Контакт - область
Cтраница 1
Контакты областей 3 соединены между собой и образуют общий контакт. От всех трех контактов имеются выводы. Часть объема пластины полупроводника, расположенная между р-п-перехо-дами, является активной частью транзистора - канал транзистора. Контакт, через который носители заряда входят в канал, называют истоком ( И); контакт, через который носители заряда вытекают, называют стоком ( С); общий электрод от контактов областей ( 3) - затвором. [1]
Вблизи контакта областей начинает сказываться влияние неосновных для данной области носителей заряда - так называемого инверсного слоя. Образование такого слоя в несимметричных переходах поясняет рис. В. Как видно из рисунка, в связи с тем, что падения напряжений на областях перехода обратно пропорциональны концентрации примесей в них, точка, где уровень Ферми в состоянии равновесия пересекает середину запрещенной зоны, не совпадает с границей контакта областей, легированных примесями разных типов. Следовательно, в слабо легированной части несимметричного резкого электронно-дырочного перехода существует слой, тип носителей в котором не соответствует типу примесей. Такой слой и называют инверсным. [2]
 |
Зависимость площади контакта от приложенной нагрузки ( контакт - поверхности 8 класса чистоты с абсолютно гладкой поверхностью. [3] |
Известно, что процессы износа связаны с появлением в точках контакта пластически напряженных областей. Вследствие этого необходимо определить только площадь пластического контакта. [4]
 |
Ступенчатый р-п переход. [5] |
Электронно-дырочный переход ( р-п переход) образуется внутри одного кристалла при контакте области р-типа и области / г-типа. Плотность акцепторов и плотность доноров на границе контактируемых областей резко меняются, образуя ступенчатый переход. В зависимости от способа создания р-п переходы делятся на сплавные и выращенные. Сплавные переходы, применяемые на практике, представляют собой переходы, весьма близкие к ступенчатым, р-п переходы являются основой транзисторной техники. [6]
Мы предполагаем также, что выделению энергии, запасенной молекулами, может способствовать наличие примесей в воздухе или контакт возбужденной области с твердым материалом. [7]
Одним из наиболее эффективных и часто употребляемых методов уменьшения последовательного сопротивления контакта и инжекции с него является создание непосредственно у контакта области полупроводника с удельным сопротивлением, во много раз меньшим, чем удельное сопротивление основного объема полупроводника. Поскольку приконтактная область будет характеризоваться высокой концентрацией примесей, инжекция неосновных носителей в нее будет ослаблена. Кроме того, увеличение концентрации примесей связано, как правило, со снижением времени жизни в приконтактной области. Если эти примеси ( только в приконтактной области, для всего объема полупроводника это не всегда желательно. [8]
Гетерогенность здесь обусловлена наличием обособленных в фильтрационном отношении зон - активных ( проточных) и пассивных ( застойных), причем включение последних в общий процесс переноса зависит от массообмена на контакте областей с различной концентрацией под действием молекулярной диффузии и поперечной дисперсии. Поэтому изменение объемного содержания вещества в системе контролируется уже не только активной пористостью, как это предполагается в традиционной схеме микродисперсии, но зависит также от степени вовлечения пассивных зон в процесс массопереноса. В пределе эффективная емокость близка к суммарной пористости. [9]
Нередко насыщение гидрофобных групп в пределах третичной структуры одной молекулы оказывается невозможным. Вследствие контакта малополярной области с окружающей полярной средой такая глобулярная молекула обладает повышенной поверхностной энергией. Несколько таких молекул, объединяясь в строго определенных пропорциях, образуют упорядоченные октаэдрические или иные пространственные структуры, которые можно рассматривать как зародыши трехмерных кристаллов, удерживаемые в водном растворе за счет внешних полярных групп, взаимодействующих с водой. Такие агрегаты молекул очень чувствительны к любому изменению баланса сил и диссоциируют в узких диапазонах рН или состава растворителя. Особо рельефно эти свойства проявляются у растительных глобулинов. [10]
Отечественной промышленностью выпускаются диоды плоскостного и точечного типов. В плоскостном диоде контакт областей с разным механизмом проводимости осуществляется по некоторой плоскости; p - n - переход в точечном диоде создается между германием с электронной проводимостью и острием металлической контактной пружинки, под которой находится капелька акцепторной примеси. [11]
Подача напряжения данной полярности смещает p - n - переход затвора в обратном направлении. При этом вблизи контакта областей п - и р-типов создается область, обедненная носителями тока. [12]
 |
Стесненное струйное течение в псевдоожиженном слое частиц нитроаммофоски. [13] |
Особый интерес представляет случай, когда при минимальном расстоянии между центрами сопел 1тц, слияние струй или коалесценция возникающих пузырей не наступают вплоть до достижения некоторого уровня над срезом сопел. Комплекс экспериментальных данных показывает, что это расстояние определяется условием контакта областей замкнутой циркуляции частиц вокруг пузырей, генерируемых струями. [14]
Напряжение, имеющее рассмотренную полярность, называют обратным и считают отрицательным. Толщина р-п-перехода с увеличением обратного напряжения по абсолютному значению увеличивается, так как при этом увеличивается суммарная напряженность электрического поля в p - n - переходе и увеличивается глубина проникновения этого поля в прилегающие к контакту области. [15]
Страницы: 1 2