 толщиной 150 нм. [11]
Структуру транзистора, полученную путем селективного травления, называют мезаструктурой, а транзисторы с мезаструктурой, / j - n - переходы в которой сформированы методами планарной технологии, - мезапланарными. В структуре мезапланарного транзистора остается только плоская часть коллекторного перехода, имеющая значительно большее пробивное напряжение. [13]
Структуру транзистора, полученную путем селективного травления, называют мезаструктурой, а транзисторы с мезаструктурой, p - rt - переходы в которой сформированы методами планарной технологии, - мезапланарными. В структуре мезапланарного транзистора остается только плоская часть коллекторного перехода, имеющая значительно большее пробивное напряжение. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5