Свободный электрон

Cтраница 1

Свободные электроны, эмиттируемые фотокатодами, собираются коллектором 3, на который подается положительное по отношению к сигнальной пластине 5 напряжение. Коллектором служит проводящий слой, нанесенный на внутренние стенки иконоскопа. [1]

Конструкция видикона. [2]

Свободные электроны ускоряются и фокусируются на соответствующую точку выходного флуоресцирующего экрана. За счет полученной электронами энергии электрического поля, создаваемого высоковольтным источником питания, сформированное видимое изображение на экране имеет яркость, достаточную для визуального наблюдения. При необходимости получить еще большую яркость используют каскадные и канальные электронно-оптические преобразователи. [3]

Свободные электроны в сварочных электронных пушках получают за счет эмиссии с поверхности твердых термоэлектронных катодов, изготовленных из вольфрама, тантала, гексаборида лантана. Катод нагревают до температуры, обеспечивающей необходимую плотность тока эмиссии. Нагрев катода ограничивается термостойкостью и скоростью испарения его материала. [4]

Зависимость атомной теплоемкости при постоянном объеме согласно теории Дебая от Г / О.| Температуры Дебая некоторых материалов. [5]

Свободные электроны имеются в проводниках ( металлах, графите, карбиде кремния) и в некотором количестве в полупроводниках. [6]

Зависимость некоторых ( испорнс тых окислов от температуры [ О ]. [7]

Свободные электроны передают энергию от одних колеблющихся атомов другим, увеличивая колебательную энергию последних. В среднем это проявляется в передаче теплоты в направлении отрицательного градиента температуры. Благодаря относительно высокой скорости электронов и относительно большой средней длине свободного пробега их вклад в теплопроводность обычно много выше ( от 5 до 50 раз), чем фононов, несмотря па крайне незначительный вклад в удельную теплоемкость. [8]

Свободные электроны и дырки называются носителями зарядов, так как их направленное перемещение приводит к появлению тока в полупроводнике. Процесс появления в полупроводнике свободных электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне, вызванный нагревом полупроводника, называют термогенерацией носителей зарядов. Процесс возвращения свободных электронов из зоны проводимости в валентную зону, связанный с исчезновением носителей зарядов, называется рекомбинацией. [9]

Свободный электрон в магнитном поле может быть ориентирован параллельно и антипараллельно полю. Это дополнительно расширяет энергетические уровни электронов проводимости в металле. [10]

Свободный электрон не может ни поглотить, ни испустить фотон, так как при этих процессах не удовлетворяются одновременно закон сохранения энергии и закон сохранения импульса. Например, при энергии фотона, мало превышающей 2тс2, образуются электрон и позитрон с малыми кинетическими энергиями движения. Однако, чтобы выполнялся закон сохранения импульса, необходимо, чтобы суммарный импульс образованных частиц был равен - 2 тс. [11]

Свободные электроны и дырки быстро термализуются, распределяясь в основном вблизи дна зоны проводимости и потолка валентной зоны. Однако в таких полупроводниках, как германий и кремний, дну зоны проводимости и потолку валентной зоны соответствуют различные значения волнового вектора, благодаря чему коэффициент рекомбинации оказывается малым. Таким образом, при низких температурах может установиться высокая концентрация термализованных электронов и дырок. [12]

Свободные электроны, которые в небольшом количестве обязательно присутствуют в любом газе, под действием приложенной между электродами разности потенциалов начинают двигаться ПО направлению к аноду. Однако магнитное поле воздействует на движущиеся электроны в направлении, перпендикулярном к направлению их движения в электрическом поле, в результате чего электроны описывают сложные и длинные спиралеобразные траектории, прежде чем попасть на анод. По пути электроны сталкиваются с молекулами газа, находящегося в баллоне, и ионизируют их. Образующиеся положительные ионы направляются на катод, а соответствующие электроны добавляются к имевшимся ранее электронам и тоже ионизируют молекулы газа по пути к аноду. Положительные ионы, движущиеся с большими скоростями, ударяясь о поверхность катода, вызывают эмиссию электронов из катода, и эти, так называемые вторичные электроны, также направляются по сложным траекториям на анод, по пути ионизируя молекулы газа. Явление лавинообразно нарастает, ток через электроды манометрического преобразователя увеличивается. Однако возрастание тока приводит к увеличению падения напряжения на балластном сопротивлении и соответствующему уменьшению падения на преобразователе. В результате устанавливается динамическое равновесие, при котором число зарядов, образующихся за единицу времени в объеме преобразователя, равно электрическому току во внешней его цепи. Это явление называется самостоятельным электрическим разрядом в газе. Ток разряда при постоянных напряжении и магнитном поле однозначно зависит от давления. Таким образом, проградуировав такой манометрический преобразователь по какому-нибудь образцовому манометру, можно использовать возникающий в нем электрический разряд для измерения давления. [13]

Типы адсорбции на поверхности ионного кристалла ( по Ф. Ф. Волькенштейну. [14]

Свободные электроны и свободные дырки не локализованы, а способны мигрировать, образуя свободные положительные и отрицательные валентности, которые могут исчезать и появляться. При встречах таких свободных валентностей происходит взаимное насыщение. Последнее может происходить и при встречах с приходящими извне атомами или молекулами, обладающими ненасыщенными валентностями. Таким образом, катализаторы ионной структуры следует рассматривать как полирадикал с блуждающими по поверхности ненасыщенными свободными валентностями. [15]

Страницы: 1 2 3 4