Анализ - переход - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Лучше помалкивать и казаться дураком, чем открыть рот и окончательно развеять сомнения. Законы Мерфи (еще...)

Анализ - переход

Cтраница 1


Анализ дублет-дублетного перехода у молекул типа сильно асимметричного волчка был проведен только в одном случае ( Диксон, Даксбери и Рамсей [2866]) полос поглощения РЫ2 в красной области, которые связаны с переходом zAi - 254 ( для сравнения см. фиг.  [1]

Проделав анализ переходов счетчика для других неиспользуемых внутренних состояний, легко убедиться, что он будет функционировать согласно графу переходов, показанному на рис. 4.48 6, т.е. модуль пересчета у счетчика не изменился, но кодирование внутренних состояний отличается от заданного.  [2]

3 Расчетные жарактеристики пя-ступенчатого пережода с П - волновода ( 11, с0 3751, г /, А0 9 / на. [3]

Алгоритм анализа перехода построен по следующей схеме. Секции перехода условно разбивают на достаточно малые отрезки, для усредненных размеров которых вычисляют матрицы передачи.  [4]

К анализу база-эмиттерного перехода, работающего в режиме больших переменных напряжений, можно применить методы, рассмотренные для диодов, а для анализа коллекторной цепи транзистора - методы, описанные выше.  [5]

При анализе переходов руководствуются правилами отбора.  [6]

Важный новый момент привносится в анализ переходов формулой (21.31): при заданной частоте возмущающего поля со совершаются не все возможные для системы переходы, а единственный, для которого разность энергий Еп и Ет соответствует этой формуле.  [7]

КСВН во всей полосе частот, все же анализ перехода, основанный частично на электрическом эквиваленте физической конструкции перехода, частично на проведенном ранее анализе прямоугольного коаксиального изгиба [2], приводит к эквивалентной схеме на фиг.  [8]

Одной из основных операций при работе с вводом цифровых данных является анализ переходов каких-либо битов во входном сигнале из 0 в 1 или наоборот. Как правило, такие переходы свидетельствуют об изменении состояния внешнего устройства, подключенного к ПЭВМ. Понятно, что программный анализ подобных переходов является достаточно трудоемкой задачей: необходимо считать цифровой код, выделить из него тот или иной бит и проанализировать его значение. Если такую операцию необходимо делать в реальном времени, то неизбежны потери времени на выделение и анализ бита. Обычно в пакеты программ встраиваются специальные процедуры для такого анализа.  [9]

Сопряжение формационного и цивилизационного носит диалектически-противоречивый характер, который обнаруживается уже при анализе перехода к цивилизации как социального переворота.  [10]

11 Распределение полей микрокоманды каналов. [11]

Два младших разряда адреса следующей микрокоманды формирует БУ ПМП в зависимости от результатов проведения анализов переходов.  [12]

13 Кривая зависимости / ( Ь [ Sah e. a., 19S7 ] и соответствующие значения прямого напряжения смещения V, рассчитанные при Ег Е. Тр0 / тп0 103 и Т 300 К.| Зависимость диодного коэффициента Л от нормированного прямого напряжения смещения qV / ( kT для симметричного гомогенного перехода при рекомбина-ционно-генерационном механизме протекания тока [ Sah е. а., 1957 ]. г ( Бг - - Ej / ( kT - параметр, характеризующий энергетический уровень рекомбинацион-ного центра. Тр0 / тп0 ян 20. нормированный диффузионный потенциал qV I ( kT 20. [13]

Чу [ Choo, 1968 ] усовершенствовал теорию СНШ, что позволило применить ее для анализа асимметричных переходов, в которых тп0 и тр0 могут изменяться в более широком диапазоне. Эти переходы, как и симметричные, характеризуются однородным распределением рекомбинационных центров ( имеющих единственный энергетический уровень) в обедненном слое; объемные свойства квазинейтральных областей также одинаковы. Отличительная особенность теории Чу состоит в том, что он использовал более точные значения пределов интегрирования при определении f ( b), а также учел зависимость f ( b) от ND и NA. Для р - и-переходов справедливы соотношения противоположного характера.  [14]

Представления о том, что каталитическое воздействие на реакции связано с электронными процессами, основано на анализе переходов электронов между атомами и поверхностными атомами катализатора. Такие переходы определяются в основном потенциалами выхода электронов ( см. 14.4.1) и влияют на стабильность адсорбционных комплексов. Эта точка зрения была подробно разработана член-корр.  [15]



Страницы:      1    2    3