Ток - насыщение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Демократия с элементами диктатуры - все равно что запор с элементами поноса. Законы Мерфи (еще...)

Ток - насыщение

Cтраница 4


Током насыщения р-п перехода называют не зависящую от приложенного напряжения составляющую тока, обусловленную неосновными носителями.  [46]

Зная ток насыщения, можно определить число электронов, выделяющихся в 1 сек с единицы поверхности металла при данной температуре, разделив силу тока насыщения на площадь поверхности катода и на заряд электрона.  [47]

Оценить ток насыщения в ионизационной камере, на электроды которой нанесено 10 мкюри очищенного полония.  [48]

Когда ток насыщения для неформованного контакта велик, мощность рассеивается в значительном объеме полупроводника и формовка становится малоэффективной.  [49]

Это ток насыщения, при котором все созданные ионизатором пары ионов ( кроме рекомбинирующих) достигают электродов. Естественно, его сила зависит от мощности источника ионов - внешнего ионизатора. Увеличив количество пар ионов, создаваемых ионизатором за единицу времени, мы получим больший ток насыщения. При увеличении напряжения ( участок 2 - 3) не происходит качественных изменений газового разряда. Но в более сильном поле, двигаясь ускоренно, свободные заряды получают большую энергию.  [50]

Это ток насыщения, при котором все созданные ионизатором пары ионов ( кроме рекомбинирующих) достигают электродов. Естественно, он зависит от мощности источника ионов - внешнего ионизатора. Увеличив количество пар ионов, создаваемых ионизатором за единицу времени, мы получим больший ток насыщения. При увеличении напряжения ( участок 2 - 3) не происходит качественных изменений газового разряда. Но в более сильном поле, двигаясь ускоренно, свободные заряды получают большую энергию.  [51]

Теоретически тока насыщения можно достичь, подавая бесконечно большую разность потенциалов на электроды.  [52]

Определите ток насыщения термоэлектронной эмиссии, если свободные электроны внутри металла подчиняются закону распределения скоростей Максвелла.  [53]

Величина тока насыщения зависит от природы и состояния газа я от силы ионизатора.  [54]

55 Структура оксидного катода ( схематически. [55]

Плотность тока насыщения js в соответствии с формулами (171.1) и (171.2) чрезвычайно сильно зависит от температуры. Приведенные цифры одновременно показывают, что для получения заметного термоэлектронного тока с вольфрамового катода его необходимо накаливать до очгнь высокой температуры.  [56]

Увеличение тока насыщения может произойти, если возрастет интенсивность выхода свободных электронов, для чего нужно увеличить температуру катода.  [57]

Значение тока насыщения определяет гл.  [58]

Ростом тока насыщения в основном определяются температурные пределы работы диодов, так как при высоких обратных напряжениях и токах выделяемая на переходе мощность становится чрезмерно большой и диод может пробиться. У кремниевых диодов с увеличением температуры пробивное напряжение сначала несколько увеличивается, а затем при приближении проводимости материала к собственной падает. У германиевых диодов в большинстве случаев с увеличением температуры пробивное напряжение падает. Температура, соответствующая резкому снижению пробивного напряжения, принимается за предельную.  [59]

60 ВАХ одного из германиевых выпрямительных диодов при разных температурах окружающей среды. [60]



Страницы:      1    2    3    4    5