Конструкция - микросхема
Cтраница 3
Периодические яспытаиия проводятся с целью подтверждения стабильности технологического процесса производства микросхем за контролируемый период. Неудовлетворительные результаты испытаний указывают на дефекты производства или конструкции микросхемы, которые не были выявлены ранее. [31]
При заданном значении удельного сопротивления минимальная ширина проводящей пленки определяется также предельно допустимой плотностью тока, проходящего через проводник, и допустимой величиной падения напряжения. Первая из этих величин, в свою очередь, зависит от целого ряда теплофизических параметров конструкции микросхемы и в первом приближении монотонно возрастает с уменьшением теплового сопротивления системы проводник-окружающая среда. Поскольку тепловыделения в пленочных проводниках обычно невелики, тепловое сопротивление системы проводник-подложка мало, и с достаточной для расчетов точностью можно считать, что все тепло аккумулируется подложкой. [32]
 |
Минимизация пересечений проводников в канале при линейном размещении микроэлементов в БИС. [33] |
Как было показано выше, существующие методы компоновки и размещения оптимизируют, как правило, лишь один показатель качества и весьма слабо учитывают взаимосвязь всех задач конструирования БИС. В связи с этим возможна такая ситуация, когда каждая отдельная задача решена оптимально, а в целом конструкция микросхемы получается неоптимальной. В частности, следует отметить, что критерий (5.11) при компоновке БИС не содержит правил объединения в блоки несвязанных элементов, а также элементов, инвариантных для компоновки по числу взаимных связей. В последнем случае методы компоновки обычно допускают выбор любого допустимого решения, что может отрицательно сказываться на этапах размещения и трассировки. [34]
Автоматизация технологических процессов сборки позволяет снизить трудоемкость производства, повысить качество изделий, исключить работу человека во вредном производстве. Автоматизация процессов изготовления узлов РЭА с применением интегральных схем позволяет реализовать возможности повышения надежности аппаратуры, заложенные в самой конструкции микросхем. [35]
Благодаря минимальным размерам активных и пассивных элементов в одном корпусе создается целая электронная схема, называемая интегральной ( объединенной) микросхемой. По конструкции микросхемы делят на гибридные и монолитные. [36]
Весь цикл подготовки элементов, сборки и монтажа узлов и приборов МЭА представляет последовательность механических, тепловых, химических и других действий над деталями, компонентами и материалами. Технологический процесс изготовления МЭА является многофакторным. При этом конструкции микросхем и полупроводниковых приборов исключительно чувствительны к внешним воздействиям. Поэтому для обеспечения высокого качества и надежности МЭА необходимо нормировать технологические режимы и параметры процессов. В настоящее время разработаны нормативно-технические документы ( ГОСТ, ТУ, ОСТ и др.), определяющие общие и специальные требования, предъявляемые к элементам и процессам изготовления МЭА. [37]
 |
Компоновка узлов на микросхемах совместно с навесными деталями ( / - узлы с микросхемами. 2 - дискретные компоненты. 3 ту печатная плата. [38] |
Во втором случае ( рис, 8.12 6) микросхемы крепят к жестким платам. Такие конструкции применимы только при облегченном тепловом режиме. В некоторых Конструкциях микросхемы крепят на гибком основании из резины ( ремне), которое прошито соединительными проводами ( до 250 шт. [39]
 |
Конструкция микропо-лосковой линии в разрезе. [40] |
Частотно-избирательные микросхемы ( ЧИМ) используют для выполнения функции фильтрации и избирательного выделения сигналов в микроэлектронной аппаратуре. В аппаратуре на обычных дискретных элементах эти функции осуществляли узлы из объемных катушек индуктивностей, конденсаторов и резисторов, имеющих сравнительно большие габариты. Применение этих частотно-избирательных узлов несовместимо с конструкцией микросхем. [41]
При производстве РЭА широко используются групповые методы выполнения отдельных технологических операций, например лужение выводов микросхем способом окунания в расплавленный припой или пайка методом волны припоя. Режимы этих операций ( температура расплавленного припоя, время контакта припоя с выводами корпуса, площадь зоны контакта вывода с припоем), выбранные без учета характеристик теплопередачи конкретных типов корпусов микросхем, могут привести к их разрушению. На рис. 6.6 схематично показаны отдельные элементы конструкции микросхемы, которые подвергаются тепловому воздействию и участвуют в передаче тепла. При контакте с расплавленным припоем вдоль вывода микросхемы создается перепад температуры, вызывающий передачу тепла. [42]
Страницы: 1 2 3