Дифракционный анализ

Cтраница 1

Дифракционный анализ основан на решении ( разными путями) волнового уравнения, которое верно описывает распространение света ( ив частности дифракцию) только одном из поляризационных состояний ТЕ ТМ. [1]

Ранние работы выполнены еще до появления приборов для дифракционного анализа с высокой разрешающей способностью, поэтому исследователи, вооруженные доступной в то время методикой Де-бая - Шеррера, могли упустить большую часть мелких деталей, довольно просто определяемых в настоящее время. Исключительная легкость, с которой могут быть расшифрованы рентгенограммы - порошков и определены фазы высокой симметрии по особенностям элементарной ячейки, совсем не означает, что структура удовлетворительно определяется по аналогии с другими структурами, имеющими тот же состав и такие же кристаллографические константы. [2]

Для идентификации включений, присутствующих в материале, проводят дифракционный анализ. При этом микроэлектронограмма представляет собой плоское сечение обратной решетки, соответствующее кристаллической решетке данной фазы. Идентификация фазы сводится к нахождению такой обратной решетки, сечение которой может представлять данная точечная электро-нограмма. Поиск ведут среди обратных решеток тех фаз, присутствие которых вероятно в данном случае. Практически нужно сопоставить экспериментальную микроэлектронограмму с различными сечениями, ряда обратных решеток. Следовательно, надо иметь множество таких сечений практически для любой ориентировки кристалла. Для построения сечений обратных решеток существуют аналитические и графические методы построения. Принадлежность рефлексов той или иной фазе можно установить по темнопольному изображению, полученному в свете рефлексов данной фазы: для этого апертурную диафрагму устанавливают на рефлекс фазы, тем самым отсекая все остальные рефлексы. Все, что относится к данной фазе, - ярко светится, остальное выглядит темным. На рис. 6 приведен пример индицирования микродифракционной картины и использования темнопольного изображения для идентификации включений. [3]

Оптические методы ( ИК, УФ) и методы дифракционного анализа относятся к числу методов с очень короткой постоянной времени, лежащей в диапазоне 10 - 12 - М013 с. Подобные быстрые методы воспринимают динамическую систему как статическую. [4]

Представлены результаты актуальных исследований специалистов Фрайбергской горной академии, посвященные проблемам дифракционного анализа реальных поликристаллов с неоднородной структурой и покрытиями, остаточным напряжением в материалах, неоднородности строения, выполненные с помощью стохастической геометрии и других методов. [5]

В некоторых задачах, встречающихся, например, в связи с дифракционным анализом оптических приборов ( разд. [6]

Предположение, что на первых стадиях выделения вторичной фазы существует метастабильный цементит [249], который и подвергается коррозионному разрушению, было опровергнуто идентификацией карбидов Ме23С6 при помощи электронной микроскопии и дифракционного анализа. То, что процесс выделения карбидов управляется не диффузией углерода, а диффузией хрома, подтверждается следующими данными. [7]

Структурные исследования кристаллических веществ ( до определенного достаточно высокого уровня сложности) могут проводиться чисто дедуктивно без привлечения моделей; основу этой возможности создает фиксированная ориентация структурных элементов в пространстве. Дифракционный анализ кристаллических объектов является поэтому уникальным методом прямого ми-кроскопирования атомной структуры вещества. [8]

Структурные исследования кристаллических веществ ( до определенного достаточно высокого уровня сложности) могут проводиться чисто дедуктивно без привлечения моделей; основу этой возможности создает фиксированная ориентация структурных элементов в пространстве. Дифракционный анализ кристаллических объектов является поэтому уникальным методом прямого микроско-пирования атомной структуры вещества. [9]

Структурные исследования кристаллических веществ ( до определенного достаточно высокого уровня сложности) могут проводиться чисто дедуктивно без привлечения моделей; основу этой возможности создает фиксированная ориентация структурных элементов в пространстве. Дифракционный анализ кристаллических объектов является поэтому уникальным методом прямого микроско-пнрования атомной структуры вещества. [10]

Просвечивающая электронная микроскопия может дать много информации о структуре покрытий и основного металла. Современные приборы позволяют получать изображения структур с увеличением до 200 000 крат и при этом проводить дифракционный анализ на выбранных участках. В просвечивающем электронном микроскопе изображение формируется фокусировкой дифрагированного потока электронов после прохождения его через образец. Используются очень тонкие объекты, причем толщина выбирается в зависимости от природы исследуемого материала и используемого в микроскопе ускоряющего напряжения. В практической электронной микроскопии при напряжении 100 кВ толщина образцов обычно составляет 10 - 4 - 10 - 6 мм. [11]

Во многих случаях интерферометры Фабри - Перо имеют очень большие числа Френеля и дифракционными эффектами в них можно пренебречь. Поэтому, в принципе для их изучения хотя и следовало бы применить анализ мод, обычно предпочитают более простое рассмотрение. Кроме того, дифракционный анализ излучения, прошедшего через интерферометр, должен включать в себя решение неоднородных интегральных уравнений Фокса - Ли, в которые входит функция источника, создаваемая падающим пучком, так что задача оказывается очень сложной. [12]

Локализация деформации в приграничных зонах поликристалла ( 7 70 С. и 2 % мин -. е10 %. [13]

В условиях эстафетного распространения пластической деформации любой сдвиг должен сопровождаться эффектом поворота. Однако конкретные механизмы поворотных мод многообразны. При дислокационном скольжении очень часто происходят материальные повороты, по методами дифракционного анализа они не обнаруживаются. В каждом зерне происходит только сдвиговая деформация, но в конгломерате зерен наблюдается кристаллографический вихрь. Согласно [32] размеры кристаллографического вихря велики и значительно превосходят размеры образца. В результате в сечении образца укладывается только фрагмент вихря, который трудно обнаружить при обычном металлографическом исследовании. Связанный с фрагментом кристаллографического вихря локальный поворот вызывает на боковой поверхности образца встречные упругие напряжения, которые порождают отраженный поворот другого знака. Граничная область между прямым и отраженным поворотами является благоприятным местом для сильной локализации деформации, образования стационарной шейки и последующего разрушения. [14]

На рис. 18, а схематически показана решетка. Если, произвести инвариантные сдвиги в направлении х, как на рис. 18, б, произойдет материальный поворот со, изображенный там же. При этом кристаллографические плоскости останутся неповернутыми, поэтому дифракционными методами поворот обнаружить невозможно. Методами дифракционного анализа такой поворот можно зафиксировать, но он не совпадает с материальным поворотом, который двумя процедурами ( сдвигом вдоль х и поворотом против часовой стрелки на угол cov) будет сведен на нет. [15]

Страницы: 1