Полное заполнение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
В развитом обществе "слуга народа" семантически равен "властелину народа". Законы Мерфи (еще...)

Полное заполнение

Cтраница 3


С полным заполнением сечения жидкостью чаще бывают нефтепроводы, транспортирующие товарную нефть и водоводы, реже - выкидные линии скважин.  [31]

32 Общий вид цифровых кодовых преобразователей для управления приводом. [32]

При полном заполнении этого счетчика со сборок выдается набранное число импульсов.  [33]

При полном заполнении пространства изоляционным материалом отогнутые края кожуха сближают. Если кожухом является сетка, то кромки ее на стыке сшивают проволокой. Поверх кожуха над опорными кольцами и между ними устанавливают крепежные кольца из проволоки или стальной ленты и наносят отделочный слой.  [34]

35 Люлечно-ковшевой конвейер. [35]

При полном заполнении ковшей на горизонтальном участке трассы конвейера, в месте перехода ее на подъем, материал будет просыпаться, так как коэффициент заполнения объема ковшей уменьшится.  [36]

При полном заполнении накопителя оба участка линии работоспособны, линия выдает продукцию, уровень запаса остается максимальным.  [37]

При полном заполнении накопителя второй участок линии не работает, линия не выдает продукции, уровень запаса остается максимальным.  [38]

При полном заполнении баллона жидкостью опробователь пластов типа ОПК не обеспечивает сохранения всего газа в баллоне. В таких случаях для получения представительной пробы газа следует при повторном опробовании сократить продолжительность отбора.  [39]

При полном заполнении турбомуфты с ростом нагрузки подобие потока сохраняется на всех скольжениях. Затем с уменьшением заполнения изменяется крутизна характеристик. При заполнении менее 50 % этот переход на участке б - в ( пунктир на рис. 57) происходит весьма быстро подобно срыву.  [40]

При полном заполнении микропор - полостей между звеньями макромолекул - происходит стабилизация структуры сорбированных молекул, приводящая к снижению их подвижности. Для крахмала, например, при влажности 3 % микропоры практически заполнены, и при дальнейшем увлажнении материала молекулы воды сорбируются в более крупных порах - полостях - с меньшей энергией связи. При этом возникает связь между молекулами, сорбированными в микро -, промежуточных и макропорах; в результате образуется пространственная сеть молекул воды, пронизывающая поры зерен крахмала, что влечет резкое увеличение его электропроводности за счет миграции протонов по цепочкам сорбированных молекул и полярных функциональных групп. Эти протоны образуются с очень малой вероятностью, как и в свободной воде, вследствие отрыва от молекул Н2О, у которых протоны находятся между атомами кислорода. Электропроводность крахмала при сравнительно малых влагосодер-жаниях обусловлена переносом таких протонов, их диффузией по материалу и застреванием в вакантных для протонов местах. При влажности крахмала меньше 3 % молекулы воды, образовавшие ансамбли в порах, мало влияют на величину электропроводности, так как выход протона за пределы поры затруднен. При влажности больше 3 % с образованием ассоциатов молекул воды внутри пор заметно увеличивается подвижность протонов и, следовательно, электропроводность материала.  [41]

При полном заполнении резонатора диэлектриком его добротность резко снижается. Это приводит к возрастанию затухания в резонаторе, к ухудшению точности его настройки на резонансную частоту, к повышению влияния паразитных типов колебаний. Уже при значениях добротности порядка 1000 и ниже технические осложнения становятся труднопреодолимыми.  [42]

43 Изотерма поверхностного натяжения коллоидных ПАВ, иллюстрирующая начало мицелло-образования в точке ККМ. [43]

При полном заполнении монослоя ( Г Лоо) постоянному значению a соответствует постоянное значение хими-ческого потенциала ПАВ в растворе, что определяет процесс мицеллообразования как процесс образования новой фазы.  [44]

При полном заполнении резонатора диэлектриком его добротность резко снижается. Это приводит к возрастанию затухания в резонаторе, к ухудшению точности его настройки на резонансную частоту, к повышению влияния паразитных типов колебаний. Уже при значениях добротности порядка 1000 и ниже технические осложнения становятся труднопреодолимыми.  [45]



Страницы:      1    2    3    4