Прямое напряжение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Девушка, можно пригласить вас на ужин с завтраком? Законы Мерфи (еще...)

Прямое напряжение

Cтраница 3


Самое низкое прямое напряжение ( примерно 0 6 В) получается в схеме включения по способу а, когда переход коллектор - база закорочен. Самое высокое напряжение ( примерно 1 В) получается для случая г, когда цепь коллектор - база разомкнута.  [31]

Увеличение прямого напряжения до десятков вольт приведет к резкому увеличению ( в 10 - 50 раз) прямого тока диода, так как вольтамперная характеристика диода в прямом направлении диода не имеет участка насыщения.  [32]

33 Структурная схема управления тиристора.| Вольт-амперная характеристика тиристора.| Структурная схема управления тиристором ( а и принципиальная схема перевода тиристора в открытое состояние с помощью источника цепи управления. [33]

Величину прямого напряжения, при которой тиристор переключается в проводящее состояние при разомкнутом управляющем электроде, называют напряжением переключения.  [34]

Значение прямого напряжения предопределяет электрическую схему включения маг-нитодиода.  [35]

Увеличение прямого напряжения снижает высоту потенциального барьера, и последний перестает влиять на величину протекающего через переход прямого тока. Прямой ток диода будет при этом определяться лишь сопротивлением высокоомной базы и линейно зависеть от приложенного напряжения. Этот участок характеристики диода называется омическим и составляет в большинстве случаев основную ее рабочую область.  [36]

37 Схемы, поясняющие работу плоскостного. [37]

Для прямого напряжения, вызывающего большой прямой ток, обратный потенциал через переход почти полностью уничтожается.  [38]

39 Схема экспериментального определения. времени накопления.| Влившие времени накопления на выходное напряжение. [39]

Для прямого напряжения при токе 1 / ю1мажс значения напряжения составят соответственно 0 35 и 0 62 В, что хорошо согласуется с экспериментальными данными.  [40]

Увеличение прямого напряжения снижает высоту потенциального барьера, и последний перестает влиять на прямой ток, который течет через переход.  [41]

Влияние прямого напряжения может быть минимизировано заменой каждого диода парой, как показано на фиг. В этой схеме падение напряжения на парах диодов ( D1 и D /, D2 и D2) и изменение напряжений с температурой взаимно компенсируются.  [42]

Приложение прямого напряжения с крутым фронтом может вызвать включение тиристора через силовую цепь при напряжении, меньшем допустимого в нормальном режиме. Это в большинстве случаев ведет к повреждению прибора, так как начальная площадь включенного состояния структуры в данном случае мала и при крутом нарастании тока плотность тока достигает недопустимых значений, вызывая перегрев и повреждение структуры.  [43]

44 Смещение р-п перехода в прямом направлении. [44]

Полярность прямого напряжения Up противоположна полярности контактной разности потенциалов перехода фк. Поэтому потенциальный барьер перехода уменьшается и становится равным ффк - UF. Дрейфовые токи электронов и дырок через переход при этом уменьшаются, а диффузионные токи возрастают из-за снижения потенциального барьера на переходе. Условия / п 0 и / Р0, выполнявшиеся в равновесном состоянии, нарушаются. Через переход течет прямой ток IF, направление которого, как это следует из рис. 1.4 и 1.8, совпадает с направлением диффузионных токов электронов и дырок.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5