Cтраница 2
Реле ПН включено по схеме повторителя поляризованного контакта реле Н, при этом для возбуждения реле ПН необходимо, чтобы реле Я находилось под током. Возбудившись, реле ЯЯ подготавливает цепь блокировки и при обесточива-нии реле Я остается под током - замедление реле ЯЯ больше времени перелета нейтрального контакта реле Я. При смене направления с изменением полярности питания реле ЯЯ обесточивается, фиксируя установку нормального направления движения и приводя в соответствующее положение схему установки. Примененная схема включения реле ЯЯ обеспечивает правильную работу устройств в случае, если реле Я под действием кратковременной помехи изменит положение поляризованного якоря, так как для обесточивания или возбуждения реле ЯЯ нужно определенное, значительное время, в течение которого реле Я должно держать нейтральный якорь притянутым. [16]
В случае полимерных диэлектриков, по-видимому, нейтральный контакт с электродами обеспечить трудно, большую роль играют приэлектродные процессы, с чем и связаны различные нелинейные эффекты, зависимость силы тока от времени. Однако в случае переменного электрического поля, когда обмен носителями заряда с электродами не столь существенен, могут, как и при нейтральном контакте, обеспечиваться условия, когда протекание тока через полимерный диэлектрик обусловлено объемными, а не приэлектродными процессами. [17]
В нижней части стеклянного баллона находится резервуар, из которого по капиллярным трубкам и другим частям конструкции ртуть поднимается наверх и смачивает контакты. Один контакт реле сделан из магнитного материала, а второй - из немагнитного. При срабатывании реле подвижный якорь переходит от нейтрального контакта к рабочему. Поскольку же контакты смачиваются ртутью, то размыкание контакта сопровождается разрывом образующегося ртутного мостика. Освободившаяся при этом ртутная капля падает обратно в резервуар. Давление внутри баллона равно нескольким атмосферам. [18]
Поясним природу этого эффекта на примере нейтрального контакта полупроводника с металлом. Напомним, что нейтральным называют контакт двух материалов, обладающих одинаковыми работами выхода. В таком контакте отсутствуют слои обогащения или обеднения, нет изгиба зон. На рис. 9.3, а показана энергетическая диаграмма нейтрального контакта металла с п-полупроводником. [19]
Омическим контактом называется контакт, представляющий собой резервуар носителей, которые могут по мере надобности переходить в полупроводник. Может показаться, что это определение является все го лишь окольным путем для описания контакта, в котором зоны загнуты так, что концентрация носителей вблизи контакта понышена по сравнению с остальным объемом полупроводника. Однако это определение включает также случай, описанный в § 2, где сильно поглощаемый свет высокой интенсивности обеспечивал наличие омического контакта даже в отсутствие такого загиба зон. Кроме того, запирающий контакт, если он достаточно тонок, чтобы сделать возможным туннельное просачивание носителей из металла в полупроводник, действует подобно омическому контакту, по крайней мере в том смысле, что для него соблюдается закон Ома и должны наблюдаться также токи, ограниченные объемным зарядом. В этом случае к обедненному слою достаточно приложить очень малое напряжение, чтобы обеспечить необходимый туннельный ток, и такой контакт можно рассматривать как квазиомический. Наконец, нейтральные контакты действуют подобно омическим в узком смысле соблюдения закона Ома в области токов, не превышающих тока насыщения эмиссии. Нейтральные контакты не имеют резервуара, концентрация носителей в котором превышает объемную, и, следовательно, они не позволяют получать токи Ограниченные объемным зарядом. [20]
Омическим контактом называется контакт, представляющий собой резервуар носителей, которые могут по мере надобности переходить в полупроводник. Может показаться, что это определение является все го лишь окольным путем для описания контакта, в котором зоны загнуты так, что концентрация носителей вблизи контакта понышена по сравнению с остальным объемом полупроводника. Однако это определение включает также случай, описанный в § 2, где сильно поглощаемый свет высокой интенсивности обеспечивал наличие омического контакта даже в отсутствие такого загиба зон. Кроме того, запирающий контакт, если он достаточно тонок, чтобы сделать возможным туннельное просачивание носителей из металла в полупроводник, действует подобно омическому контакту, по крайней мере в том смысле, что для него соблюдается закон Ома и должны наблюдаться также токи, ограниченные объемным зарядом. В этом случае к обедненному слою достаточно приложить очень малое напряжение, чтобы обеспечить необходимый туннельный ток, и такой контакт можно рассматривать как квазиомический. Наконец, нейтральные контакты действуют подобно омическим в узком смысле соблюдения закона Ома в области токов, не превышающих тока насыщения эмиссии. Нейтральные контакты не имеют резервуара, концентрация носителей в котором превышает объемную, и, следовательно, они не позволяют получать токи Ограниченные объемным зарядом. [21]