Главная страницаПомощь
ico

Большая Энциклопедия Нефти Газа

Хорошо не просто там, где нас нет, а где нас никогда и не было!
Законы Мерфи (еще)

Добротность - варикап

Страница 3

 Зависимость величины добротности варикапа от частоты. Зависимость величины добротности варикапа от частоты.

Величина добротности варикапов, как видно из формул (7.8) и (7.9), сильно зависит от частоты.

 Эквивалентная схема полупроводникового конденсатора. Эквивалентная схема полупроводникового конденсатора.

Величина ТКЕ варикапов зависит от температуры ( рис. 3.46, а) и при перепаде температур от - 60 С до 150 С составляет ( ЮОч-20010-61 / град. Зависимость добротности варикапов от частоты ( рис. 3.46, б) указывает на ограниченную область частот, при которой целесообразно применять полупроводниковый конденсатор в качестве элемента настройки контура.

Интересно отметить, что увеличение емкости Ср приводит к ухудшению характеристик фильтра. Видимо это связано как с уменьшением добротности варикапа, так и с возрастанием роли Ср в образовании режима стоячей волны. При большой Ср структура ( см. рис. 4.9) превращается в четвертьволновый режекторнын фильтр. В этом случае из-за сравнительно большой связи между линиями изменяется входное сопротивление на нерезонансных частотах, а крутизна скатов АЧХ по затуханию уменьшается. При маленьких Ср резонанс получается близким к полуволновому, н в данном случае перестройка емкостью более эффективна. Таким образом, режекторные фильтры на СПЛ с неуравновешенной связью имеют более широкий диапазон перестройки, чем аналогичные фильтры на линиях с уравновешенной связью. В заключение отметим, что возможности построения перестраиваемых фильтров на СПЛ с неуравновешенной связью не ограничиваются режекторными фильтрами.

Добротность - это величина, обратная тангенсу угла диэлектрических потерь. Добротность варикапов измеряют обычно при тех же напряжениях смещения, что и емкость. Значение добротности - от нескольких десятков до нескольких сотен.

Приняв р 10 - г Ом-см и е 16 ( для германия), получаем т 1 4 10 - 13 с. Значит, инерционность процессов заряда и разряда барьерной емкости варикапа под действием изменяющегося напряжения может сказываться только на очень высоких частотах. Однако в варикапе ( как и в любом другом полупроводниковом диоде) есть объемное сопротивление базы г6 и активное сопротивление электронно-дырочного перехода гпер ( рис. 3.62), которые могут привести к снижению добротности варикапа при высоких или низких частотах.

Страницы: 1 2 3
. © Copyright 2008 - 2014 by Знание

Поделиться:


.

Трудно искать информацию на сайте ? Воспользуйтесь поиском от Google по сайту: