Омический контакт

Cтраница 1

Омические контакты являются важным компонентом конструкции солнечных элементов, но их исследованию уделяется еще пока недостаточно внимания. Хотя с точки зрения теории уже достигнуты определенные успехи, процесс изготовления контактов все еще сопряжен с определенными трудностями. [1]

Омический контакт применяется в диодах, транзисторах, в интегральных схемах и др. Этот контакт обладает малым сопротивлением, не искажает форму передаваемого сигнала и не создает в цепи электрических шумов. Для получения качественного контакта используют специальную технологию ( см. гл. [2]

Зонные диаграммы невыпрямляющих контактов металла с полупроводником. [3]

Омические контакты осуществляют в местах присоединения внешних выводов к полупроводниковому слою. Такие контакты не образуют дополнительного ( паразитного) перехода. Получение омических контактов является задачей не менее важной, чем получение рабочих р-п переходов. Как видим, эта структура состоит из двух переходов: rf-n и т -, где через т обозначен слой металла. Оба перехода не являются инжектирующими, как было показано в предыдущих разделах. Кроме того, они не обладают и вентильными свойствами. Поэтому в целом структура п-п - т ведет себя почти как омическое сопротивление слоя п при любой полярности напряжения. Рассмотрим механизм прохождения токов. Пусть напряжение приложено минусом к слою п и плюсом к металлу. Тогда потенциалы слоев п и п повысятся, высота барьера п-г. Электроны из - слоя будут свободно переходить в - слой независимо от высоты барьера п-п, а понижение барьера п - т обеспечит переход электронов из п - слоя в / n - слой. Пусть теперь напряжение приложено плюсом к - слою. [4]

Омический контакт можно определить как контакт, на котором не имеет места выпрямление или другие нелинейные эффекты. Однако это определение является упрощенным и не охватывает некоторые практические моменты, важные для работы прибора, в частности, понятие о сопротивлении контакта. Более правильно рассматривать омический контакт, как элемент, лишь обеспечивающий прохождение электрического тока в полупроводник ( или в обратном направлении), но не участвующий в активных процессах, которые происходят в приборе. [5]

Омические контакты можно изготовлять пайкой, вплавлением, сваркой, напылением, электрохимическим или химическим нанесением покрытий и другими операциями, которые подробно рассмотрены в следующем параграфе. Здесь необходимо лишь упомянуть о двух способах, которые применяются для устранения инъекции неосновных носителей заряда через омический контакт. Один из способов заключается в такой специальной обработке поверхности полупроводника, образующей контакт, чтобы неосновные носители рекомбинировали в непосредственной близости от него и не проникали в объем полупроводника. Другой способ заключается в дополнительном легировании приповерхностного слоя полупроводника вблизи контакта примесью, определяющей тип проводимости в объеме полупроводника. [6]

Омический контакт к базе триода с тянутыми п-р - п переходами осуществляется путем приварки к нему тонкой заостренной золотой проволоки. [7]

Омический контакт с коллектором осуществляется приплавлением кремниевой пластинки к пластинке из ковара, покрытой сплавом золото-сурьма. [8]

Диаграмма направленности излучения светодиода АЛ 102. [9]

Омические контакты с n - GaP изготавливаются вплав-лением сплава индия с никелем, к p - QaP - сплава 1п l % Zn 3 % NI. Никель вводится для улучшения смачивания фосфида галлия сплавом. [10]

Омический контакт получался последовательным гальваническим осаждением слоев олова и золота. [11]

Входные ( а и выходные ( б вольт-амперные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. [12]

Омические контакты изготавливались последовательным осаждением электрохимическим способом никеля и золота. Далее пластины разрезались на структуры. [13]

Омический контакт, от которого начинают движение основные носители заряда, называется истоком, а омический контакт, к которому они двигаются через канал, - стоком. Электрод, используемый для управления величиной поперечного сечения канала, называется затвором. Для эффективного управления сечением канала управляющий р-п переход делают резко несимметричным так, чтобы запирающий слой в основном располагался в толще полупроводниковой пластинки, имеющей относительно малую концентрацию основных носителей, т.е. пп рр. При подаче отрицательного напряжения на затвор запирающий слой расширяется, что приводит к сужению токопроводящего канала и к увеличению его сопротивления. [14]

Омический контакт не должен быть способен к ин-жекции ( испусканию) неосновных носителей, так как это может существенно ухудшить работу прибора. Если, например, инжектируемые неосновные носители достигнут р - n - перехода, это приведет к заметному увеличению обратного тока прибора. Омический контакт должен обладать достаточной механической прочностью и хорошей теплопроводностью. [15]

Страницы: 1 2 3 4