Заполнение - уровни
Cтраница 2
Символика, принятая для обозначения заполнения уровней в кристаллическом поле ( табл. 3), находит аналогию в обозначениях, принятых для описания строения изолированных атомов, например, обозначение t2g имеет те же ограничения, что и обозначение d2, о котором говорилось раньше в разд. [16]
Проследим по Периодической системе принципы заполнения уровней электронами. В атомах Cs и Ва электроны заполняют Gs-подуровень. [17]
Здесь принято, что изменение заполнения уровней прилипания пропорционально избыточным концентрациям свободных носителей заряда. [18]
Различие между табл. 73.2 и заполнением уровней в реальной периодической системе связано с тем, что каждый электрон атома находится в электрическом поле положительно заряженного ядра и в поле всех остальных электронов, взаимодействующих с ядром и между собой. Задача об отыскании энергетического состояния электрона, движущегося в столь сложном поле, не может быть решена строго даже в квантовой механике. [19]
Вбольших периодах с ростом заряда ядер заполнение уровней электронами происходит сложнее ( см. § 2.8), что объясняет и более сложное изменение свойств элементов по сравнению с элементами малых периодов. Поэтому, пока идет заполнение электронами следующего за внешним ( второго снаружи) уровня, свойства элементов в этих рядах изменяются крайне медленно. Лишь в нечетных рядах, когда с ростом заряда ядра увеличивается число электронов на внешнем уровне ( от 1 до 8), свойства элементов начинают изменяться так же, как у типических. [20]
В целом этот порядок расположения и заполнения уровней энергии сходен с диаграммой энергетических уровней в ферроцене ( см. стр. [21]
Из теории [27, 28] известно, что низкоспиновое заполнение уровней в атомах невыгодно в связи с электростатическим отталкиванием электронных пар. При наличии свободных d - состояний переход на них части электронов, сопровождающийся возрастанием спинового числа, обеспечивает разделение электронов и может оказаться энергетически более выгодным. [22]
Для ферромагнитных металлов можно оценить разность заполнения уровней двух Зй-подзон, используя для этого данные по величине магнитного момента насыщения. [23]
После того, как достигнута инверсия заполнения уровней, в резонаторе или в структуре бегущей волны можно осуществить взаимодействие между полем сигнала СВЧ и спиновой системой. [24]
Это приводит к нарушению нормальной последовательности заполнения уровней. С прибавлением еще одного электрона Зй-оболочка скачком достраивается, в 45-оболочке остается один электрон. Начиная с меди ( Z - 29), имеющей электронную структуру ( Is2, 2s2, 2p6, 3s2, 3p6, 3d10, 4s1), снова в нормальной последовательности идет постройка 4s - и 4р - оболочек. [25]
 |
Зона Бриллюэна для двумерного кристалла. [26] |
Это означает, что по мере заполнения уровней в каждом направлении - пространства появляются энергетические разрывы. Эти области можно представить в виде поверхностей в - пространстве; области, ограниченные такими поверхностями, обычно называют зонами Бриллюэна. На рис. 2 представлена зона Бриллюэна для двумерного кристалла; поверхность Ферми здесь изображена окружностью, и не все уровни между ней и границей зоны Бриллюэна заняты электронами. [27]
Это приводит к нарушению нормальной последовательности заполнения уровней. [28]
В больших периодах с ростом заряда ядер заполнение уровней электронами происходит сложное ( см. § 2.8), что объясняет и более сложное изменение свойств элементов по сравнению с элементами малых периодов. Поэтому, пока идет заполнение электронами следующего за внешним ( второго снаружи) урозня, свойства элементов в этих рядах изменяются крайне медленно. Лишь в нечетных рядах, когда с ростом заряда ядра увеличивается число электронов на внешнем уровне ( от 1 до 8), свойства элементов начинают изменяться так же, как у типических. [29]
 |
Измерение времени релаксации импульсным методом. [30] |
Страницы: 1 2 3 4