Заполнение - поверхность
Cтраница 2
Степень заполнения поверхности 0, таким образом, зависит от строения и свойств адсорбирующихся частиц. При увеличении длины углеводородной цепи молекулы значение аттракционного фактора возрастает. При введении в водный раствор органических растворителей Y уменьшается. При увеличении катодного потенциала электрода значение Y возрастает, иногда же, как при адсорбции алифатических спиртов и аминов из водного раствора N32864, величина - у. Y изменяется приблизительно линейно с потенциалом электрода. [16]
Степени заполнения поверхности, близкие к единице, не достигаются, если процесс лимитируется скоростью адсорбции исходного вещества. [17]
Область заполнения поверхности 0, в пределах которой можно использовать с достаточной точностью изотерму Лэнгмюра или Генри, определяется величиной аттракционного фактора у. Величина у зависит прежде всего от строения адсорбирующихся веществ: в гомологическом ряду при увеличении длины углеводородной цепи молекулы значение у возрастает. [18]
Степень заполнения поверхности 6, которая очень важна для объяснения процессов на водородном электроде, может быть определена иэ кривых заряжения Q it / ( е), из измерений импеданса и его частотной зависимости, из потенциостатических или гальваностатических измерений при включении или выключении цепи и из стационарных поляризационных кривых. [19]
Степень заполнения поверхности ингибирующим веществом рассчитывают и по кинетическим данным. При этом исходят из того, что адсорбированные органические вещества, так же как и неорганические ингибиторы, рассмотренные в гл. [20]
Значение заполнений поверхности, при которых практически прекращается изменение положения и отношения интенсивностей полос поглощения возмущенных и свободных гидроксильных групп, приблизительно соответствует заполнению монослоя. [22]
Для промежуточных заполнений поверхности может оказаться применимой либо изотерма Темкина, либо изотерма Фрумкина. Заметим, что этот вывод оказывается справедливым не только для отталкивания, но и для притяжения. [23]
Степень заполнения поверхности материала гидрофобным мономерным слоем зависит от смачиваемости поверхности гидрофобизую-щей жидкостью. Полное покрытие поверхности мономолекулярным хемосорбированным слоем с ориентированным расположением углеводородных радикалов соответствует ее максимальной гидрофоб-ности. Избыток гидрофобизатора приводит к наслоению на первичный хемосорбированный слой дальнейших слоев с неупорядоченной ориентацией, уже слабо связанных с поверхностью, в результате чего гидрофобность снижается. [24]
Степень заполнения поверхности платины адсорбированными хлор - и бром-ионами в области изучавшихся в работах [116, 117, 262, 328] потенциалов двой-нослойного участка кривой заряжения при высоких объемных концентрациях СГ и В г ( - 0 3 М и выше) не должна сильно отличаться от предельной [330-332] и в первом приближении можно считать, что [ Хадс ] не зависит от [ Х - ] и слабо зависит от потенциала электрода. [25]
Степень заполнения поверхности амальгамы электрохимически активными комплексами при данном составе раствора зависит от некулоновских составляющих стандартной гиббсовой энергии реакций ( VI. [26]
 |
Гранулометрические характеристики эмульсий. [27] |
Плотность заполнения поверхности зерен молекулами на опыте оказалась значительно выше, чем это предполагали Рейндерс и Гамбургер, а именно, при заполнении в среднем приблизительно 4 % всей поверхности еще не наблюдалось значительного увеличения плотности вуали. [28]
Характер заполнения поверхности металла ингибитором, резкое снижение емкости двойного электрического слоя в процессе адсорбции ингибитора на металле, относительная независи - мость величины дифференциальной емкости от потенциала в достаточно широкой области его значений, а также частичная десорбция ингибитора с металлической поверхности под влиянием внешнего электрического тока свидетельствуют о своеобразной природе закрепления ( адсорбции) молекул ингибиторов на металле. После заполнения ингибитором более активных участков начинается его адсорбция на менее активных участках, сопровождающаяся поверхностным мицеллообразованием, что ведет в конечном итоге к образованию на металле защитных пленок с высокой степенью экранирования. [29]
Степень заполнения поверхности металла ингибитором зависит от ориентации неполярной части молекулы. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5