Арсениды

Cтраница 2

Арсенид ( мышьяковистый) алюминия представляет собой трудно синтезируемое соединение. Для получения этого вещества рассчитанные количества алюминия и мышьяка помещают в графитовый тигель, предварительно прокаленный в вакууме до 2000 С. [16]

Арсенид ( мышьяковистый) индия подобно InSb относится к числу интереснейших полупроводниковых соединений благодаря высокой подвижности носителей тока, малой эффективной массе и большому отношению подвижности носителей. [17]

Арсенид образует темно-серые кристаллы с металлическим блеском, вполне устойчивые на воздухе. [18]

Арсенид галлия ( ОСТ 4.032.015 - 80) применяется для производства электронных приборов и эпитакснальных структур. Выращивают монокристаллы либо горизонтальной направленной кристаллизацией, либо вытягиванием по методу Чохральского из-под флюса. В качестве легирующих примесей используют теллур, олово, цинк и кремний. Монокристаллические слитки, легированные цинком, имеют дырочный тип электрической проводимости, остальные - электронный. Ориентация продольной оси монокрнсталли-ческих слитков [111], [100], ( НО. [19]

Арсенид индия для производства полупроводниковых приборов и оптических целей ( ТУ 48 - 4 - 420 - 80) выпускается в виде поликристаллических слитков, выращенных по методу Брид-жмена ( марка ИМЭП-0) и по методу Чохральского ( марка ИМЭП-1), и в виде монокристаллических слитков, нелегированных и легированных теллуром, оловом, цинком и марганцем, выращенных по методу Чохральского. [20]

Основные элементарные ячейки прямых решеток и кристаллическая структура ряда элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений ( а - постоянная решетки. [21]

Арсенид галлия является соединением типа А111 Ву, поскольку образован элементами III и V групп периодической системы Менделеева. Многие полупроводники кристаллизуются в решетку типа вюрцита либо каменной соли. Решетка вюр-цита показана на рис. 15.2, а. Как и в решетках типа цинковой обманки, в структуре вюрцита отдельный атом также находится в тетра-эдрическом окружении четырех ближайших соседей. На рис. 15.2, б показана решетка каменной соли, которую можно рассматривать как две гранецентрированные кубические решетки, вставленные одна в другую. В этой структуре каждый атом окружен шестью ближайшими соседями. [22]

Арсенид галлия ( ОСТ 4.032.015 - 80) применяется для производства электронных приборов и эпитаксиальпых структур. Выращивают монокристаллы либо горизонтальной направленной кристаллизацией, либо вытягиванием по методу Чохральского из-под флюса. В качестве легирующих примесей используют теллур, олово, цинк и кремний. Монокристаллические слитки, легированные цинком, имеют дырочный тип электрической проводимости, остальные - электронный. [23]

Арсенид индия для производства полупроводниковых приборов и оптических целей ( ТУ 48 - 4 - 420 - 80) выпускается в виде поликристаллических слитков, выращенных по методу Брид-жмепа ( марка ИМЭП-0) и по методу Чохральского ( марка ИМЭП-1), и а виде монокристаллических слитков, нелегированных и легированных теллуром, оловом, цинком и марганцем, выращенных по методу Чохральского. [24]

Арсенид галлия - прямозонный полупроводник с большим коэффициентом оптического поглощения; при спектральном составе падающего солнечного излучения, соответствующего условиям AMI, на глубине около 2 мкм поглощается 97 % всех фотонов. Почти полное совпадение параметров кристаллических решеток и отсутствие рекомбинационных центров на межфазной границе в изотипном переходе AlGaAs-GaAs были успешно использованы для устранения потерь, связанных с рекомбинацией носителей на лицевой поверхности в солнечных элементах с гетерофазной границей раздела, и получения в 1983 г. наивысшего КПД среди всех известных типов солнечных элементов. [25]

Арсенид магния используют в качестве люминофора при изготовлении люминесцентных ламп. [26]

Арсенид индия также характеризуется малой эффективной массой и высокой подвижностью носителей тока. [27]

Арсенид индия находится на втором месте после антимонида индия в отношении малой ширины запрещенной зоны и максимальной величины подвижности электронов. Он был широко изучен различными оптоэлектронными методами, и его значение в области детектирования излучения и использование в лазерной технике неизменно возрастают. [28]

Длины волн излучения лазеров из арсенида галлия. [29]

Арсенид галлия был первым полупроводником, в котором в качестве метода накачки для достижения лазерного эффекта использовалось двухфотонное поглощение ( см. [55] и разд. [30]

Страницы: 1 2 3 4