Электросопротивление

Cтраница 1

Электросопротивление 1 км медно-сталышх шин сечением 1 мм2 при 20 С 33 08 ом, электропроводность 52 5 % от меди. [1]

Движение электрона в решетке кристалла.| Изменение удельного электросопротивления меди и сплавов при нагреве. [2]

Электросопротивление, определяемое тепловым рассеянием, исключая низкие температуры, растет с повышением температуры линейно. Влияние легирующих элементов оценивается удельным электросопротивлением рл. [3]

Электросопротивления, выполненные в виде нагревающих спиралей, размещенных непосредственно на корпусе аппарата и снабженных соответствующей электро - и теплоизоляцией. [4]

Электросопротивление проверяется омметром при напряжении не более 6 в. Электросопротивление исчисляется в мегомах на квадратный фут. [5]

Электросопротивление позволяет быстро, но приближенно оценить общую степень минерализации воды. [6]

Электросопротивление измеряется на мостике Кольрауша. Удельное сопротивление сепаратора обычно относят к удельному сопротивлению электролита Q3, в котором производится испытание. [7]

Электросопротивление - свойство, зависящее от многих факторов. [8]

Электросопротивление свободно насыпанной крупки ( унас0 71 г / см3) снижается с 9 - Ю4 до ЫО4 ом-мм 2 / м при повышении температуры до 500 - 600 С. При дальнейшем повышении температуры до 1600 С величина электросопротивления практически остается постоянной. У спрессованной крупки электросопротивление тоже уменьшается, но в меньшей степени, причем наблюдали почти линейные зависимости. [9]

Изменение сопротивления R во времени т в процессе восстановления 1ТОз ( / и UsO8 ( / / водородом при 450 С. [10]

Электросопротивление измеряют контактным методом при помощи моста переменного тока ( Уитстона) на частоте 3000Гц с электронным осциллографом в качестве нуль-индикатора. [11]

Зависимость электросопротивления от размера частиц в аппарате диаметром 33 мм при расстоянии между электродами 40 мм. [12]

Электросопротивление медленно посаженных слоев обычно на 30 % выше. [13]

Электросопротивления гипотетических слоев при срявнишх размерах частиц в 400 - 1000 раз меньше электросопротивления реальшх слоев. Такая разница объясняется качествен-ньш отличием принятой и реальной электропроводимости на границе контактов. В реальных условиях адсорбированные на поверхности частиц газы и пары изолируют частицы друг от друга. Кроме того, в принятой модели не учитывается дефектность структуры укладки частиц. Пустоты и ослабленные / контакты изолируют отдельные частицы и целые звенья цепочек проводимости и этим увеличивают их электросопротивление. Уменьшение влияния перечисленных факторов вызывает уменьшение электросопротивления, приближая его к расчетному. Существенное влияние оказывает повышение давления прессования. Удельное электросопротивление порошка графна, определенное при давлении прессования 4 0 МПа, составляет 3 5 - 10 мкОм - м, то есть имеет такой же порядок, как и полученное по расчету. [14]

Электросопротивление измеряли потенциом-етриче-оиим методом в постоянных полях при токе, направленном вдоль базисных слоев. [15]

Страницы: 1 2 3 4