Крепление - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Никому не поставить нас на колени! Мы лежали, и будем лежать! Законы Мерфи (еще...)

Крепление - транзистор

Cтраница 4


При этом должна предусматриваться специальная обработка мест крепления транзисторов.  [46]

При этом должна предусматриваться специальная обработка мест крепления транзисторов.  [47]

Для этого поверхность радиатора или шасси в месте крепления транзистора шлифуют или тщательно выравнивают и зачищают; дно транзистора также зачищают и, удалив с обеих поверхностей опилки, стружки и другие посторонние частицы, плотно притягивают транзистор к охлаждающей поверхности предусмотренными для этой цели винтами или другим приспособлением.  [48]

49 Крепление где. [49]

Вышеуказанными формулами следует пользоваться в случае односторонне сребренного теплоотвода при креплении транзистора на гладкой поверхности.  [50]

Толщина радиатора или теплоотгюда должна обеспечивать малую разность температур в точке крепления транзистора и на краю радиатора; обычно для этого достаточна толщина материала от 1 до 5 мм, в зависимости от отводимой мощности.  [51]

Изгибать выводы ближе чем на 5 мм от корпуса и использовать их для крепления транзисторов запрещается.  [52]

Толщина радиатора должна быть такой, чтобы обеспечивалась малая разность температур в точке крепления транзистора и на краю радиатора; обычно для этого достаточна толщина материала от 1 до 5 мм, в зависимости от отводимой мощности.  [53]

54 Обжимка для штырей радиатора.| Радиатор для мощного транзистора. [54]

Для этого вырезают из меди круг диаметром 60 мм, в центре заготовки размечают отверстия для крепления транзистора и его выводов.  [55]

56 Способы охлаждения транзисто-ров в каскадах мощного усиления. [56]

Радиатор или теплоотвод на металлические шасси обычно делают из металла с высокой тепло-яроводнтэстью алюминия или красной меди) такой толщины, чтобы разность температур в точке крепления транзистора и на краю радиатора не превышала нескольких градусов Цельсия. Обычно для этого достаточна толщина материала от 1 до 5 мм в зависимости от выделяемой в транзисторе мощности.  [57]

Однако они имеют и недостатки: незначительна конструктивная гибкость при разработках схем; велико количество тонких паек; сложна технология изготовления компонентов схем и особенно обеспечение герметизации в месте крепления транзисторов к галете; высока стоимость изготовления даже при условии автоматизации производства.  [58]



Страницы:      1    2    3    4