Ток - насыщение
Cтраница 1
Ток насыщения достигается для воздуха в нормальных условиях и при расстоянии между электродами в 10 мм при напряженности поля около 0 0006 в / мм. [1]
Ток насыщения, таким образом, является мерой ионизирующего действия ионизатора. Если в режиме ОС прекратить действие ионизатора, то прекращается и разряд. Разряды, существующие только под действием внешних ионизаторов, называются несамостоятельными. При дальнейшем увеличении напряжения между электродами сила тока вначале медленно ( участок CD), а затем резко ( участок DE) возрастает. Механизм этого явления будет рассмотрен в следующем параграфе. [2]
Ток насыщения / га соответствует условию, при котором все образующиеся ионы достигают электродов. [3]
Ток насыщения часто трудно определить, ибо, когда ток ограничен пространственным зарядом, имеются небольшие отклонения от идеального случая и закон Шоттки тоже не выполняется. [4]
Ток насыщения в полупроводниковом диоде с р - - переходом определяется в первую очередь равновесной концентрацией неосновных носителей по обе стороны р - я-перехода. [5]
Ток насыщения ярко выражен в германиевых электронно-дырочных переходах. В кремниевых - при увеличении напряжения наблюдается рост тока, пропорциональный ширине пространств, заряда. Это связано с резким увеличением генерации пар: электрон - дырка в области пространств, заряда у ПП с широкой запрещенной зоной. [6]
Ток насыщения ярко выражен в германиевых электронно-дырочных переходах. В кремниевых - при увеличении напряжения наблюдается рост тока, пропорциональный ширине пространств, заряда. Это связано с резким увеличением генерации нар: электрон - дырка в области пространств, заряда у ПП с широкой запрещенной зоной. [7]
Ток насыщения измеряется компенсационным методом при помощи электрометра и пьезоэлектрического кварца. [8]
Ток насыщения легко может быть найден как из расчета, так и из опыта. Иначе обстоит дело с током холостого хода магнитных усилителей с самонасыщением, форма, а следовательно, действующее и среднее значения которого обусловлены магнитными свойствами сердечников, величиной отношения Bam / Bs, выбором схемы соединения нагрузочных обмоток и другими факторами. Зависимость В - Н, снятая на переменном токе, из-за различия формы тока намагничивания сердечника от формы тока холостого хода усилителя не может быть использована для определения величины последнего. [9]
Ток насыщения в запорном направлении пропорционален а. Например, он значительно меньше у Si, чем у Ge, что делает кремний более перспективным материалом для производства выпрямителей. В настоящее время выпрямители с р - n - переходами быстро вытесняют все другие типы выпрямителей ( см. гл. [10]
Ток насыщения / о состоит из потока электронов из р-области в n - область и потока дырок в противоположном направлении. Его величина определяется концентрацией неосновных носителей и их скоростями рекомбинации в обеих областях. Для современных диодов ток находится в пределах 10 - 9 - НО-2 а в зависимости от типа и конструкции диода. [11]
Ток насыщения может иметь величину 1 - 2 а, если входной импульс и цепь R1Ci выбраны соответствующим образом. Для очень узких импульсов тока С2 либо совсем не нужно, либо его емкость должна быть уменьшена до 1000 пф. [12]
Ток насыщения на своем пороге имеет величину 4 6 - 10 - 6 А-см - 2; следовательно, оценка п / - ( хт) дает значение п ( хт) 1 1 1010 см-3. В кристалле, не содержащем ловушек, ТОПЗ, рассчитанный при 60 В, имеет величину 1 - 1СР4 А-см - 2 ( см. разд. Предполагая, что в не меняется с расстоянием, можно оценить плотность носителей заряда при хт, что дает значение 2 2 - 1011 см-3. Для расчета величины л ( 0), используемой в уравнении (2.5.1.04), предполагается, что на расстоянии 3 А от поверхности значение потенциальной энергии барьера зеркального изображения составляет efj 0 3 эВ ( см. разд. [13]
 |
Кривая сила тока - напряжение ( схематически. [14] |
Ток насыщения обычно называется предельным током. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5