Анализ - расположение
Cтраница 3
Для объяснения и количественной оценки эффекта упрочнения, определяемого коэффициентом р упр, в работе [22] предложена методика, основанная на анализе расположения эпюр изменения по сечению детали механических свойств, остаточных и рабочих напряжений. На рис. 3.48 и 3.49 представлены эпюры, соответствующие различным глубинам упрочненного ( наклепанного) слоя А, полученным изменением усилия обкатки. [31]
Выше были приведены примеры использования комбинации трех скользящих средних для определения трендовости текущего состояния бумаги и моментов открытия позиции. Для этого мы использовали анализ расположения скользящих средних друг относительно друга. Иногда бывает проще рассматривать не три скользящие средние ( когда для каждой бумаги и каждого временного периода нужно подбирать целых три параметра осреднения: nv ny пч), а две, отображая расположение этих средних в виде графика разности в отдельном окне. Такой индикатор очень популярен среди трейдеров и технических аналитиков, поскольку при правильно подобранных параметрах хорошо отражает состояние рынка выбранной бумаги. Этот индикатор называют схождением-расхождением скользящих средних или MACD ( Moving Averages Convergence-Divergence), и он включен в любой пакет технического анализа. Поскольку русскоязычный перевод названия этого индикатора довольно громоздок, он не прижился у отечественных трейдеров. [32]
Размер этого атома определен анализом расположения атомов в тех структурах, где направление связи С - Н ( или О - Н, или N - Н) было несомненным. Длина связи С - Н всюду была принята равной 1 08 А. [33]
 |
Активность холинэстеразы в ресничном ганглии кошки в норме ( а и. [34] |
Следовательно, свободный положительный заряд может помешать проникновению вещества не только через гем: атоэнпефаличе-ский барьер, но и через мембраны, окружающие нервную клетку. Эта способность делает ФОС исключительно ценным инструментом для анализа расположения холинэстераз в клетках. Действительно, межклеточная холинэстераза исчезает не только при действии третичного амина, но и при действии его четвертичного аналога. Следовательно, вся межклеточная холинэстераза является наружной. [35]
 |
Статические характеристики для выходов бензина и кокса при пониженной активности катализатора. [36] |
В случае одной-двух входных переменных большую помощь может оказать анализ расположения экспериментальных данных и уравнения регрессии на графике. Однако, как правило, приходится работать в ситуациях, когда входных переменных существенно больше. [37]
Кроме интерполяции в промежуточных точках, иногда нужно оценить значения функции за пределами области заданных точек. Все рассмотренные ранее функции интерполяции осуществляют экстраполяцию данных за пределами интервала заданных точек с помощью соответствующей зависимости, основанной на анализе расположения нескольких исходных точек на границе интервала данных. [38]
Такую смесь меченых фрагментов олигонуклеотида снова подвергают двумерному фракционированию электрофорезом на ацетил-целлюлозе и гомохроматографией на ДЭАЭ-целлюлозе, как описано выше, а затем проводят авторадиографию. Однако теперь вместо разбросанных по всей пластинке пятен фингерпринта получается зигзагообразная цепочка следующих друг за другом пятен ( рис. 173), анализ расположения которых дает информацию о последовательности нуклеотидов в олигонуклеотиде. [39]
Большинство узлов цифровых ЭВМ строится из однородных, повторяющихся элементарных схем. Исходя из этого, можно изготовить на отдельных участках полупроводниковой подложки такие элементарные схемы и испытать их, выделив годные, затем с помощью ЭВМ производится анализ расположения на подложке годных схем и разрабатывается топология соединений этих отдельных частей в более сложную микросхему. [40]
В результате, несмотря на свою изящность, этот метод в известной степени неэффективен для представления трехмерной информации. Объем вычислений при сравнениях объект - объект растет пропорционально квадрату числа потенциально видимых объектов. Этот закон является следствием анализа расположения каждого объекта относительно граней всех остальных объектов. [41]
Автор этой книги назвал период 40 - 50 - х годов эпохой романтического рентгеноструктурного анализа, так как расшифровка атомной структуры кристалла каждого соединения тогда представляла собой увлекательную задачу, похожую на решение шахматных головоломок. Применялись разнообразные весьма тонкие методы обработки экспериментального материала, призванные извлечь из него именно те детали структуры, которые представлялись ключевыми для дальнейшего продвижения в анализе расположения атомов. Высоко ценилось изящество приемов, позволявших добиться результата с минимальной затратой времени и средств на получение экспериментальных данных и на расчетные процедуры. [42]
 |
Распределение микротвердости по глубине для стали 45 в зависимости от вида обработки. [43] |
Для оценки распределения микротвердости по глубине поверхности в зависимости от вида обработки были поставлены эксперименты на образцах из стали 45 для поверхностей 3-го, 5-го и 9а классов чистоты. Для определения толщины наклепанного слоя, образовавшегося при механической обработке, были изготовлены косые шлифы под углом 2 к поверхности. На графиках на рис. 2 - 7 приведены данные экспериментов, полученные методом косых срезов путем замера микротвердости Яд на приборе ПМТ-3 под нагрузкой 100 г. Анализ расположения кривых зависимости микротвердости от высоты микронеровностей Яд / ( / г), а также данные авторов ЕЛ. Для того чтобы иметь ясное представление о микротвердости исследуемой поверхности, целесообразно определять ее в каждом частном случае. [44]
Большое число кристаллизующихся полимеров при осаждении их из очень разбавленных растворов образуют суспензию из крошечных пластиночек, имеющих правильную огранку ( рис. I. Элект - 7кр, С ронные дифрактограммы от таких пластиночек, высаженных на подложку, содержат дифракционные кр пятна ( рис. 1.5, в), из анализа расположения которых следует, что молекулярные цепи ориентированы перпендикулярно или под небольшим углом к базисным плоскостям кристаллов. Поскольку длина цепи во много раз больше толщины пластинок, постольку цепи на границе кристалла должны неизбежно складываться и возвращаться обратно в тот же кристалл. [45]
Страницы: 1 2 3 4