Cтраница 1
Планарно-эпитаксиальная технология позволяет формировать и биполярные, и МДП-транзисторы как п - р-п, так и р-п-р-типа. В качестве диодов в ИС обычно используют р-гс-переходы - транзисторов. Роль резисторов играют участки полупроводниковой пластинки со строго дозированным количеством примесей. В качестве конденсаторов используют закрытые р-п-пе-реходы. [1]
Планарно-эпитаксиальная технология производства биполярной ИС ( рис. 2.1) включает формирование скрытого л - слоя в подложке, наращивание эпитакси-ального слоя л-типа, формирование изолирующих областей Р - ТИПЗ, формирование базовой ( р) и эмиттерной () областей и, наконец, создание металлических пленочных внутрисхемных соединений. [2]
Первый технологический цикл изготовления планарно-эпитаксиального. [3] |
При планарно-эпитаксиальной технологии первая диффузия проводится акцепторной примесью ( бором) на всю толщину эпитаксиаль-ной пленки. [4]
Гибкость планарно-эпитаксиальной технологии позволяет использовать различные методы и приемы для повышения качества каждого элемента и интегральной схемы в целом. [5]
Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии на биполярных транзисторах с изоляцией элементов обратносмещенным р-п переходом. [6]
Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии на биполярных транзисторах с изоляцией элементов обратносмещенным р-п переходом и содержит 146 интегральных элементов. [7]
Схема изготовлена по планарно-эпитаксиальной технологии, включает четыре транзистора и шесть резисторов и конструктивно оформлена в прямоугольном металлостек-лянном корпусе с 14 выводами. [8]
Дополненная модель Эберса - М олла.| Вольт-амперные ( о, проходная ( 1п / к, ( УБЭ и входная ( In / Б, УБЭ ( ff характеристики моделей Эберса - Молла. [9] |
Если транзистор выполнен по планарно-эпитаксиальной технологии, то омические сопротивления рассчитывают по приведенным выше формулам для диффузионных резисторов. [10]
Изготовлены на кристалле кремния по планарно-эпитаксиальной технологии с окисной изоляцией элементов. [11]
Изготовляются БИС данного типа по планарно-эпитаксиальной технологии. [12]
Эта микросхема, выполненная по планарно-эпитаксиальной технологии, содержит гираторный фильтр, который выполняет функции нерегулируемого селективного усиления сигналов с частотой 465 кГц и подавления сигналов за пределами полосы пропускания. [13]
Изоляция элементов диэлектрическим слоем.| Биполярный транзистор полупроводниковой ИС. [14] |
Они делаются по планарной или планарно-эпитаксиальной технологии. На рисунке транзистор показан в разрезе и в плане. Структура транзистора углубляется в кристалл не более чем на 10 - 15 мкм, а линейные размеры транзистора на поверхности не превышают нескольких десятков микрометров. [15]