Конструкция - диод
Cтраница 3
Площадь перехода, толщина базы, а также габариты, вес и конструкция диода определяются рабочим током и рассеиваемой мощностью. У мощных выпрямительных диодов площадь перехода достигает 1 см2, а у маломощных выпрямительных - в десятки и сотни раз меньше. [31]
Нижний предел рабочих температур обусловлен различием температурных коэффициентов линейного расширения различных элементов конструкции диода: при низких температурах возникают механические напряжения, которые могут привести к растрескиванию полупроводникового кристалла. Принципиальное ограничение при этом может быть связано с энергией ионизации примесей в различных областях диодной структуры. Но энергия ионизации примесей в кремнии, которые обеспечивают электропроводность р - и n - типов, мала. Поэтому уже при температуре в несколько десятков кельвин все акцепторы и доноры оказываются ионизированными. С уменьшением температуры необходимо учитывать также увеличение прямого напряжения на диоде, которое происходит из-за увеличения высоты потенциального барьера на р - / г-переходе. [32]
Нижний предел рабочих температур обусловлен различием температурных коэффициентов линейного расширения различных элементов конструкции диода: при низких температурах возникают механические напряжения, которые могут привести к растрескиванию полупроводникового кристалла. Принципиальное ограничение при этом может быть связано с энергией ионизации примесей в различных областях диодной структуры. Но энергия ионизации примесей в кремнии, которые обеспечивают электропроводность р - и п-типов, мала. Поэтому уже при температуре в несколько десятков кельвин все акцепторы и доноры оказываются ионизированными. С уменьшением температуры необходимо учитывать также увеличение прямого напряжения на диоде, которое происходит из-за увеличения высоты потенциального барьера на р-п-переходе. [33]
Максимальная и минимальная температуры определяются физическими свойствами применяемых при изготовлении диодов материалов и особенностями конструкции диодов. Величины крайних температур устанавливаются на основе изучения реальных характеристик диодов и длительных испытаний при различных температурах и электрических нагрузках. [34]
Максимальная и минимальная температуры определяются физическими свойствами применяемых при изготовлении диодов материалов и особенностями конструкции диодов. [35]
Максимальная и минимальная температуры определяются физическими свойствами применяемых при изготовлении диодов материалов и особенностями конструкции диодов. Величины крайних температур устанавливаются на основе изучения реальных характеристик диодов и длительных испытаний при различных температурах и электрических нагрузках. [36]
Крепление диодов в аппаратуре рекомендуется осуществлять путем приклеивания теплопроводящим клеем, не приводящим к разрушению конструкции диода, или с помощью крепежного фланца. [37]
В связи с тем что пробивное напряжение при тепловом пробое уменьшается с увеличением теплового сопротивления, на совершенство конструкции диода с точки зрения уменьшения его теплового сопротивления следует обратить особое внимание. Необходимо также отметить, что тепловое сопротивление может увеличиться из-за неправильной установки диода, когда он оказывается теплоизолированным. Напряжение теплового пробоя при этом может существенно уменьшиться. [38]
В связи с тем, что пробивное напряжение при тепловом пробое уменьшается с увеличением теплового сопротивления, на совершенство конструкции диода с точки зрения уменьшения его теплового сопротивления следует обратить особое внимание. Необходимо также отметить, что тепловое сопротивление может увеличиться из-за неправильной установки диода, когда он оказывается теплоизолированным. Напряжение теплового пробоя при этом может существенно уменьшиться. [39]
При монтаже диодов не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции диодов. [40]
При монтаже диодов не допускается использование мате-эиалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции диодов. Защитное покрытие диодов изготовлено из компаунда ОП-433. Диоды рекомендуется паять припоем ПОСК-50-18, ПОИ-50 или другим припоем слабо растворяющим золотое покрытие. [41]
 |
Пояснение принципа действия параметрического усилителя. [42] |
Конструкция варикапов, используемых на СВЧ ( параметрических диодов), должна, естественно, удовлетворять общим требованиям, предъявляемым к конструкции СВЧ диодов. [43]
Маркировка полупроводниковых диодов состоит из двух элементов: первым является буква Д ( диод), вторым - число, указывающее на применяемый материал и конструкцию диода. Так, например, диоды означают: Д1 - ДЮО - германиевые точечные, Д101 - Д200 - кремниевые точечные, Д201 - ДЗОО - германиевые плоскостные, Д301 - Д400 - кремниевые плоскостные. [44]
 |
Параметры вольтамперной. [45] |
Страницы: 1 2 3 4