Cтраница 4
При этом должна предусматриваться специальная обработка мест крепления транзисторов. [46]
При этом должна предусматриваться специальная обработка мест крепления транзисторов. [47]
Для этого поверхность радиатора или шасси в месте крепления транзистора шлифуют или тщательно выравнивают и зачищают; дно транзистора также зачищают и, удалив с обеих поверхностей опилки, стружки и другие посторонние частицы, плотно притягивают транзистор к охлаждающей поверхности предусмотренными для этой цели винтами или другим приспособлением. [48]
Крепление где. [49] |
Вышеуказанными формулами следует пользоваться в случае односторонне сребренного теплоотвода при креплении транзистора на гладкой поверхности. [50]
Толщина радиатора или теплоотгюда должна обеспечивать малую разность температур в точке крепления транзистора и на краю радиатора; обычно для этого достаточна толщина материала от 1 до 5 мм, в зависимости от отводимой мощности. [51]
Изгибать выводы ближе чем на 5 мм от корпуса и использовать их для крепления транзисторов запрещается. [52]
Толщина радиатора должна быть такой, чтобы обеспечивалась малая разность температур в точке крепления транзистора и на краю радиатора; обычно для этого достаточна толщина материала от 1 до 5 мм, в зависимости от отводимой мощности. [53]
Обжимка для штырей радиатора.| Радиатор для мощного транзистора. [54] |
Для этого вырезают из меди круг диаметром 60 мм, в центре заготовки размечают отверстия для крепления транзистора и его выводов. [55]
Способы охлаждения транзисто-ров в каскадах мощного усиления. [56] |
Радиатор или теплоотвод на металлические шасси обычно делают из металла с высокой тепло-яроводнтэстью алюминия или красной меди) такой толщины, чтобы разность температур в точке крепления транзистора и на краю радиатора не превышала нескольких градусов Цельсия. Обычно для этого достаточна толщина материала от 1 до 5 мм в зависимости от выделяемой в транзисторе мощности. [57]
Однако они имеют и недостатки: незначительна конструктивная гибкость при разработках схем; велико количество тонких паек; сложна технология изготовления компонентов схем и особенно обеспечение герметизации в месте крепления транзисторов к галете; высока стоимость изготовления даже при условии автоматизации производства. [58]