Заполнение - уровень
Cтраница 3
 |
Сжатие ионных радиусов. [31] |
С возрастанием заряда иона от К1 до Сгв ( рис. 61) происходит сильное сжатие внешней 3 23рв - оболочки вследствие увеличения эффективного заряда ядра, притягивающего электроны этой оболочки. Ион меди Си1 с конфигурацией 3s23p63d10 отличается от иона К1 с конфигурацией 3s23pe заполнением уровня 3d, и соответствующее уменьшение ионного радиуса до некоторой степени аналогично лантаноидному сжатию, отвечающему заполнению внутренней 4 / - обо-лочки. [32]
Однако атом, находящийся первоначально в состоянии J - 1, М 1, после цикла поглощение - излучение должен остаться там же. Таким образом, заполнение уровня / 1, М - 1 уменьшается, а заполнение уровня J I, М 1 увеличивается. Даже если последний связан с более низким уровнем переходом сверхвысокой частоты, то условие излучения между двумя уровнями может сохраняться. [33]
V - оптическая перезарядка уровня невозможна ( е - е р) и степень заполнения уровня не изменяется. Если энергия ротона hv достаточна для перехода электрона с глубокого уровн в зону проводимости или из валентной зоны на глубокий уровень, то при достаточно длительном освещении происходит полное опустошение или заполнение уровня. [34]
Напротив, при растворении в кристалле MgO металлической примеси с одним валентным электроном, например Li, его валентный электрон заполняет только один энергетический уровень в валентной зоне кислорода, а второй остается свободным. Если в кристалле отсутствуют какие-либо дополнительные атомные дефекты, которые могли бы привести к заполнению незанятого уровня, последний на общем фоне представляет собой электронную дырку в валентной зоне. Ион же лития, отдавший в валентную зону кислорода один электрон, находится в виде однократно заряженного положительного иона и на фоне двукратно заряженных ионов магния проявляет себя как дефект замещения Li-Mg с отрицательным эффективным зарядом. [35]
Разрешенные уровни энергии электрона в идеальном кристалле обладают вырождением именно такого типа, так как каждый из них двукратно вырожден в соответствии с двумя возможными направлениями спина. При рассмотрении примесных уровней мы столкнемся и с таким сортом двукратно вырожденных уровней, когда заполнение уровня одним электроном всецело исключает возможность занятия этого же уровня другими электронами. [36]
На этом соотношении ( к которому мы еще будем возвращаться в дальнейшем) основаны все вычисления термодинамических свойстн. Пока же достаточно отметить, что при данной температуре с увеличением величины Ei быстро уменьшается степень заполнения уровня. [37]
Следовательно, при Т 0 - К уровни, расположенные ниже уровня Ферми, заполнены с большей вероятностью, чем уровни, расположенные выше его. При этом вероятность заполнения уровня тем меньше, чем выше уровня Ферми расположен данный уровень, и вероятность заполнения уровня тем больше, чем ниже уровня Ферми расположен данный уровень. При температуре выше 0 К функция Ферми практически равна единице для уровней, расположенных на несколько КГ ниже уровня Ферми, и равна нулю для уровней, расположенных на несколько kT выше уровня Ферми. [38]
 |
Ионные радиусы лантапидов и шлчшидов.| Электронные структуры наружных электронных оболочек атомов лантанндоа и актинидов. [39] |
Соответствие данных указывает на то, что число / - электронов в рассмотренных ионах А. Подробное исследование парамагнитных свойств ионов разной валентности элементов от Th до Am показало, что в Th и Ра энергетически более выгодно заполнение уровня 6rf; начиная же с U, преобладает заполнение 5 / - уровня. [40]
Небольшая величина этих различий и делает разделение таким трудным. Вообще лантанидное сжатие не отличается от сокращений, наблюдаемых во всех горизонтальных рядах элементов в периодической системе. При постепенном заполнении уровня энергии все внешние электроны притягиваются постепенно возрастающим зарядом ядра, что приводит к уменьшению радиуса до тех пор, пока не начнет заполняться новый внешний уровень. [41]
Интересно отметить удивительное сходство между трехцентровой схемой, предложенной Эберхардом, Кроуфордом и Липскомбом для борановых мостиков В - Н - В [573], и трехцентровой же схемой Пиментела для иона HF. Это вызывает необходимость высокой концентрации заряда на концевых атомах, и потому связь оказывается наиболее прочной, если эти атомы обладают сильно выраженной электроотрицательностью. В боранах, однако, слишком мало электронов для заполнения уровня гр2 и малая электроотрицательность бора благоприятствует оптимальному распределению электронов между атомами бора и водорода. [42]
Однако атомы не спешат использовать весь предоставленный им лимит и считают более выгодным для себя размещать электроны на более далеких позициях: в периоде третьем находятся натрий, магний, алюминий, кремний, фосфор, сера, хлор и аргон. Его примеру следует кальций, и только у скандия начинается постепенное заполнение уровня М до дозволенного принципом Паули 18-электронного окружения, осуществляемого только медью. Все элементы ( за исключением хрома) - элементы так называемого семейства железа - со скандия по никель, обладают одним и тем же двухэлектронным внешним окружением, обусловливающим их сходство. Их же поливалентность вызвана подвижностью, лабильностью электронов недостроенной оболочки. [43]
 |
Экспериментальная ( сплошная и теоре.| Различные типы угловых распределений протонов в реакции ( d, p. [44] |
На рис. 4.21 для примера показаны угловые распределения протонов в реакции ( d, p) для случаев, когда срываемый нейтрон попадает либо в s -, либо в d - состояния. Во-вторых, однократное взаимодействие влечет за собой зависимость сечения от степени заполнения уровня другими нуклонами. Очевидно, например, что нейтрон в реакции 8О16 ( d, p) 8О17 не может попасть в состояние 1рз / 2, поскольку все 4 состояния уже заняты другими нейтронами. [45]
Страницы: 1 2 3 4