Анализ - рентгенограмма
Cтраница 1
 |
Температурные зависимости степени кристалличности чистого ПТФЭ и полимерной матрицы композиционных материалов / - ПТФЭ. 2 - криолон-3. 3 - КВН-3. [1] |
Анализ рентгенограмм показал также, что введение наполнителей снижает температуру плавления кристаллитов, т.е. влияет на температуру фазовых переходов. [2]
Анализ рентгенограмм позволяет выяснить характер распределения электронной плотности в кристалле. Таким путем узнают, являются ли исследуемые кристаллы ионными, ковалентными или молекулярными. На рис. 103 показано распределение электронной плотности в кристалле LiF. Характер расположения кривых равной электронной плотности ( заряд электрона на единицу объема) свидетельствует о преимущественном проявлении ионной связи. [3]
Анализ рентгенограмм ( рис. 1.39, табл. 1.2) показывает, что консолидация ИПД порошка Си, так же как и в рассмотренном выше случае Ni, приводит к росту отношения максимальных интенсивно стей рентгеновских пиков ( 111) и ( 200), что можно объяснить различным уширением, влиянием кристаллографической текстуры, различной формой профиля рентгеновских пиков. [4]
 |
Температурные зависимости степени кристалличности чистого ПТФЭ и полимерной матрицы композиционных материалов / - ПТФЭ. 2 - криолон-3. 3 - КВН-3. [5] |
Анализ рентгенограмм показал также, что введение наполнителей снижает температуру плавления кристаллитов, т.е. влияет на температуру фазовых переходов. [6]
Анализ рентгенограмм ( рис. 1.39, табл. 1.2) показывает, что консолидация ИПД порошка Си, так же как и в рассмотренном выше случае Ni, приводит к росту отношения максимальных ин-тенсивностей рентгеновских пиков ( 111) и ( 200), что можно объяснить различным уширением, влиянием кристаллографической текстуры, различной формой профиля рентгеновских пиков. [7]
Анализ рентгенограмм указывает на присутствие 10 3 таких атомов. Адсорбция водорода при 300 С приводит к восстановлению большей части палладия и к его миграции на внешнюю поверхность кристаллов. Размытые линии на рентгенограммах говорят о том, что кристаллы металлического палладия имеют размеры около 18 А. На образце, восстановленном при 25 С, хемосорбция водорода и кислорода не обнаружена. [8]
Анализ рентгенограмм наноструктурной Си показал [16, 17, 19], что ИПД приводит к некоторому росту интенсивности диффузного фона рассеяния рентгеновских лучей, достигающему 6 3 %, по сравнению с соответствующей крупнокристаллической Си. Причиной этого, помимо, точечных дефектов, могут быть и ВЗГД, вблизи ядер которых атомы, также как и в случае точечных дефектов, существенно смещены из равновесных положений в кристаллической решетке. Рассчитанные значения атомных смещений ц21 / 2 для наноструктурной Си оказались равными 0 0126 0 0003 нм, что составляет 5 0 % от кратчайшего расстояния между атомами. При этом температура Дебая равна 233 6 К, что для наноструктурной Си на 23 % меньше табличного значения. [9]
Анализ рентгенограмм показал, что при ( у - а - у) - цикле воспроизводится ориентация первичных аустенитных зерен. [10]
Анализ рентгенограммы, полученной в работе [4] при съемке с порошка Zr4Al3 ( образец отжигали при температуре 850 С), показывает, что это соединение имеет гексагональную решетку a 5 430 А, с 5 389 А; поданным работы [8], в которой исследовали структуру этого соединения с помощью фокусирующей камеры, a 5 433 0 002 А, с 5 390 0 002 А. [11]
Анализ рентгенограмм, снятых с порошков и монокристаллов, позволил определить структуру соединения Zr3Al2 [9]; она оказалась тетрагональной; a 7 630 0 001 А, с 6 998 0 001 А. [12]
Анализ рентгенограмм, полученных с образцов, не подвергавшихся нагревам, показал, что деформация поверхностных слоев после различных видов механической обработки неодинакова. Это различие состоит в неодинаковой интенсивности деформаций по глубине поверхностного слоя, различной глубине деформированного слоя и др. Передние линии на рентгенограммах независимо от вида механической обработки являются сплошными, несколько размытыми. [13]
 |
Стереоскопический чертеж.| Распределение электронной плотности в кристалле LiF. [14] |
Анализ рентгенограмм позволяет выяснить характер распределения электронной плотности в кристалле. Таким путем узнают, являются ли исследуемые кристаллы ионными, ковалентными или молекулярными. На рис. 102 показано распределение электронной плотности в кристалле LiF. Характер расположения кривых равной электронной плотности ( заряд электрона на единицу объема) свидетельствует о преимущественном проявлении ионной связи. [15]
Страницы: 1 2 3 4