Низкоомный контакт
Cтраница 1
Низкоомный контакт формируют, используя либо взаимное давление контактов, при котором разрушается пленка окисла и грязи, либо местный дуговой разряд, в результате которого образуются каналы расплавленного металла. Если напряжение между контактами недостаточно велико для пробоя пленки окисла, то имеет место емкостной эффект. [1]
При низкоомном контакте ( с сопротивлением менее 10 мОм) трубопровод подвергается опасности коррозии вследствие образования гальванического элемента, причем проржавевшая внутренняя поверхность футляра становится катодом. [2]
Анодное заземление предназначено для создания электрического низкоомного контакта положительного полюса источника тока СКЗ с грунтом при наложении на газопровод внешнего тока. Оно является положительным электродом электрохимического элемента, образованного СКЗ и работающего в режиме непрерывного заряда. [3]
Однако такое упрощение допустимо только при очень низкоомном контакте и в случае если на трубопровод не натекает никакой другой ток. В ином случае нужно отдельно измерять силу токов, натекающих в трубопровод за пределами измерительного участка, и учитывать их в расчете. Это делается косвенно также и при локализации контакта с неизвестным трубопроводом. [4]
Важным требованием к многослойной металлизации является необходимость образования низкоомных контактов между первым и вторым металлическими слоями. [5]
При использовании электроннолучевой накачки не возникают присущие инжекционным лазерам проблемы, связанные с созданием р-га-переходов или низкоомных контактов. Поэтому с ее помощью можно получить значительно более равномерное распределение инвертированной населенности на большой поверхности полупроводника. Большие когерентно излучающие поверхности полупроводника позволяют получить малые углы расходимости, а равномерность излучения способствует улучшению конфигурации волнового фронта. Интенсивностью и точкой падения электронного пучка можно управлять непрерывно и с высокой точностью. При одновременном использовании нескольких электронных пушек могут быть получены практически любые желаемые конфигурации активной зоны в полупроводнике. Электроннолучевая накачка позволяет создавать лазеры на тех полупроводниках и фосфорах, в которых вообще не могут быть созданы удовлетворительные р-я-переходы. [6]
 |
Конструкция тонкопленочного транзистора. [7] |
Возможная конструкция тонкопленочного транзистора показана на рис. 10.8. Электроды исток и сток обычно изготовляются из металлов, которые создают низкоомный контакт с полупроводником. [8]
Плотности защитного тока на отдельных участках трубопровода получаются гораздо более низкими, чем при работе без такого контакта ( верхняя часть рис. 3.24), за исключением того участка, где образовался низкоомный контакт с посторонним сооружением. Очевидно, что на этом участке сопротивление изоляционного покрытия соответственно мало. На прочих участках трубопровода сопротивления изоляции имеют такой же порядок величин, как и при работе без контакта. Если бы был закорочен изолирующий фланец, то значения потенциалов получились бы почти такими же, но при большей силе тока в пункте измерений с координатой 27 210 км. [9]
При наличии слоя Gai - AUAs образуется отражающий потенциальный барьер для электронов, генерируемых в p - GaAs, благодаря чему снижаются их потери вследствие поверхностной рекомбинации; кроме того, этот слой служит прозрачным низкоомным контактом к GaAs; уменьшающим последовательное сопротивление элемента. [10]
 |
Медный шарик в качестве вывода полупроводниковых приборов. [11] |
Алюминий напыляют на алюминиевую металлизацию кристалла. Для обеспечения хорошего низкоомного контакта между слоями алюминия необходимо разрушить окисную пленку. Это делается до или во время процесса напыления. [12]
 |
Рекомендации по применению контактолов. [13] |
Контактол КН-3 позволяет получать стабильные низкоомные контакты к таким металлам, как Al, Ni, Си, сталь, углерод, а также к некоторым полупроводниковым материалам. Способен выдерживать длительное ( 1000ч) воздействие температуры 200 С и кратковременное ( 5 мин) - 350 С. [14]
Протяженность зоны защиты должна быть ограничена установкой изолирующих фланцев. Не должно быть никаких соединений ( низкоомных контактов) на землю, через которые может теряться заметная доля защитного тока. Чем выше затраты на подвод тока в установках с наложением тока от внешнего источника, тем больше сдвигается экономичность в пользу систем с протекторами. [15]
Страницы: 1 2