Габитус - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Мудрость не всегда приходит с возрастом. Бывает, что возраст приходит один. Законы Мерфи (еще...)

Габитус

Cтраница 1


Габитус - довольно общее описание вида кристалла: иглообразный, ацикулярный, призматический, пирамидальный, изометрический, плоский, пластинчатый.  [1]

Габитус является продуктом истории и в то же время основой индивидуального и группового практического действия, порождающим новую историю. Он представляет собой возникшую на основе прошлого опыта систему схем восприятия, осмысления и действия, которая обеспечивает преемственность социальной практики. В этой связи заслуживает особого внимания сформулированный Бурдье принцип двойного структурирования ( объективного и субъективного одновременно) социальной реальности. Объективное - это условия жизни людей, их социальный статус и траектория, субъективное - осознанные и бессознательные действия людей. Субъективное является внутренним, а объективное - внешним стимулом практической деятельности людей.  [2]

Габитус, облик, рельеф граней, распределение примесей и включений в кристалле целиком определяются его структурой, физико-химическими условиями в среде роста, пересыщением, присутствием примесей, симметрией питания, а также кинетикой процесса роста. Согласно теории Хартмана и Пердока, удельный вес грани в облике кристалла убывает в последовательности F, s, К, что соответствует уменьшению ретикулярной плотности граней и повышению их структурной шероховатости. Реальный облик алмазов сложнее предсказываемого теорией и обусловлен конкретным сочетанием указанных выше факторов. Бэтой связи изучение особенностей морфологии кристаллов синтетического алмаза обеспечивает получение информации, необходимой как для совершенствования процесса кристаллизации, так и для более глубокого понимания природного алмазообразования.  [3]

Габитус - это присущий каждому классу особый принцип конструирования социального пространства, который отличает его от других классов. Качалов трактует габитус как ансамбль схем классификации, позволяющий социальному агенту найти сходных с ним и отличающихся от него агентов, как чувство своей и чужой социальной позиции, позволяющее людям ориентироваться в социальной действительности [ Кочанов Ю.Л. Политическая топология: структурирование политической действительности.  [4]

Габитус, облик, рельеф граней, распределение примесей и включений в кристалле целиком определяются его структурой, физико-химическими условиями в среде роста, пересыщением, присутствием примесей, симметрией питания, а также кинетикой процесса роста. Согласно теории Хартмана и Пердока, удельный вес грани в облике кристалла убывает в последовательности F, s, К, что соответствует уменьшению ретикулярной плотности граней и повышению их структурной шероховатости. Реальный облик алмазов сложнее предсказываемого теорией и обусловлен конкретным сочетанием указанных выше факторов. В этой связи изучение особенностей морфологии кристаллов синтетического алмаза обеспечивает получение информации, необходимой как для совершенствования процесса кристаллизации, так и для более глубокого понимания природного алмазообразования.  [5]

Габитус монокристалла можно исследовать более подробно, если образец предварительно оттенить металлом. На рис. 154 приведены типичные кристаллы полиэтилена, полученные кристаллизацией из раствора и оттененные металлом.  [6]

7 Схема принципа перекрывания. [7]

Термин габитус применяют для обозначения относительного развития граней кристалла. В настоящее время еще не найден закон, на основании которого можно было бы контролировать габитус кристалла. Это свойство в большой мере зависит от самого процесса образования и роста кристалла. Очень трудно получить совершенные кристаллы, у которых все грани одной и той же формы были бы одинаково развиты. Небольшие количества посторонних примесей в растворе часто полиостью изменяют габитус выделяющихся кристаллов. Избирательная адсорбция красителей различными гранями кристалла также может сильно изменить его габитус. Все это так осложняет процесс кристаллизации, что предсказать заранее габитус кристалла крайне затруднительно.  [8]

Изменение габитуса происходит не только в случае водных растворов. Оно имеет место также и при работе со спиртовыми растворами. Объяснение этого явления пока твердо еще не установлено. По Керну, структура пересыщенного раствора должна отличаться от структуры насыщенного раствора. Если пересыщение растет, концентрация растворителя в растворе уменьшается, так что на поверхности раздела кристалл - раствор происходит десольватация. Эта десольватация более легко идет на гранях с небольшим электростатическим полем и затруднена на гранях с большим электростатическим полем.  [9]

10 Кристалл антраниловой кислоты, выращенный из водного раствора и продолжавший расти в этиловом спирте ( а. Кристалл, выращенный в спиртовом растворе, перенесенный и продолжавший расти в уксуснокислом растворе ( б. [10]

Изменение габитуса объясняют обычно исходя из предположения, что добавленные вещества адсорбируются на кристаллических гранях, в результате чего происходит уменьшение скорости роста. Адсорбированная примесь может включаться, а может и не включаться в кристалл. Во втором случае все маленькие кристаллы ориентированы одинаково; Нейхауз [55] показал, что между элементарными ячейками двух веществ существуют простые геометрические соотношения.  [11]

Плоскость габитуса в течение всего процесса превращения не деформируется и не вращается, поэтому деформация формы является деформацией с инвариантной плоскостью.  [12]

13 Узлы сетки стереографического треугольника, изображающие нормали граней полиэдрических форм роста алмаза ( 14 [ ПО ]. [13]

Формирование алмазного габитуса зависит от концентрации свободных радикалов Nг на поверхности алмаза. Последняя минимальная для атомно-чистых сингулярных граней ( 100), 110 и 111, атомы которых с точностью до сверхструктурных эффектов второго порядка принадлежат одной геометрической плоскости. Повышенными значениями N, характеризуются квазисипгуляриыс грани переменных форм роста ( 210), ( 211), ( 221), ( 321), поверхностная структура которых образована атомами, не принадлежащими одной геометрической плоскости. Несингулярные грани в отличие от квазисингулярных имеют развитую субструктуру, образованную атомными ступенями либо их изломами.  [14]

Формирование габитуса алмазных монокристаллов в значительной мере определяется условиями кристаллизации, а также атомной и зонной структурами алмазной поверхности.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5