Конструкция - микросхема
Cтраница 1
Конструкция микросхемы состоит из трех частей: кристалла, корпуса для защиты кристалла от климатических и механических воздействий и удобства монтажа, а также проводников для электрической связи между кристаллом и выводами корпуса. [1]
Конструкция микросхемы допускает трехкратное воздействие групповой пайки и лужения выводов горячим способом без применения теплоотвода при температуре групповой пайке не более 265 С в течение не более 4 с. [2]
Конструкция микросхем допускает трехкратное воздействие групповой пайки и лужение выводов горячим способом без применения теплоотвода. Групповая пайка осуществляется при температуре не свыше 265 С в течение не более 4 с, ручная пайка - при температуре паяльника не более 360 С, время пайки не более 4 секунд с применением теплоотвода. [3]
Конструкция микросхемы состоит из трех частей: кристалла, корпуса для защиты кристалла от климатических и механических воздействий и удобства монтажа, а также проводников для электрической связи между кристаллом и выводами корпуса. [4]
Конструкция микросхемы состоит из трех частей: кристалла, корпуса для защиты кристалла от климатических и механических воздействий и удобства монтажа, а также проводников для электрической связи между кристаллом и выводами, корпуса. [5]
Конструкция микросхемы состоит из трех частей: кристалла, корпуса для защиты кристалла от климатических и механических воздействий и удобства монтажа, а также проводников для электрической связи между кристаллом и выводами корпуса. [6]
Конструкция микросхемы выпускаются в прямоугольных металлокера-мических корпусах 201.14 - 10 с перпендикулярным расположением выводов. [7]
Конструкция микросхемы состоит из трех частей: кристалла, корпуса для защиты кристалла от климатических и механических воздействий и удобства монтажа, а также проводников для электрической связи между кристаллом и выводами корпуса. [8]
Конструкции микросхем не ограничиваются только представленными типами корпусов, так как фирмы-изготовители могут выпускать любые варианты стандартных и нестандартных корпусов. [9]
Конструкция микросхем планарно-эпитаксиальнопо типа анало-шчна плаларно-диффузионным. Однако их структуру создают путем эп итаисиального наращивания тонкого монокристаллического слоя кремния n - типа на относительно ( высакоомную подложку р-типа и методами последовательной двойной локальной диффузии легирующих примесей IB элит аксиальный слой. Формирование локальных областей в полупроводниковом кристалле под элементы схемы, определяется методом изоляции. Так, изоляция элементов абеспенивается путем односторонней селективной разделительной) диффузии акцепторной примеси на всю толщину эпитакси-ального слоя. При этом образуются локализованные области эпи-таксиалышго слоя с проводимостью / г-типа, окруженные со всех сторон изолирующими областями р-типа. Для формирования транзисторной структуры в этих областях используют только два по следовательных процесса диффузии. [10]
 |
Структурная схема импульсного стабилизатора постоянного напряжения ( а, временные диаграммы выходного напряжения ( б. [11] |
Конструкция микросхемы серии К142 позволяет устанавливать их на теплоотводящий радиатор, благодаря чему увеличивается максимально допустимая мощность, рассеиваемая стабилизатором. [12]
Параметры конструкции микросхем повышенного уровня интеграции, располагаемые на двух слоях платы, могут быть рассчитаны по следующим формулам. [13]
При этом конструкция микросхемы представляет собой изолированные островкя с элементами, электрически и механически объединенные балочными выводами. [14]
Корпус интегральной микросхемы часть конструкции микросхемы, предназначенная для ее защиты от внешних воздействий и соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. [15]
Страницы: 1 2 3