Кривая - плотность - состояние
Cтраница 2
 |
Энергия Ферлш ( эВ для кластеров металлов, вычисленная методом ЕН. [16] |
Основной вклад в плотность состояний вносят d - орбитали, a s - и / ьорбитали образуют широкую полосу, полностью перекрывающую при п 13 d - полосу. Во всех случаях по мере роста размера кластера кривая плотности состояний весьма медленно сближается с таковой для безграничного металла. При этом ширина - полосы возрастает, составляя, однако, при п 79 только 86 % от ширины d - полосы массивного кристалла. [17]
Изменение плотности состояний с частотой имеет первостепенное значение для характеристик спектра. Любая ветвь дисперсионной диаграммы будет вносить существенный вклад в кривую плотности состояний для частоты, при которой градиент со по волновому вектору k близок к нулю. [18]
 |
Дисперсионные кривые, характеризующие энергетический спектр. [19] |
Значения энергии определены в 125-ти неэквивалентных точках / 24 части зоны Бриллюэна гексагонального кобальта. На рис. 12 представлены дисперсионные кривые для разных зон и на рис. 13 - кривая плотности состояний, построенные Вако и Ямашита. [20]
До-норный уровень расщепился в примесную зону ehd, верхняя граница которой располагается выше дна прежней зоны проводимости Е с, а нижняя граница - ниже Е с. Плотность состояний в этой зоне выражается кривой ehd. Наложение этой кривой на кривую ab дает кривую плотности состояний bghd для зоны проводимости такого полупроводника. Из рис. 6 9 6 видно, что в подобном полупроводнике, как и в металле, зона проводимости оказывается частично заполненной даже при абсолютном нуле. Самый верхний заполненный уровень представляет собой уровень Ферми. Электронный газ в зоне проводимости такого полупроводника, как и в зоне проводимости металла, является вырожденным. По этой причине такие полупроводники называются вырожденными. [21]
Меь Ме2) С, а также приемлемость для оценочных исследований однополосной и двухполосной моделей энергетического спектра карбидов. По мнению авторов, модель квазижесткой полосы пригодна в тех случаях, когда компоненты, образующие фазу переменного состава ( с комплектной решеткой), обладают сходными зависимостями N ( E), особенно вблизи уровня Ферми. Так, по-видимому, дело обстоит в случае квазибинарных систем ZrC - NbC и HfC - ТаС ( см. рис. 132), для которых, кроме того, можно ожидать неизменности положения минимума на кривой плотностей состояния при nv 8 l эл / мол. [22]
Страницы: 1 2