Добротность - варикап - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Для нас нет непреодолимых трудностей, есть только трудности, которые нам лень преодолевать. Законы Мерфи (еще...)

Добротность - варикап

Cтраница 3


31 Зависимость величины добротности варикапа от частоты. [31]

Величина добротности варикапов, как видно из формул (7.8) и (7.9), сильно зависит от частоты.  [32]

33 Эквивалентная схема полупроводникового конденсатора. [33]

Величина ТКЕ варикапов зависит от температуры ( рис. 3.46, а) и при перепаде температур от - 60 С до 150 С составляет ( ЮОч-20010-61 / град. Зависимость добротности варикапов от частоты ( рис. 3.46, б) указывает на ограниченную область частот, при которой целесообразно применять полупроводниковый конденсатор в качестве элемента настройки контура.  [34]

Интересно отметить, что увеличение емкости Ср приводит к ухудшению характеристик фильтра. Видимо это связано как с уменьшением добротности варикапа, так и с возрастанием роли Ср в образовании режима стоячей волны. При большой Ср структура ( см. рис. 4.9) превращается в четвертьволновый режекторнын фильтр. В этом случае из-за сравнительно большой связи между линиями изменяется входное сопротивление на нерезонансных частотах, а крутизна скатов АЧХ по затуханию уменьшается. При маленьких Ср резонанс получается близким к полуволновому, н в данном случае перестройка емкостью более эффективна. Таким образом, режекторные фильтры на СПЛ с неуравновешенной связью имеют более широкий диапазон перестройки, чем аналогичные фильтры на линиях с уравновешенной связью. В заключение отметим, что возможности построения перестраиваемых фильтров на СПЛ с неуравновешенной связью не ограничиваются режекторными фильтрами.  [35]

Добротность - это величина, обратная тангенсу угла диэлектрических потерь. Добротность варикапов измеряют обычно при тех же напряжениях смещения, что и емкость. Значение добротности - от нескольких десятков до нескольких сотен.  [36]

Приняв р 10 - г Ом-см и е 16 ( для германия), получаем т 1 4 10 - 13 с. Значит, инерционность процессов заряда и разряда барьерной емкости варикапа под действием изменяющегося напряжения может сказываться только на очень высоких частотах. Однако в варикапе ( как и в любом другом полупроводниковом диоде) есть объемное сопротивление базы г6 и активное сопротивление электронно-дырочного перехода гпер ( рис. 3.62), которые могут привести к снижению добротности варикапа при высоких или низких частотах.  [37]



Страницы:      1    2    3