Cтраница 1
Заполнение уровня 4f происходит таким образом, что для первых семи элементов ( от церия до гадолиния) спины электронов параллельны, а для последующих элементов ( от тербия до лютеция) заполнение уровня электронов происходит таким образом, что спины электронов антипараллельны относительно первых. Такой порядок заполнения электронами уровня 4f и является физической основой деления элементов на цериевую и иттриевую подгруппы. Эти подгруппы элементов различаются между собой химическими свойствами, в частности, растворимостью их соединений, способностью к комплексообразованию. [1]
У элементов второго периода начинается заполнение L-энер-гетического уровня, или L-слоя. Второй период начинается с Li, в атоме которого имеется три электрона. Два из них находятся в / ( - слое, как и у атома гелия, третий электрон располагается в L-слое. У элементов второго периода также сначала заполняется s - подуровень, а затем р-подуровень. У последнего элемента этого периода - неона все s - и р-орбитали при п 2 заполнены. Элементы, в атомах которых в последнюю очередь заполняется s - подуровень, называются s - э л е м е н т а м и, а р-подуровень - р-э лементами. Электронное строение атомов благородных газов служит остовом строения атомов последующих элементов. [2]
При возрастании температуры время релаксации заполнения уровня возрастает. [3]
ГС / г, поэтому вероятность заполнения уровня 2 на много порядков меньше, чем вероятность его опустошения, и можно считать, что населенность уровня 2 равна нулю. [4]
Измерения температурной зависимости сопротивления, связанной с заполнением уровня Ферми для ловушек, вместо с данными по температурной зависимости эффективного сечения захвата и среднего времени пребывания в ловушке объединяются в единую согласованную картину уровней и дают экспериментальное доказательство применимости принципа детального равновесия к уровням прилипания. [5]
Здесь / ( W) - плотность вероятности заполнения уровня с энергией W; W - - уровень Ферми; k - постоянная Больц-мана; Т - абсолютная температура тела. Ферми равен максимальной энергии электронов при Т 0 К. [6]
Все актиниды, за исключением актиния, характеризуются заполнением уровня 5 / в электронной оболочке, что определяет подобие их физико-химических свойств. [7]
Симметрия кривой вероятности зашэлне-ния относительно уровня Ферми означает одинаковую вероятность заполнения уровня электроном с энергией, большей на величину Э - 9t, и вероятность освобождения уровня от электрона с энергией, на столько же меньшей энергии уровня Ферми. [8]
Симметрия кривой вероятности заполнения относительно уровня Ферми означает одинаковую вероятность с заполнения уровня электроном с энергией, большей на величину Э - Эф, и вероятность освобождения уровня от электрона с энергией, на столько же меньшей энергии уровня Ферми. [9]
Это и есть функция распределения Ферми frat - / gi, выражающая зависимость степени заполнения уровня энергии от величины последней. [10]
Для объяснения дробных холловских плато необходимо, чтобы в системе электронов на однородном положительном фоне некоторые дробные значения фактора заполнения уровня Ландау v были бы энергетически предпочтительными. F ЭЕ / dN при данной концентрации, а это в свою очередь означает, что концентрация фиксируется при v 1 / 3 в некотором интервале значений химического потенциала. Если при этом предположить, что вблизи слоя обогащения существует внешний резервуар, поставляющий электроны в слой, то мы будем иметь v 1 / 3 в некотором интервале напря-женностей магнитного поля. [11]
Подробное исследование парамагнитных свойств ионов разной валентности элементов от тория до америция показало, что в тории и протактинии энергетически более выгодно заполнение уровня 6d; начиная же с урана, преобладает заполнение 5 / - уровня. [12]
Заполнение уровня 4f происходит таким образом, что для первых семи элементов ( от церия до гадолиния) спины электронов параллельны, а для последующих элементов ( от тербия до лютеция) заполнение уровня электронов происходит таким образом, что спины электронов антипараллельны относительно первых. Такой порядок заполнения электронами уровня 4f и является физической основой деления элементов на цериевую и иттриевую подгруппы. Эти подгруппы элементов различаются между собой химическими свойствами, в частности, растворимостью их соединений, способностью к комплексообразованию. [13]
Согласно правилу максимальной мультиплетности, заполнение 4 / - уровня у элементов этой группы происходит таким образом, что у первых семи элементов ( от Се до Gd) спины электронов параллельны, а у последующих элементов ( от ТЬ до Lu) происходит заполнение уровня электронами с антипараллельными спинами по отношению к первым. Такой порядок заполнения электронами 4 / - уровня объясняет существование вторичной периодичности свойств в группе рзэ и является физической основой деления этой группы на цериевую и иттриевую подгруппы. Эти подгруппы элементов существенно отличаются друг от друга по ряду химических свойств, в частности по комплексообразующеи способности и растворимости их соединений. При наблюдающемся общем сходстве этой группы элементов весьма существенным является1 изучение тех их свойств, которыми они отличаются друг от друга. [14]
Электроны с энергией 2 - 3 кэВ выбивают внутренние электроны. Заполнение вакантного уровня приводит, наряду с рентгеновским излучением к передаче энергии другому электрону в атоме - эффекту Оже. Такие оже-электроны моноэнергетичны и оже-спектры характеризуют состояние атомов. [15]