Cтраница 2
Порядок заполнения орбиталей данного подслоя подчиняется п р а в ИЛУ X у н д а: суммарное спиновое число электронов данного подслоя должно быть максимальным. [16]
Порядок заполнения орбиталей данного подслоя подчиняется правилу Хунда: суммарное спиновое число электронов данного подслоя должно быть максимальным. [17]
При заполнении орбиталей электронами необходимо руководствоваться правилом Гунда: в данном подуровне электроны стремятся занять свободные орбитали сначала по одному с параллельными спинами и затем только по второму с противоположным направлением спина. По принципу Паули на каждой орбитали может быть только два электрона с противоположными спинами. При таком способе заполнения орбиталей одного подуровня данным числом электронов суммарный спин имеет наибольшее значение, что требует правило Гунда. [18]
При заполнении орбиталей с одинаковой энергией на каждой орбитали размещается по одному электрону, прежде чем какая-либо из этих вырожденных орбиталей получит два электрона. Ниже это правило иллюстрируется на примере последовательного размещения шести электронов на 2р - энергетическом уровне. [19]
При заполнении орбиталей электронами принцип Паули допускает нахождение на одной молекулярной орбитали не более одной пары электронов с противоположными спинами. На пяти нижних уровнях, изображенных на рис. 9, могут находиться пять пар электронов. Для уменьшения межэлектронного отталкивания энергетически выгодно, чтобы электроны оставались неспаренными и занимали отдельные орбитали. Таким образом, окончательная картина согласуется с экспериментальными данными о том, что молекула О2 парамагнитна и имеет два неспаренных электрона. [20]
При заполнении орбиталей, относящися к одному подуровню, соблюдается правило Хунда: электроны располагаются таким образом, чтобы их суммарный спин был максимальным. [21]
При заполнении орбиталей многоэлектронных атомов сначала заполняются орбитали р наиболее низким энергетическим уровнем. [22]
В последовательности заполнения орбиталей электронами имеются и исключения. [23]
Рассмотрим случай однократного заполнения орбиталей. [24]
При таком заполнении орбиталей электронами электроны находятся дальше друг от друга в пространстве, их взаимное отталкивание уменьшается. [25]
Расщепление А - терма в полях различной симметрии. [26] |
При таком способе заполнения орбиталей электронами в ряду конфигураций d4 - d6 происходит уменьшение полного спина, что выражается в изменении магнитных свойств. [27]
Электронная конфигурация отвечает однократному заполнению орбиталей. Поскольку количество орбиталей равно числу электронов, имеется только одна конфигурация такого типа. [28]
В табл. 3 представлено заполнение орбиталей с учетом правила Клечковского. [29]
Делая различие между последовательностью заполнения орбиталей в случаях слабого и сильного полей, которые приводят к высоко - и низкоспиновым комплексам, теория молекулярных орбиталей заимствует аналогичный подход из теории кристаллического поля. [30]