Планарно-эпитаксиальная технология - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Мудрость не всегда приходит с возрастом. Бывает, что возраст приходит один. Законы Мерфи (еще...)

Планарно-эпитаксиальная технология

Cтраница 1


Планарно-эпитаксиальная технология позволяет формировать и биполярные, и МДП-транзисторы как п - р-п, так и р-п-р-типа. В качестве диодов в ИС обычно используют р-гс-переходы - транзисторов. Роль резисторов играют участки полупроводниковой пластинки со строго дозированным количеством примесей. В качестве конденсаторов используют закрытые р-п-пе-реходы.  [1]

Планарно-эпитаксиальная технология производства биполярной ИС ( рис. 2.1) включает формирование скрытого л - слоя в подложке, наращивание эпитакси-ального слоя л-типа, формирование изолирующих областей Р - ТИПЗ, формирование базовой ( р) и эмиттерной () областей и, наконец, создание металлических пленочных внутрисхемных соединений.  [2]

3 Первый технологический цикл изготовления планарно-эпитаксиального. [3]

При планарно-эпитаксиальной технологии первая диффузия проводится акцепторной примесью ( бором) на всю толщину эпитаксиаль-ной пленки.  [4]

Гибкость планарно-эпитаксиальной технологии позволяет использовать различные методы и приемы для повышения качества каждого элемента и интегральной схемы в целом.  [5]

Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии на биполярных транзисторах с изоляцией элементов обратносмещенным р-п переходом.  [6]

Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии на биполярных транзисторах с изоляцией элементов обратносмещенным р-п переходом и содержит 146 интегральных элементов.  [7]

Схема изготовлена по планарно-эпитаксиальной технологии, включает четыре транзистора и шесть резисторов и конструктивно оформлена в прямоугольном металлостек-лянном корпусе с 14 выводами.  [8]

9 Дополненная модель Эберса - М олла.| Вольт-амперные ( о, проходная ( 1п / к, ( УБЭ и входная ( In / Б, УБЭ ( ff характеристики моделей Эберса - Молла. [9]

Если транзистор выполнен по планарно-эпитаксиальной технологии, то омические сопротивления рассчитывают по приведенным выше формулам для диффузионных резисторов.  [10]

Изготовлены на кристалле кремния по планарно-эпитаксиальной технологии с окисной изоляцией элементов.  [11]

Изготовляются БИС данного типа по планарно-эпитаксиальной технологии.  [12]

Эта микросхема, выполненная по планарно-эпитаксиальной технологии, содержит гираторный фильтр, который выполняет функции нерегулируемого селективного усиления сигналов с частотой 465 кГц и подавления сигналов за пределами полосы пропускания.  [13]

14 Изоляция элементов диэлектрическим слоем.| Биполярный транзистор полупроводниковой ИС. [14]

Они делаются по планарной или планарно-эпитаксиальной технологии. На рисунке транзистор показан в разрезе и в плане. Структура транзистора углубляется в кристалл не более чем на 10 - 15 мкм, а линейные размеры транзистора на поверхности не превышают нескольких десятков микрометров.  [15]



Страницы:      1    2    3    4