Cтраница 4
Током насыщения р-п перехода называют не зависящую от приложенного напряжения составляющую тока, обусловленную неосновными носителями. [46]
Зная ток насыщения, можно определить число электронов, выделяющихся в 1 сек с единицы поверхности металла при данной температуре, разделив силу тока насыщения на площадь поверхности катода и на заряд электрона. [47]
Оценить ток насыщения в ионизационной камере, на электроды которой нанесено 10 мкюри очищенного полония. [48]
Когда ток насыщения для неформованного контакта велик, мощность рассеивается в значительном объеме полупроводника и формовка становится малоэффективной. [49]
Это ток насыщения, при котором все созданные ионизатором пары ионов ( кроме рекомбинирующих) достигают электродов. Естественно, его сила зависит от мощности источника ионов - внешнего ионизатора. Увеличив количество пар ионов, создаваемых ионизатором за единицу времени, мы получим больший ток насыщения. При увеличении напряжения ( участок 2 - 3) не происходит качественных изменений газового разряда. Но в более сильном поле, двигаясь ускоренно, свободные заряды получают большую энергию. [50]
Это ток насыщения, при котором все созданные ионизатором пары ионов ( кроме рекомбинирующих) достигают электродов. Естественно, он зависит от мощности источника ионов - внешнего ионизатора. Увеличив количество пар ионов, создаваемых ионизатором за единицу времени, мы получим больший ток насыщения. При увеличении напряжения ( участок 2 - 3) не происходит качественных изменений газового разряда. Но в более сильном поле, двигаясь ускоренно, свободные заряды получают большую энергию. [51]
Теоретически тока насыщения можно достичь, подавая бесконечно большую разность потенциалов на электроды. [52]
Определите ток насыщения термоэлектронной эмиссии, если свободные электроны внутри металла подчиняются закону распределения скоростей Максвелла. [53]
Величина тока насыщения зависит от природы и состояния газа я от силы ионизатора. [54]
Структура оксидного катода ( схематически. [55] |
Плотность тока насыщения js в соответствии с формулами (171.1) и (171.2) чрезвычайно сильно зависит от температуры. Приведенные цифры одновременно показывают, что для получения заметного термоэлектронного тока с вольфрамового катода его необходимо накаливать до очгнь высокой температуры. [56]
Увеличение тока насыщения может произойти, если возрастет интенсивность выхода свободных электронов, для чего нужно увеличить температуру катода. [57]
Значение тока насыщения определяет гл. [58]
Ростом тока насыщения в основном определяются температурные пределы работы диодов, так как при высоких обратных напряжениях и токах выделяемая на переходе мощность становится чрезмерно большой и диод может пробиться. У кремниевых диодов с увеличением температуры пробивное напряжение сначала несколько увеличивается, а затем при приближении проводимости материала к собственной падает. У германиевых диодов в большинстве случаев с увеличением температуры пробивное напряжение падает. Температура, соответствующая резкому снижению пробивного напряжения, принимается за предельную. [59]
ВАХ одного из германиевых выпрямительных диодов при разных температурах окружающей среды. [60] |