Запирание - диод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Поосторожней с алкоголем. Он может сделать так, что ты замахнешься на фининспектора и промажешь. Законы Мерфи (еще...)

Запирание - диод

Cтраница 1


1 Схема улучшения формы импульсов с помощью встроенных эмиттерных повторителей ( а и форма напряжения на коллекторе запирающего транзистора ( б. [1]

Запирание диода происходит достаточно быстро и обусловлено различием в скоростях увеличения напряжения на выводах диода.  [2]

Запирание диода во время действия импульса обеспечивается автоматически - положительный импульс, передаваясь на выход схемы ( на катод диода), запирает его. Отпирание диода в промежутке между импульсами обеспечивается за счет полярности напряжения Д ( в паузе между входными импульсами плюс этого напряжения через Rt приложен к аноду, а минус - к катоду диода), Используя эквивалентные схемы запертого ( см. рис. 3.5, б) и включенного ( см. рис. 3.3, б) диодов, получаем эквивалентную схему цепи, близкую к приведенной на рис. 3.53. При Um ейя влиянием напряжение отсечки можно пренебречь и использовать для оценки значений AI, 62 и / Сс полученные соотношения.  [3]

После запирания диода спад импульса формируется, как в обычном ключе. Таким образом, в ключе с нелинейной обратной связью время рассасывания tp отсутствует. В то же время фронт выходного импульса может быть сделан очень коротким, так как имеется возможность беспрепятственно увеличи-01, возникающий при включении ключа. Благодаря наличию обратной связи остаточное напряжение на коллекторе открытого транзистора стабильно.  [4]

5 Практические схемы усилителей с нелинейной обратной. [5]

После запирания диода, когда цепь обратной связи разрывается, выходное напряжение спадает с постоянной времени тэк. Длительность среза / ср 2 2 тэк оказывается больше длительности фронта.  [6]

7 Устройство р-я-переходов точечных ( а, сплавных ( б, диффузионных ( в диодов. [7]

Инерционность запирания диода связана с эффектом накопления носителей заряда, который заключается в следующем. При протекании через диод прямого тока через р - n - переход осуществляется инжекция носителей и образуется избыточная концентрация неосновных носителей, возрастающая с увеличением прямого тока. При переключении напряжения на обратное эти неосновные носители в первый момент увеличивают обратный ток и способствуют снижению обратного сопротивления. Постепенно концентрация неосновных носителей уменьшается за счет рекомбинации и ухода через р - n - переход. После окончания рекомбинации обратное сопротивление и ток восстанавливаются до стационарных значений. Кроме того, на инерционность диода в импульсном режиме оказывает влияние барьерная емкость, уменьшение которой может быть достигнуто уменьшением площади р - я-перехода.  [8]

При запирании диода начинается рассасывание избыточных носителей, накопленных в базе. По мере уменьшения заряда в базе уменьшается и напряжение на переходе. Но пока переход смещен в прямом направлении, ток диода определяется параметрами внешней цепи.  [9]

При запирании диода Дг конденсатор Сг разряжается на нагрузку - процесс повторяется каждый период. При описании принципа работы полагаем, что ток нагрузки / н много меньше тока заряда.  [10]

11 Принципиальная схема ЧМГ станции РРЛ Вос-12 6В 12 6В ход. [11]

В цепь запирания диодов включены терморезистор R / t, резистор i и РЧ дроссель LI. Модулирующий сигнал поступает через GI и L. Конденсатор С4 обеспечивает дополнительную емкость в промежутке база-эмиттер создавая необходимые предпосылки для самовозбуждения трехточечной схемы.  [12]

В результате запирания диодов схема в первый момент ( до появления коллекторных токов) представляет собой две независимые ветви, каждая из которых содержит эмиттерный переход соответствующего транзистора.  [13]

Процесс отпирания и запирания диодов управляется напряжением гетеродина - Иь.  [14]

До момента ta запирания диода коэффициент передачи катодного повторителя будет определяться малым внутренним сопротивлением диода и значение его будет весьма мало.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5